[实用新型]一种单片集成二维磁矢量传感器

摘要

本实用新型公开了一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺，包括用于检测二维磁场的八个硅磁敏三极管，其中两两硅磁敏三极管之间为并联设置，并分别形成第一磁敏感单元(MSE1)、第二磁敏感单元(MSE2)、第三磁敏感单元(MSE3)和第四磁敏感单元(MSE4)，其中，第一磁敏感单元(MSE1)和第二磁敏感单元(MSE2)沿x轴按相反磁敏感方向设置，形成第一差分测试电路，用于x方向磁场(B_x)的检测；第三磁敏感单元(MSE3)和第四磁敏感单元(MSE4)沿y轴按相反磁敏感方向设置，形成第二差分测试电路，用于y方向磁场(B_y)的检测。所述单片集成二维磁矢量传感器结构简单，实现了二维磁场的检测，芯片实现了小型化和单片集成化。

主权项

1.一种单片集成二维磁矢量传感器，其特征在于，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在第一硅片(1)上设置有用于检测二维磁场的八个硅磁敏三极管，并且，两两硅磁敏三极管之间为并联设置，其中，所述八个硅磁敏三极管分别为硅磁敏三极管一(SMST1)、硅磁敏三极管二(SMST2)、硅磁敏三极管三(SMST3)、硅磁敏三极管四(SMST4)、硅磁敏三极管五(SMST5)、硅磁敏三极管六(SMST6)、硅磁敏三极管七(SMST7)和硅磁敏三极管八(SMST8)，所述硅磁敏三极管一(SMST1)和硅磁敏三极管二(SMST2)并联设置；所述硅磁敏三极管五(SMST5)和硅磁敏三极管六(SMST6)并联设置；所述硅磁敏三极管三(SMST3)和硅磁敏三极管四(SMST4)并联设置；所述硅磁敏三极管七(SMST7)和硅磁敏三极管八(SMST8)并联设置；所述硅磁敏三极管一(SMST1)和硅磁敏三极管二(SMST2)在并联后与集电极负载电阻一(RL1)连接，形成第一磁敏感单元(MSE1)；所述硅磁敏三极管五(SMST5)和硅磁敏三极管六(SMST6)并联后与集电极负载电阻二(RL2)连接，形成第二磁敏感单元(MSE2)；所述硅磁敏三极管三(SMST3)和硅磁敏三极管四(SMST4)在并联后与集电极负载电阻三(RL3)连接，形成第三磁敏感单元(MSE3)；所述硅磁敏三极管七(SMST7)和硅磁敏三极管八(SMST8)并联后与集电极负载电阻四(RL4)连接，形成第四磁敏感单元(MSE4)；所述第一磁敏感单元(MSE1)和第二磁敏感单元(MSE2)沿x轴按相反磁敏感方向设置，形成第一差分测试电路，用于x方向磁场(Bx)的检测；所述第三磁敏感单元(MSE3)和第四磁敏感单元(MSE4)沿y轴按相反磁敏感方向设置，形成第二差分测试电路，用于y方向磁场(By)的检测。