[实用新型]正入射式共面电极光电芯片及其封装结构

摘要

本实用新型涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射式共面电极光电芯片及其封装结构；一种正入射式共面电极光电芯片包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层；芯片上开设主光槽，主光槽贯穿吸收层；顶层内设有光敏区；芯片的正面上还设有收光区和相互绝缘设置的第一电极和第二电极，第一电极位于收光区的外侧，第一电极与光敏区的外端相连接，第二电极与缓冲层相连接；以芯片的正面为入光侧，主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从收光区进入到吸收层内进行光电转换；故本实用新型提供的正入射式共面电极光电芯片既能够分光，又能够对入射光的光功率进行监控；进而使用本实用新型提供的芯片的光路系统，无须使用光分路器进行分光。

主权项

1.一种正入射式共面电极光电芯片，其特征在于：包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层，所述缓冲层位于所述衬底与所述吸收层之间，所述顶层位于所述吸收层与所述缓冲层相背的一表面，所述顶层相对所述衬底更靠近所述芯片的正面；所述芯片上开设主光槽，所述主光槽向所述芯片的任一表面方向开口并贯穿所述吸收层；所述顶层内设有光敏区，所述光敏区的内端与所述吸收层相连接；所述芯片的正面上还设有收光区和相互绝缘设置的第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述收光区的外侧，所述第一电极与所述光敏区的外端相连接，所述第二电极与所述缓冲层相连接；以所述芯片的正面为入光侧，所述主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从所述收光区进入到所述吸收层内进行光电转换。