[实用新型]MOS继电器的接线结构有效
| 申请号： | 201821523859.0 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN208723870U | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 胡广华;刘伟信;郭明星;李子航 | 申请（专利权）人： | 天津隆华瑞达科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 天津展誉专利代理有限公司 12221 | 代理人： | 刘红春 |
| 地址： | 300000 天津市西青区西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种MOS继电器的接线结构，涉及控制电路技术领域，包括：多个MOS开关组成的MOS开关阵列以及耦合在MOS开关阵列中的多个接线端子，接线端子均匀分布在阵列中，以均衡每个MOS开关通过的电流；其中，MOS开关数量与接线端子数量的比值为3。避免了单个端子接线发热严重的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 接线端子 继电器 接线结构 本实用新型 单个端子 控制电路 耦合 接线 发热 均衡 | ||
【主权项】：
1.一种MOS继电器的接线结构，其特征在于，包括：多个MOS开关组成的MOS开关阵列以及耦合在所述MOS开关阵列中的多个接线端子，所述接线端子均匀分布在阵列中，以均衡每个MOS开关通过的电流；其中，MOS开关数量与接线端子数量的比值为3。
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