[实用新型]耐腐蚀高效多晶硅片有效
申请号: | 201821486203.6 | 申请日: | 2018-09-12 |
公开(公告)号: | CN208723846U | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 竺峰;赵国成 | 申请(专利权)人: | 宁波富星太阳能有限公司 |
主分类号: | H02S30/10 | 分类号: | H02S30/10;H01L31/05;H01L31/0216;H01L31/054 |
代理公司: | 北京君恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11466 | 代理人: | 张强;郑黎明 |
地址: | 315032 浙江省宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了耐腐蚀高效多晶硅片。包括多晶硅片本体,多晶硅片本体相对应的两个侧边上分别设置正面电极和背面电极,多晶硅片本体的外侧周向设置防腐保护框,多晶硅片本体上表面由下至上依次设置减反射膜和吸光膜,吸光膜上表面设有横向栅线和纵向栅线;多晶硅片本体底面上设置硼杂质层;防腐保护框顶面上开设槽体,槽体底部设置弹簧,弹簧与滑动连接在槽体内壁上的滑块相连,滑块顶面上设置连杆,连杆上端转动有连接块,连接块头部设置磁铁块,槽体开口处过盈配合橡胶块。本实用新型通过设置防腐保护框来保护多晶硅片,防止其被腐蚀,通过减反射膜和吸光膜来提升光能利用率,通过可弯折的磁铁结构来方便相邻多晶硅片的连接,提升操作效率。 | ||
搜索关键词: | 多晶硅片 防腐保护 吸光膜 本实用新型 减反射膜 耐腐蚀 上表面 槽体 弹簧 滑块 槽体开口处 光能利用率 连接块头部 相邻多晶硅 背面电极 操作效率 槽体内壁 磁铁结构 过盈配合 横向栅线 滑动连接 依次设置 正面电极 周向设置 纵向栅线 磁铁块 可弯折 硼杂质 橡胶块 上端 框顶 转动 腐蚀 | ||
【主权项】:
1.耐腐蚀高效多晶硅片,包括多晶硅片本体,所述多晶硅片本体相对应的两个侧边上分别设置有正面电极和背面电极,其特征在于:所述多晶硅片本体的外侧周向设置有防腐保护框,所述多晶硅片本体上表面由下至上依次设置有减反射膜和吸光膜,在所述吸光膜上表面设有横向栅线和纵向栅线,所述横向栅线和所述纵向栅线交叉连接;所述多晶硅片本体底面上设置有硼杂质层;所述防腐保护框顶面上开设有若干槽体,所述槽体底部设置有弹簧,所述弹簧与滑动连接在所述槽体内壁上的滑块相连,所述滑块顶面上设置有连杆,所述连杆上端端部转动连接有连接块,所述连接块头部设置有磁铁块,同时,所述槽体开口处过盈配合有橡胶块。
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