[发明专利]一种电容器用陶瓷介电膜及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201811615194.0 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109608189A 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 陈远强;张易宁;李伟;陈素晶;张祥昕;王维;刘永川;苗小飞;林俊鸿 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C04B35/465 分类号: C04B35/465;H01G4/12
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 聂稻波
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种电容器用陶瓷介电膜及其制备方法和应用。氟掺杂钛酸铜钙介电膜的化学式为CaCu3Ti4O(12‑x)Fx,其中x的范围为0.02~0.2,介电膜的厚度为0.01~30μm。将氧化铜(CuO)、碳酸钙(CaCO3)、二氧化钛(TiO2)、氟化钙(CaF2)和溶剂混合,烘干、预煅烧,制备得到预烧粉料;将预烧粉料造粒、压片、终煅烧,制备得到的氟掺杂钛酸铜钙介电膜。该介电膜具有巨介电常数和低介电损耗等优异性能,且本发明制备工艺简单,一致性高,适合大规模的批量生产。
搜索关键词: 介电膜 制备方法和应用 电容器用 陶瓷介电 钛酸铜钙 氟掺杂 预烧 煅烧 制备 发明制备工艺 低介电损耗 巨介电常数 碳酸钙 二氧化钛 粉料造粒 溶剂混合 优异性能 氟化钙 氧化铜 烘干 粉料 压片 生产
【主权项】:
1.一种氟掺杂钛酸铜钙介电膜,其特征在于,所述氟掺杂钛酸铜钙介电膜的化学式为CaCu3Ti4O(12‑x)Fx,所述x的范围为0.02~0.2,所述氟掺杂钛酸铜钙介电膜的平均厚度为0.01~30μm。
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