[实用新型]门极电阻可调整的功率半导体模块有效

专利信息
申请号: 201821378056.0 申请日: 2018-08-24
公开(公告)号: CN208461684U 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 陈嵩 申请(专利权)人: 富士电机(中国)有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫;俞丹
地址: 200062 上海市普陀*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型涉及一种门极电阻可调整的功率半导体模块,具有功率半导体芯片,所述功率半导体芯片的门极与驱动电路相连,所述驱动电路根据被提供的电平信号,调整所述功率半导体模块的门极电阻的大小,其特征在于,所述功率半导体模块具有:测定单元,该测定单元对所述功率半导体模块的开关速度进行测定;以及门极电阻调整单元,该门极电阻调整单元根据所述测定单元的测定值对所述门极电阻进行调整。
搜索关键词: 门极电阻 功率半导体模块 测定单元 功率半导体芯片 调整单元 驱动电路 可调整 本实用新型 电平信号 门极
【主权项】:
1.一种门极电阻可调整的功率半导体模块,具有功率半导体芯片,所述功率半导体芯片的门极与驱动电路相连,所述驱动电路根据被提供的电平信号,调整所述功率半导体模块的门极电阻的大小,其特征在于,所述功率半导体模块具有:测定单元,该测定单元对所述功率半导体模块的开关速度进行测定;以及门极电阻调整单元,该门极电阻调整单元根据所述测定单元的测定值对所述门极电阻进行调整。
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