[实用新型]背入射式阵列光电芯片及其电连接结构有效

专利信息
申请号: 201822183940.5 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN209401645U 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 刘宏亮;杨彦伟;邹颜;刘格 申请(专利权)人: 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 代理人: 田俊峰
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种背入射式阵列光电芯片及其电连接结构,一种背入射式阵列光电芯片,包括多个分光监控单元,每个分光监控单元包括透光槽和光敏区;透光槽向芯片任一表面的方向开口并贯穿芯片的吸收层,光敏区形成于芯片的顶层并一端连接至芯片的吸收层;吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区;以芯片的背面为入光侧,多束入射光射向芯片;每束入射光的一部分从对应的分光监控单元的透光槽透射分出,每束入射光的另一部分进入到对应的分光监控单元的光电转换区内进行光电转换,从而使得该芯片能够对多束入射光分别进行分光和光功率监控;进而使得使用该芯片的光路系统无需使用大量的光分路器,进而大大减小了光路系统的体积和成本。
搜索关键词: 芯片 分光 监控单元 入射光 背入射式 光电芯片 光敏区 透光槽 吸收层 电连接结构 光电转换 光路系统 本实用新型 光电转换区 光功率监控 光分路器 一端连接 顶层 透射 分出 减小 背面 开口 贯穿
【主权项】:
1.一种背入射式阵列光电芯片,其特征在于:包括衬底、吸收层和顶层;所述芯片还包括多个分光监控单元,每个所述分光监控单元包括透光槽、光敏区和第一电极;所述透光槽向所述芯片任一表面的方向开口并贯穿所述吸收层和所述顶层;所述顶层内设有光敏区并一端连接至所述吸收层;所述吸收层内对应所述光敏区的区域为光电转换区;所述第一电极设于所述芯片的正面并与对应的所述光敏区的另一端相连接;多个所述分光监控单元的光敏区间隔设置,多个所述分光监控单元的第一电极相互绝缘设置;所述芯片的背面上还设有至少一个第二电极,所述第二电极与所述衬底相连接;以所述芯片的背面为入光侧,多束入射光射向所述芯片;每束入射光的一部分从对应的所述分光监控单元的透光槽透射分出,每束入射光的另一部分进入到对应的所述分光监控单元的光电转换区内进行光电转换。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司,未经深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201822183940.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种基于CsPbBr3全无机钙钛矿纳米线的可见光光电探测器及其制备方法-201710853010.3
  • 王浩;曾俊鹏;周海;张军 - 湖北大学
  • 2017-09-20 - 2019-11-12 - H01L31/09
  • 本发明提出了一种基于CsPbBr3全无机钙钛矿纳米线的可见光光电探测器及其制备方法,器件的结构为透明玻璃/CsPbBr3钙钛矿纳米线薄膜/Au,其中通过无皂溶液法与离子交换法结合的两步法合成的CsPbBr3纳米线薄膜为钙钛矿吸光层。此器件展示了大的开关比和很强的水氧稳定性,在平均温度32oC,平均相对湿度75%的大气环境下放置约200h,其光电流衰减幅度小于4.9%;器件在强度为2.2mW cm‑2紫外光的持续照射10000s后器件光暗电流没有明显的衰减;该探测器光电探测范围为300‑540nm的可见光。该器件制作工艺简单,成本低,适合于大批量、大面积产业化生产。器件暗电流非常小,仅为100pA,有利于节约能源。本发明制作的探测器具有较高的响应度和探测灵敏度。
  • 一种基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器及其制备方法-201810399948.7
  • 叶建东;陈选虎;徐阳;马同川;张彦芳;任芳芳;朱顺明;顾书林;张荣;郑有炓 - 南京大学
  • 2018-04-28 - 2019-11-05 - H01L31/09
  • 基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器,包括β相的氧化镓衬底、金属(Au)叉指状电极、绝缘介质钝化层和另一同晶体取向的β相氧化镓单晶滤光片,在(100)、(001)或(010)β相的单晶衬底上沉积金属得到叉指状电极阵列,然后覆盖绝缘介质钝化层,所述绝缘介质钝化层漏出金属(Au)叉指状电极;氧化镓单晶滤光片是位于Au叉指状电极器件的上方2‑5mm处放置,氧化镓单晶滤光片的晶体取向与衬底相同,面积稍大于衬底,氧化镓单晶滤光片面内晶体取向垂直于氧化镓衬底。上述器件具有封装结构,可以实现阵列化信号输出。本探测器能实现有效的滤除杂波,增强对短波的抑制作用,实现窄带的日盲紫外探测器;探测器结构简单,成本较低,抑制较高,有利于推广使用。
  • 光传感器装置和光传感器装置的制造方法-201610163254.4
  • 塚越功二;东纪吉 - 艾普凌科有限公司
  • 2016-03-22 - 2019-10-11 - H01L31/09
  • 本发明涉及光传感器装置和光传感器装置的制造方法。本发明的一个方式的光传感器装置具备:元件安装部;光传感器元件,被设置于所述元件安装部;引线,具有与所述光传感器元件连接的第一接点和连接于外部的第二接点;以及树脂密封部,至少覆盖所述光传感器元件的光接收面。所述树脂密封部具有树脂和分散在所述树脂中的包含硼硅酸类玻璃的玻璃填料。所述树脂密封部针对300nm至400nm的波长范围而具有40%以上的透射率。
  • 一种红外偏振焦平面器件结构及其制备方法-201710529967.2
  • 李东升;杨超伟;韩福忠;郭建华;王向前;姚志健;封远庆;左大凡;王琼芳;李京辉 - 昆明物理研究所
  • 2017-06-30 - 2019-10-08 - H01L31/09
  • 本发明涉及一种红外偏振焦平面器件结构及其制备方法,该器件结构包括去除半导体衬底的红外焦平面器件和亚波长金属线栅;红外焦平面器件中,金属微柱分布在读出电路衬底正面的外围,形成了由具有一定中心距的金属微柱组成的矩形圈或方形圈;亚波长金属线栅中,金属线栅可以对中波红外和长波红外波段的光实现偏振,而且,金属线栅衬底正面的外围有一个由具有一定中心距的铟柱组成的矩形圈或方形圈,并和读出电路上的金属微柱组成的矩形圈或方形圈一一对应,铟柱之间的中心距和读出电路上的金属微柱之间的中心距相同;通过将带有铟柱的亚波长金属线栅和去除半导体衬底的红外焦平面器件进行倒装互连,使得读出电路上的金属微柱插入到亚波长金属线栅上的铟柱内,进而形成稳定结构的红外偏振焦平面器件。
  • 背入射式阵列光电芯片及其电连接结构-201822183940.5
  • 刘宏亮;杨彦伟;邹颜;刘格 - 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
  • 2018-12-25 - 2019-09-17 - H01L31/09
  • 本实用新型提供了一种背入射式阵列光电芯片及其电连接结构,一种背入射式阵列光电芯片,包括多个分光监控单元,每个分光监控单元包括透光槽和光敏区;透光槽向芯片任一表面的方向开口并贯穿芯片的吸收层,光敏区形成于芯片的顶层并一端连接至芯片的吸收层;吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区;以芯片的背面为入光侧,多束入射光射向芯片;每束入射光的一部分从对应的分光监控单元的透光槽透射分出,每束入射光的另一部分进入到对应的分光监控单元的光电转换区内进行光电转换,从而使得该芯片能够对多束入射光分别进行分光和光功率监控;进而使得使用该芯片的光路系统无需使用大量的光分路器,进而大大减小了光路系统的体积和成本。
  • 基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器-201710062850.8
  • 刘正奇;刘桂强;刘晓山 - 江西师范大学
  • 2017-02-03 - 2019-09-06 - H01L31/09
  • 本发明公开了基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器,属于超材料领域。所述吸收器自下而上依次由衬底、金属膜层和半导体超表面结构层组成,所述超表面结构层由半导体颗粒阵列和半导体膜层组成。本发明通过合理设计半导体超表面结构的几何尺寸和晶格周期,可以完全吸收入射到结构表面的电磁波。这种基于半导体超表面的吸收器具有结构简单、近红外波段吸收,并且有三个吸收峰的特点,此外结构中采用的半导体材料作为电磁波吸收功能层不仅克服了传统金属共振单元单一尺寸只能产生单一共振吸收峰的局限而且也便于拓展此类吸收器在光电检测、光电转换、光生电子和热电子产生与收集以及电磁能量吸收等领域的应用前景。
  • 基于石墨烯和耦合光栅的光探测器及其制作方法-201810015572.5
  • 刘启发;王慧慧 - 南京邮电大学
  • 2018-01-08 - 2019-08-23 - H01L31/09
  • 本发明公开了基于石墨烯和耦合光栅的光探测器及其制作方法。本发明结合了石墨烯作为吸收层和耦合光栅作为加强吸收结构的优势,实现高效、高灵敏度和高响应度的光子探测。本发明制备方法采用微纳加工工艺,采用正面或背面的减法或加法工艺,结合石墨烯片上转移或石墨烯片上集成微纳制备的方法,最终实现探测器结构。本发明在探测上可以实现基于金属/石墨烯/金属型(M/G/M)和石墨烯/GaN半导体结型(G/S)原理结构的探测。
  • 优化阻挡杂质带探测器工作温度的方法-201711131881.0
  • 王晓东;王兵兵;陈雨璐;张传胜;张皓星;周德亮;侯丽伟;俞旭辉 - 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
  • 2017-11-15 - 2019-08-16 - H01L31/09
  • 本发明提供的一种优化阻挡杂质带探测器工作温度的方法,包括如下步骤:将阻挡杂质带探测器封装至恒温器中;测得不同工作温度下阻挡杂质带探测器的背景电流IBG随正电极偏压U变化的曲线,并确定探测器的击穿电压UBD;获取背景电流IBG随阻挡杂质带探测器的工作温度T变化的曲线IBG(T);测量得到不同工作温度下阻挡杂质带探测器的黑体响应电流IBB随正电极偏压U变化的曲线;获取黑体响应电流IBB随阻挡杂质带探测器工作温度T变化的曲线IBB(T);根据探测器优值因子随探测器工作温度变化的曲线确定最佳工作温度。本发明对制备的阻挡杂质带探测器进行数据采集及数据处理得到最佳工作温度,进而根据优化后的结果设置阻挡杂质带探测器的工作温度,性能将具有最优值。
  • 一种基于掺杂量子点波长转换的紫外探测系统及方法-201711266040.0
  • 张家雨;袁玉芬 - 东南大学
  • 2017-12-04 - 2019-06-21 - H01L31/09
  • 一种基于掺杂量子点波长转换的紫外探测系统及方法,所述紫外探测系统结构包括封装外壳和依次设置的透镜、带有通光孔的斩波器、小端面涂覆光滑透明掺杂量子点薄膜的光锥、可见光CCD、与所述可见光CCD信号连接的图像处理单元,其中,所述斩波器、所述光锥、所述可见光CCD以及所述图像处理单元设置于所述封装外壳中;所述可见光CCD与所述光锥的大端面紧密耦合。本发明提供的基于掺杂量子点波长转换的紫外探测系统及方法,通过掺杂量子点实现紫外光信号的光谱转换,进而实现紫外图像探测,相比较现有技术,具有系统结构简单、性能稳定、成本较低的特点。
  • 一种快速响应紫外光探测器及制备方法-201710568283.3
  • 周敬然;尹博;阮圣平;刘彩霞;董玮;张歆东;郭文滨;沈亮;温善鹏;张德重;徐睿良 - 吉林大学
  • 2017-07-13 - 2019-06-07 - H01L31/09
  • 一种快速响应紫外光探测器及其制备方法,属于半导体光电探测器技术领域。从下到上由石英片衬底、Ag NPs内部修饰的纳米TiO2薄膜有源层基体、在该有源层基体上制备的Au插指电极组成,待测的紫外光从石英片衬底底部入射。首先采用溶胶凝胶技术制备TiO2溶胶,并在石英衬底上依次制备TiO2薄膜、蒸镀Ag NPs、制备TiO2薄膜,得到Ag NPs内部修饰的纳米TiO2薄膜有源层基体材料;接着进行光刻、磁控溅射、剥离金属在薄膜表面形成插指图案的Au电极。本发明制备的快速响应紫外光探测器采用的工艺简单,而且Ag和TiO2资源丰富,易于大规模生产,能够实现对波长250~350nm的紫外光的优良检测。
  • 一种基于硅光热电效应的光电转换器及其制作方法-201910119771.5
  • 管志强;刘维康;徐红星 - 武汉大学
  • 2019-02-18 - 2019-05-28 - H01L31/09
  • 本发明涉及光电转换技术,具体涉及一种基于硅光热电效应的光电转换器及其制作方法,包括硅纳米结构、电极和衬底;硅纳米结构至少有一个维度的尺寸是1~300纳米,电极与硅纳米结构接触,硅纳米结构设置于衬底之上。硅的纳米结构可以抑制声子的散射过程,降低电子‑声子散射作用,产生同晶格温度脱耦的载流子温度,电学连通的电极同硅的纳米结构形成欧姆接触,以降低肖特基接触导致的光伏效应影响。通过硅纳米结构中光致热载流子的温度梯度来驱动光电响应,通过调控金属/硅电极接触势垒和硅的掺杂极性与浓度来强化光热电效应,通过光‑热‑电多物理场输运仿真,确认了基于硅纳米结构光热电效应的光电转换机制的存在。该转换器能有效提高光电转换效率。
  • 一种双带宽的超导纳米线单光子探测器-201710621411.6
  • 金飚兵;韩诗颖;郑帆;朱广浩;康琳;许伟伟;陈健;吴培亨 - 南京大学
  • 2017-07-27 - 2019-05-17 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种双带宽的超导纳米线单光子探测器,包括衬底、第一布拉格反射镜、硅层、二氧化硅层、氮化铌纳米线和第二布拉格反射镜;第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜中均包含有若干个周期的周期性介质层,且第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜所包含的周期数不同;第一布拉格反射镜设置在衬底的上表面,硅层设置在第一布拉格反射镜的上表面,二氧化硅层设置在硅层的上表面,氮化铌纳米线设置在二氧化硅层内部,第二布拉格反射镜设置在二氧化硅层的上表面。本发明的单光子探测器对G652和G655两种单模光纤所对应波段的光子的光子吸收率均超过95%,具有产业应用价值。
  • 晶须单光子探测器件-201710678394.X
  • 尤立星;李浩;王镇 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;浙江赋同科技有限公司
  • 2017-08-10 - 2019-05-14 - H01L31/09
  • 本发明提供一种晶须单光子探测器件,所述晶须单光子探测器件包括:衬底;功能结构层,所述功能结构层位于所述衬底表面;所述功能结构层至少包括一层晶须。本发明的晶须单光子探测器件使用晶须替代现有超导纳米线单光子探测器件中的超导纳米线,本发明的晶须单光子探测器件即具有现有超导纳米线单光子探测器件的一切功能,同时,晶须具有很好的柔性,具有较高的临界电流密度,且在弯曲和外场强下其临界电流密度不会明显变化,大大提高了晶须单光子探测器件的实用性。
  • 背入射式阵列光电芯片及其制备方法-201811587824.8
  • 刘宏亮;杨彦伟;邹颜;刘格 - 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
  • 2018-12-25 - 2019-04-23 - H01L31/09
  • 本发明提供了一种背入射式阵列光电芯片及其制备方法,一种背入射式阵列光电芯片,包括多个分光监控单元,每个分光监控单元包括透光槽和光敏区;透光槽向芯片任一表面的方向开口并贯穿芯片的吸收层,光敏区形成于芯片的顶层并一端连接至芯片的吸收层;吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区;以芯片的背面为入光侧,多束入射光射向芯片;每束入射光的一部分从对应的分光监控单元的透光槽透射分出,每束入射光的另一部分进入到对应的分光监控单元的光电转换区内进行光电转换,从而使得该芯片能够对多束入射光分别进行分光和光功率监控;进而使得使用该芯片的光路系统无需使用大量的光分路器,进而大大减小了光路系统的体积和成本。
  • 直插式年轮内球头聚光红光传感器-201821464502.X
  • 熊伟;朱艳芳;谢宗武 - 深圳市惠利电子科技有限公司
  • 2018-09-07 - 2019-04-12 - H01L31/09
  • 本实用新型公开一种直插式年轮内球头聚光红光传感器,包括具有底端开口的发射管,所述发射管内从底端开口分别插入相互平行的正极金属支架和负极金属支架,所述负极金属支架上设置有红光芯片,所述正极金属支架的顶端通过金线连接所述红光芯片,所述发射管的顶端为出光面,所述出光面为年轮式设置,所述出光面的中间凸设有半圆形的聚光球头,所述红光芯片对应设置在所述聚光球头的下方,所述红光芯片发出的光均聚集在所述聚光球头的最顶端而曝发出来。本实用新型通过改进后,同样芯片在原来的基础上可以增加拆射出来的光强35%‑45%,且降低了物料生产成本,同时可以使光纤传感器的照射距离更长,敏感度更强。
  • 一种红外探测器及其制备方法-201511031750.6
  • 杨天伦;毛剑宏 - 上海丽恒光微电子科技有限公司
  • 2015-12-31 - 2019-03-26 - H01L31/09
  • 本发明提供的红外探测器及其制备方法中,包括:提供基板,所述基板表面具有反射层;形成牺牲层、接触线、热敏电阻层以及红外吸收层,所述牺牲层分别位于所述反射层与所述热敏电阻层之间以及所述热敏电阻层与所述红外吸收层之间;去除所述牺牲层,在所述反射层与所述热敏电阻层之间以及所述红外吸收层与所述热敏电阻层之间分别形成空腔。本发明中,采用两层牺牲层,最终将两层牺牲层去除,分别在红外探测器中形成两个空腔,增加了红外吸收层的面积,减小红外探测器的热容损失,提高了器件的整体性能。
  • 硅量子点增强的氧化锌紫外探测器-201811186396.8
  • 黄晓敏 - 合肥智慧龙图腾知识产权股份有限公司
  • 2017-04-26 - 2019-03-12 - H01L31/09
  • 本发明提供了一种硅量子点增强的氧化锌紫外探测器,包含:硅基板、氢化非晶硅层、多孔状氧化锌层、孔的内壁上形成硅量子点,形成硅量子后通过溶胶凝胶法在孔内填充氧化锌凝胶,并热处理使多孔氧化锌的孔被氧化锌封闭,形成硅量子点增强的氧化锌光活性层,形成硅量子点增强的氧化锌紫外探测器,能够提升紫外探测器的效率,充分利用照射到的光,使得传感器的灵敏度得到很大的提升。
  • 一种正照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器-201811226467.2
  • 何玮;邵秀梅;李淘;曹高奇;于一榛;杨波;李雪;龚海梅 - 中国科学院上海技术物理研究所
  • 2018-10-22 - 2019-03-12 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种正照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器。本发明改进了传统外延层结构参数,将p型接触层厚度控制到30nm以内,同时引入表面集成绒面抗反膜设计,可以实现可见‑短波红外(0.4μm~1.7μm)宽波段范围的高性能探测。本发明的特点是:第一,突破了传统InGaAs探测器外延层的结构参数,本质上解决了InGaAs探测器在可见波段量子效率低的技术瓶颈;第二,引入绒面抗反膜设计,弥补了传统光学薄膜仅在窄波段特定角度范围内具有良好增透效果的不足,为实现InGaAs探测器宽波段提高量子效率提供了新的途径。
  • 一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法-201710477886.2
  • 毕臻;杨晓东;张进成;张春福;吕玲;林志宇 - 西安电子科技大学
  • 2017-06-20 - 2019-02-19 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法,本发明利用质子束作为辐照源,采用两种不同能量和注量的质子束,先后辐照GaN光电导开关器件,以此获得超快响应特性。制作的GaN光电导开关包括蓝宝石衬底和GaN层,所述GaN层包括AlN成核层、GaN高温缓冲层、i‑GaN层和n‑GaN层,在n‑GaN层上引出Ni/Cr/Au金属电极。本发明采用的质子辐照条件为:质子注量为:1×1011~9×1018/cm2;质子能量为:0.5~10MeV。利用该方法可以明显改善和提高光电导器件的响应特性,制备超快响应照GaN光电导开关器件,可应用于超快光电子学和大功率电磁脉冲产生等领域,具有重大的科学价值和广阔的应用前景。
  • 一种高电阻率的红外探测器及其制备方法-201710516500.4
  • 康晓旭 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2017-06-29 - 2019-02-12 - H01L31/09
  • 本发明提供了一种高电阻率的红外探测器及其制备方法,该红外探测器包括:至少一鳍结构单元,其具有至少一条鳍结构;敏感层,设置在鳍结构单元的侧壁,并且,具有一开口,从而使得敏感层具有两个贴附侧壁的端部,且两个端部不接触;第一电极层和第二电极层分别与两个端部一一连接,并且第一电极层和第二电极层之间互不接触。本发明通过设置垂直侧壁敏感层来提高敏感层电阻率,同时还确保降低光刻对敏感层的影响。
  • 悬挂式红外探测器像元结构及其制备方法-201610602975.0
  • 康晓旭 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2016-07-28 - 2019-02-05 - H01L31/09
  • 本发明提供了一种悬挂式红外探测器像元结构及其制备方法,包括:硅衬底表面的导电金属区,红外探测结构以及与红外探测结构相电连的导电梁结构;导电梁结构具有顶层导电梁和多层导电沟槽;导电沟槽包括:底部与导电金属区接触且顶部位于导电梁结构最顶层的第一导电沟槽,以及底部高于第一导电沟槽底部且顶部位于导电梁结构最顶层的第二导电沟槽;第一导电沟槽的顶部和第二导电沟槽顶部分别与顶层导电梁两端连接;第二导电沟槽的底部与红外探测结构相接触;红外探测结构产生的电信号首先经第二导电沟槽底部传输到第二导电沟槽顶部,再经顶层导电梁传输到第一导电沟槽的顶部,再从第一导电沟槽顶部传输到第一导电沟槽底部进而传输到导电金属区。
  • 基于亚波长光栅的谐振增强型紫外光探测器及制备方法-201611074873.2
  • 范鑫烨;白成林;张霞;房文敬;王欢欢;王秋国 - 聊城大学
  • 2016-11-28 - 2019-02-01 - H01L31/09
  • 本发明提供一种基于亚波长光栅的谐振增强型紫外光探测器及制备方法,该紫外光探测器包括包括衬底、亚波长光栅层、外延层,所述外延层上设有n型接触电极和p型接触电极,所述亚波长光栅层图案为周期性或非周期性光栅图案;利用蓝宝石材料具有较大折射率的特点,获得与CMOS工艺兼容的纳米尺度高折射率差的亚波长光栅;在宽光谱范围内实现高量子效率:利用亚波长光栅的宽光谱光反射特性,使入射光通过吸收区后被亚波长光栅反射,再次通过器件吸收区,实现吸收增强,提高器件的量子效率,同时获得覆盖光纤通信长波长低损耗窗口的宽光谱响应(大于400nm);并且本发明器件及其制备过程成本低,工艺简单,易于实现。
  • 一种便携式石墨烯光电探测器-201820662053.3
  • 黄海芳 - 黄海芳
  • 2018-05-06 - 2019-02-01 - H01L31/09
  • 本实用新型公开了一种便携式石墨烯光电探测器,包括机壳和把手,所述机壳的一侧铰链连接有摆动槽,摆动槽的内部通过铆钉固定有石墨烯光接收板,摆动槽的侧壁通过螺钉固定有探头,探头的内部卡扣连接有石墨烯透明材料,摆动槽的一侧通过螺丝固定有推杆,推杆的另一端通过轴连接有联动杆,联动杆的另一端通过轴连接有工作杆,工作杆嵌入在活动孔的内部,活动孔开设在机壳的两侧,机壳的内壁一侧通过螺丝安装有石墨烯光电转换器,采用石墨烯作为光电探测器的主要材料,石墨烯的具有透明程度高、吸热效果强、导电性强等特点,在应用于光电探测器中可以使用石墨烯来代替大部分材料,其制作成本低,使用效果好。
  • 一种制造热释电红外探测器敏感单元的方法-201810934777.3
  • 游代华 - 游代华
  • 2018-08-16 - 2019-01-15 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种制造热释电红外探测器敏感单元的方法,包括:制备钽酸锂晶片衬底;在钽酸锂晶片衬底的第一表面上形成铬金属薄膜;在铬金属薄膜上形成镍金属薄膜;在镍金属薄膜上形成第一铬镍合金层并刻蚀形成上电极;在钽酸锂晶片衬底的第二表面上形成第二铬镍合金层并刻蚀形成下电极。根据本发明的实施例的方法制造的热释电红外探测器敏感单元的吸收层具有附着牢固、重复性好、吸收波段宽、光谱平坦、吸收率高、比热容小、传热性能优良的优点。同时吸收层可兼做电极,适合作为热释电红外探测器的吸收层。
  • 光敏管-201821176751.9
  • 高智 - 深圳市君天恒讯科技有限公司
  • 2018-07-24 - 2019-01-04 - H01L31/09
  • 本实用新型具体涉及一种光敏管,包括管壳、透光镜、管芯、底件、第一极脚和第二极脚,透光镜安装于管壳的顶端处,管芯安装于底件,底件安装于管壳的底端处,第一极脚连接于底件,第二极脚穿过底件延伸至管壳内并且与管芯相电连接,其中管芯包括依次连接有P型护散层、PN结和N型衬底,P型护散层和N型衬底分别设有保护层和光敏面,光敏面的两侧呈弧形并且光敏面覆盖整体管芯的上表面,光敏面固定有铝电极,铝电极与第二极脚相电连接。本实用新型有益效果是:本结构通过加大光敏面和透光镜面积,使光更容易照射,发射区面积做小,使电流更容易从穿透,使整体的稳定性得到提升。
  • 一种基于光热电转换效应的超高频光子探测器-201811077931.6
  • 宋欢 - 宋欢
  • 2018-09-16 - 2019-01-01 - H01L31/09
  • 本发明公开一种基于光热电转换效应的超高频光子探测器,属于纳米电子器件技术领域,包括锁相放大器、h‑BN透光层、InSe薄膜左Pd电极、InSe薄膜、P掺杂Si基底直流电源VL、P掺杂Si基底Pd电极、石墨屏蔽层直流电源VR、石墨屏蔽层Pd电极、石墨屏蔽层、h‑BN基底、SiO2氧化层、P掺杂Si基底、InSe薄膜右Pd电极,探测器具有暗电流小、精度高、抗干扰性强等优点。在实际探测中,利用器件非对称结构及InSe薄膜的热电性能,在被测光波照射下,通过在石墨屏蔽层及P掺杂Si基底施加不同的电压,可获得不同的温差电势,进而测试出光子能量及波长。
  • 一种热释电器件-201820783390.8
  • 陈威;陈宇龙;李以文;陈锐;程鑫 - 南方科技大学
  • 2018-05-24 - 2018-12-28 - H01L31/09
  • 本实用新型实施例公开了一种热释电器件,该热释电器件包括:第一衬底,第一衬底包括热释电功能区和位于热释电功能区外围的非功能区;层叠设置的第一介电层和第二介电层,第一介电层与第一衬底接触设置,在第一衬底的垂直方向上热释电功能区的投影覆盖的第一介电层和第二介电层之间存在间隙以构成隔热结构,非功能区的投影覆盖的第一介电层和第二介电层直接接触;位于第二介电层上且层叠设置的第一电极、热释电材料层和第二电极,在第一衬底的垂直方向上热释电功能区的投影与热释电材料层交叠。本实用新型实施例中,在第一衬底上采用薄膜工艺形成各膜层,可自主控制热释电器件的厚度;热释电器件的面积较小且成本较低;可以降低震动和应力。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top