[实用新型]多层材料相控阵激光雷达发射芯片及激光雷达有效

专利信息
申请号: 201821960151.1 申请日: 2018-11-27
公开(公告)号: CN209373098U 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 王鹏飞;徐洋;张冶金;于红艳;潘教青;王庆飞;田林岩 申请(专利权)人: 北京万集科技股份有限公司
主分类号: G01S7/481 分类号: G01S7/481;G01S7/484
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 吴会英;刘芳
地址: 100193 北京市海淀区东*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型实施例提供一种多层材料相控阵激光雷达发射芯片及激光雷达,该多层材料相控阵激光雷达发射芯片,包括:第一材料结构层、SOI硅波导结构层和耦合连接结构,第一材料结构层包括:输入耦合器和分束器;输入耦合器与分束器进行光路连接;分束器通过耦合连接结构与SOI硅波导结构层进行光路连接;输入耦合器,用于将输入光耦合到芯片上;分束器,用于对耦合到芯片上的光波进行分束;耦合连接结构,用于将分束后每束光波耦合到SOI硅波导结构层对应的硅波导中;其中,第一材料结构层中的第一材料的非线性系数低于硅的非线性系数,且第一材料为与CMOS工艺相兼容的材料。使得输入到发射芯片里的光功率大幅提高。
搜索关键词: 第一材料 激光雷达 发射芯片 分束器 硅波导结构 输入耦合器 多层材料 耦合连接 结构层 相控阵 非线性系数 光路连接 耦合到 分束 芯片 本实用新型 光波耦合 光波 光功率 硅波导 输入光 兼容
【主权项】:
1.一种多层材料相控阵激光雷达发射芯片,其特征在于,包括:第一材料结构层、SOI硅波导结构层和耦合连接结构,所述第一材料结构层包括:输入耦合器和分束器;所述输入耦合器与所述分束器进行光路连接;所述分束器通过耦合连接结构与所述SOI硅波导结构层进行光路连接;所述输入耦合器,用于将输入光耦合到所述芯片上;所述分束器,用于对耦合到所述芯片上的光波进行分束;所述耦合连接结构,用于将分束后每束光波耦合到所述SOI硅波导结构层对应的硅波导中;其中,所述第一材料结构层中的第一材料的非线性系数低于硅的非线性系数,且所述第一材料为与CMOS工艺相兼容的材料。
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