[实用新型]一种非对称结构集成光学电场传感器有效

专利信息
申请号: 201820867025.5 申请日: 2018-06-05
公开(公告)号: CN208207080U 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 万路;肖勇;张乐平;金鑫;罗鸿轩 申请(专利权)人: 南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心
主分类号: G01R29/12 分类号: G01R29/12
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 罗满
地址: 510663 广东省广州市萝岗区科*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种非对称结构集成光学电场传感器,包括波导基片、设置于波导基片上的光波导及电极结构;光波导包括输入直波导、第一耦合器、上波导、下波导、第二耦合器和输出直波导,所述电极结构设置于所述上波导或所述下波导的两侧;所述上波导与所述下波导的路径长度不同;第一耦合器和第二耦合器均为曲线结构,第一耦合器与输入直波导、上波导和下波导的连接处均为弧形结构,第二耦合器与上波导、下波导和输出直波导的连接处均为弧形结构。本实用新型可以降低整个光波导的传输损耗,以提高传感器的测量精确度。
搜索关键词: 波导 耦合器 光波导 本实用新型 电场传感器 非对称结构 输出直波导 输入直波导 波导基片 电极结构 弧形结构 集成光学 传输损耗 曲线结构 传感器 测量
【主权项】:
1.一种非对称结构集成光学电场传感器,其特征在于,包括波导基片、设置于所述波导基片上的光波导及电极结构;所述光波导包括输入直波导、第一耦合器、上波导、下波导、第二耦合器和输出直波导,所述电极结构设置于所述上波导或所述下波导的两侧;所述上波导与所述下波导的路径长度不同;所述第一耦合器和所述第二耦合器均为曲线结构,所述第一耦合器与所述输入直波导、所述上波导和所述下波导的连接处均为弧形结构,所述第二耦合器与所述上波导、所述下波导和所述输出直波导的连接处均为弧形结构。
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