[发明专利]消减谐振器的静态电容的方法及装置在审
| 申请号： | 201811551303.7 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111342791A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 庞慰;蔡华林 | 申请（专利权）人： | 天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H5/12 |
| 代理公司： | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人： | 汤雄军 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种滤波器单元，包括：谐振器，具有静态电容；交叉反相模块；和消减模块，其中：所述交叉反相模块与所述谐振器并联；且所述消减模块与所述交叉反相模块并联，用于消减所述谐振器的静态电容。通过消减静态电容，例如可以调节谐振器的等效机电耦合系数和减小损耗。本发明也涉及消减谐振器的静态电容的方法，包括步骤：利用消减模块消减静态电容，消减模块与谐振器交叉反相并联连接且包括消减用电性器件。本发明还涉及一种消减谐振器的静态电容的装置，包括：交叉反相模块；和消减模块，包括消减用电性器件，其中：交叉反相模块与谐振器并联；且减用电性器件与交叉反相模块并联，用于消减静态电容。本发明还涉及具有上述结构的电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 消减 谐振器 静态 电容 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司，未经天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811551303.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种智能折叠式交通轨道装置
- 下一篇：车载无人机操控方法、车机及车辆
- 同类专利
- 压电振动器件制造装置及压电振动器件的制造方法-202280019601.X
- 大室裕史;佐藤隆;大谷浩 - 株式会社大真空
- 2022-06-23 - 2023-10-27 - H03H3/02
- 本发明提供能够将多个压电元件在规定的位置以规定的朝向分别配置到多个保持部件的压电振动器件制造装置及压电振动器件的制造方法。具有使多个吸附头(20)同时往返移动的吸附头移动装置(12)。多个吸附头(20)通过吸附嘴(28)分别吸附压电元件(P)。吸附头用水平移动机构(21)、吸附头用竖直移动机构(24)、吸附头用旋转移动机构(26)中的至少一个基于与多个吸附嘴(28)分别吸附的多个压电元件(P)的位置相关的信息、以及与供给至保持部件供给位置(Sh)的多个保持部件(H)的位置相关的信息，分别独立地单独调整吸附嘴(28)的位置，以能够将多个吸附嘴(28)分别吸附的压电元件(P)分别配置在对应的保持部件(H)。
- 一种空腔型体声波滤波器及其制作方法-202210395776.2
- 郭炜;叶继春;彭贤春;张佳欣 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 2022-04-15 - 2023-10-27 - H03H3/02
- 本发明公开了一种空腔型体声波滤波器及其制作方法，制作方法包括：S1，在衬底的第一面依次通过外延生长得到非掺杂的GaN层和硅掺杂的n‑GaN牺牲层；S2，去掉在预定的谐振区以外的部分，在非掺杂的GaN层和n‑GaN牺牲层获得缓坡结构；S3，沉积底电极，并进行图形刻蚀获得预设的图形，并为n‑GaN牺牲层预留氧化窗口；S4，在底电极依次沉积压电薄膜层、顶电极后，经过图形刻蚀获得需要的图形结构；S5，置入阳极氧化溶液中，将硅掺杂的n‑GaN牺牲层作为阳极，铂电极作为阴极进行阳极氧化，在非掺杂的GaN层与底电极之间形成多孔结构的空气隙；S5，在压电薄膜层、顶电极的表面沉积钝化层。解决了下电极刚性不足，在制备空腔结构中腐蚀液对电极及压电薄膜损伤等问题。
- 一种半导体器件及其制作方法-202210406616.3
- 袁云龙;丁敬秀;王昕;张婷 - 中芯集成电路（宁波）有限公司
- 2022-04-18 - 2023-10-27 - H03H3/02
- 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供晶圆；在所述晶圆上形成质量负载层；在所述质量负载层上形成图案化的光刻胶层；执行干燥处理以去除所述光刻胶层的水汽；以所述图案化的光刻胶层为掩膜对所述质量负载层执行离子束轰击，以形成具有高度差的质量负载层。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，在对质量负载层执行离子束轰击之前，首先对所述质量负载层上形成的图案化的光刻胶层执行干燥处理，以去除所述光刻胶层的水汽，避免了离子束轰击的能量损失在水汽上，形成高度差稳定的质量负载层，改善了滤波器带宽稳定性，提高了器件性能，同时提高了产线良品率。
- 封装结构及具有其的半导体器件、具有半导体器件的电子设备-201811224186.3
- 杨清瑞;庞慰;孙崇玲;张孟伦 - 天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
- 2018-10-19 - 2023-10-27 - H03H3/02
- 本发明涉及一种半导体器件用封装结构，包括粘附层；和至少两个间隔开设置的密封条，其中：所述密封条朝向所述粘附层凸出且适于与所述粘附层抵接。相邻密封条之间可以设置连接梁。本发明还涉及具有该封装结构的半导体器件，该半导体器件包括上述的封装结构；第一基底；第二基底，与第一基底相对布置，其中：所述封装结构设置在所述第一基底与所述第二基底之间，第一基底、第二基底与封装结构围合成容纳空间。本发明还涉及一种具有上述半导体器件的电子设备。
- 一种晶振自动生产方法-202310873716.1
- 宣志超;汪星原;吴兵 - 安徽晶赛科技股份有限公司
- 2023-07-17 - 2023-10-20 - H03H3/02
- 本发明涉及晶片加工技术领域，具体是一种晶振自动生产方法，包括以下步骤：S1、通过点胶工序将晶片固定在基座上；S2、接着通过烤胶工序对安装有晶片的基座进行烘烤，以使胶体凝固；S3、通过微调工序对烘烤完成的晶片进行调整，以使晶片达到目标频率；S4、最后通过封焊工序将盖板焊接在基座上，进而形成完整的晶振工装；本发明能够减少晶振制程的流转时间，从而提升晶振工装的成品率；同时，本发明能够减少制程时间，实现智能传送，保证制程时间的一致性。
- 一种SMD封装的晶振的抗振安装方法-201910344759.4
- 杨东阁;朱红辉 - 江苏华讯电子技术有限公司
- 2019-04-26 - 2023-10-13 - H03H3/02
- 本发明公开了一种SMD封装的晶振的抗振安装方法，包括以下步骤：（1）晶振安装在电路板正面，电路板底面铺铜并在多个位置处露铜，在每个所述露铜点处安装弹簧，弹簧的一端与露铜点焊接，弹簧的另一端固定于基座之上；（2）在弹簧与电路板底面相焊接处、弹簧与基座相连的位置涂抹硅胶后，在整个电路板底面与基座之间填充硅胶泡棉，硅胶泡棉避开弹簧填充，硅胶泡棉与弹簧之间留有间隙。通过使用本发明的SMD封装的晶振的抗振安装方法，可以有效减小电路板的整体振动以及SMD封装的晶振的振动，提高SMD封装的晶振在振动环境下的相位噪声，保证系统的正常工作。
- 柔性电子器件及其制备方法-201810146549.X
- 张孟伦;江源;庞慰;原毅;张林 - 诺思（天津）微系统有限责任公司
- 2018-02-12 - 2023-10-13 - H03H3/02
- 本申请提供了柔性电子器件及其制备方法。柔性电子器件包括：柔性基底，所述柔性基底具有开口向上的空腔或通孔；以及电子器件，位于所述空腔或通孔上方并与所述空腔或通孔对准，其中，所述空腔或通孔的横截面尺寸小于所述电子器件的平面尺寸。该柔性电子器件实现带空腔或通孔的柔性基底和电子器件的稳固连接。
- 一种石英振荡器压封模具-202320654113.8
- 雷四木 - 湖北杰精精密电子科技有限公司
- 2023-03-29 - 2023-10-13 - H03H3/02
- 本实用新型涉及石英振荡器加工技术领域，具体为一种石英振荡器压封模具，包括手啤机，所述手啤机上固定安装有上模芯，所述上模芯的底部固定安装有上模具，所述上模具的内部设置有伸缩机构，所述手啤机上且位于上模芯的下方固定安装有下模座，所述下模座的顶部固定安装有下模具，所述下模具上设置有定位机构。该石英振荡器压封模具，通过注水管往空腔内添加水，开启电热管加热空腔内的水，空腔内部的水体热量通过导入散热翅片到冲头本体底部，从而起到给冲头本体加热，使其进入到外壳口部时，能够将热量传导给外壳口部，从而使外壳口部内的粒子振动幅度加大，使外壳口部胀大，便于开口作业，减少口部撑开过程中开裂的情况发生。
- 集成器件制造方法及相关产品-202010427701.9
- 樊永辉 - 深圳市汇芯通信技术有限公司
- 2019-07-25 - 2023-10-10 - H03H3/02
- 本申请实施例公开了一种集成器件制造方法及相关产品，包括：提供用于制造集成器件的第一外延层、第二外延层和初始晶圆；针对第一外延层、第二外延层执行预设的器件正面(“Frontside”)制造工艺，形成滤波器和功率放大器正面组件；针对滤波器、功率放大器和初始晶圆执行晶圆键合，并完成背面(“Backside”)工艺以得到完整的集成器件；本申请实施例通过将滤波器和功率发大器集成在同一个芯片上，可以减小器件的尺寸，降低制造成本，提高器件的性能。
- 体声波谐振器的封装方法及封装结构-201910656701.3
- 罗海龙;李伟;齐飞 - 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
- 2019-07-19 - 2023-09-29 - H03H3/02
- 本发明提供一种体声波谐振器的封装方法及封装结构，通过在第二衬底上形成具有第二空腔的弹性键合材料层，由此来制作谐振器盖体，然后可以通过这个谐振器盖体上的弹性键合材料层来使得谐振器盖体与谐振腔主体结构直接键合，并使得弹性键合材料层失去弹性，之后可以在谐振器盖体上形成穿通孔以及覆盖在穿通孔内表面上的导电互连层。此种工艺不仅具有低成本、工艺简单以及跟谐振腔主体结构工艺高度相容的特点，不会造成金‑金键合工艺的污染问题，能最大限度地降低对第一空腔的影响，且可以在键合过程中利用弹性键合材料层的弹性来容忍体声波谐振结构在第一空腔外围的区域上具有一定的台阶高度差异，能够保证键合的可靠性和稳定性。
- 晶体振动元件及其制造方法-201880057404.0
- 井田有弥;指崎和彦 - 株式会社村田制作所
- 2018-09-11 - 2023-09-29 - H03H3/02
- 晶体振动元件(10)的制造方法包含：准备晶体片(111)的工序；在晶体片(111)的中央部(117)设置第一激发电极(114a)的工序；作为保护中央部(117)的金属掩模使用第一激发电极(114a)的同时去除周边部(118)的一部分，在晶体片(111)的中央部(117)与周边部(118)之间形成第一侧面(112a)的工序；以及与第一激发电极(114a)接触地设置第一引出电极(115a)的工序，该第一引出电极(115a)向晶体片(111)的周边部(118)延伸。
- 一种薄膜体声波谐振器及其制作方法-201910395470.5
- 王亮;程凯;于洪宇 - 南方科技大学
- 2019-05-13 - 2023-09-26 - H03H3/02
- 本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法，其中薄膜体声波谐振器包括：绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔。本发明实施例提供的技术方案，可提供一种薄膜体声波谐振器的底电极的实现方案，以防止底电极易损坏的问题。
- 薄膜体声谐振器和半导体器件-201910328542.4
- 李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;商庆杰;钱丽勋;李丽 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2019-04-23 - 2023-09-26 - H03H3/02
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声谐振器和半导体器件。该薄膜体声谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和多个横向特征，所述多个横向特征包括多个台阶结构，所述多个台阶结构具有不同的宽度且连续地堆叠在所述上电极层上；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述薄膜体声谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
- 一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法-201910797254.3
- 王亮;程凯;于洪宇 - 南方科技大学;苏州晶湛半导体有限公司
- 2019-08-27 - 2023-09-26 - H03H3/02
- 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器结构及其制备方法。其中，方法包括：提供衬底，在衬底一侧形成缓冲层，在缓冲层上制作牺牲层，在牺牲层上形成第一电极。通过反应磁控溅射的方法在缓冲层、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，在氮化铝层上形成第二电极，去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
- 一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用-201710743907.0
- 李国强;李洁;朱运农;张子辰;刘国荣 - 华南理工大学
- 2017-08-25 - 2023-09-26 - H03H3/02
- 本发明属于声波器件材料的技术领域，公开了一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用。所述低应力状态单晶AlN薄膜包括衬底、生长在衬底上的外延AlN单晶薄膜层、沟槽；所述沟槽设在外延AlN单晶薄膜层上，并将外延AlN单晶薄膜层分隔成若干区域，使得AlN薄膜层覆盖部分衬底；所述外延AlN薄膜层上以及沟槽中设有应力补偿层。所述低应力状态单晶AlN薄膜用于声波器件。本发明通过沟槽将单晶AlN薄膜分割成若干独立的区域和引入补偿层，提高了相关声波器件的品质因数和有效机电耦合系数；并且本发明的单晶AlN薄膜中，补偿层起到了温度系数调节作用，使最终器件的功率容量、稳定特性和可靠性都得到了提高。
- 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法-201910796365.2
- 王亮;程凯;于洪宇 - 南方科技大学;苏州晶湛半导体有限公司
- 2019-08-27 - 2023-09-19 - H03H3/02
- 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。其中，方法包括：提供蓝宝石衬底，并在蓝宝石衬底上制作牺牲层；在牺牲层上形成第一电极；通过反应磁控溅射的方法在蓝宝石衬底、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，其中，氮化铝层在002方向上的摇摆曲线宽度小于1°；在氮化铝层上形成第二电极；去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。
- 三维体声波谐振器及其制造方法-202010314200.X
- 吴明;唐兆云;杨清华;赖志国;王家友 - 苏州汉天下电子有限公司
- 2020-04-20 - 2023-09-19 - H03H3/02
- 本发明公开了一种三维(3D)体声波(BAW)谐振器，包括：压电膜阵列，包括在衬底与盖帽层之间垂直且水平分布的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间具有多个第一空腔，水平的第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平的第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；多个电极层，至少覆盖每个第一空腔的顶面和底面；电极互连层，沿第三空腔侧面依次连接所述多个电极层。依照本发明的3D BAW谐振器及其制造方法，采用CMOS兼容工艺制造了其中多个空腔包围压电膜的立体谐振器，减小了体积、增加了集成度，降低了成本。
- 一种SMD2016晶片的谐振器制造工艺-201811469525.4
- 吴佳斌;王秋贞;匡华强 - 江苏浩都频率科技有限公司
- 2018-11-28 - 2023-09-15 - H03H3/02
- 本发明公开了一种SMD2016晶片的谐振器制造工艺，包括以下步骤：制作基座和上盖→切割晶片→前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库，该SMD2016晶片的谐振器制造工艺中，采用四点点胶工艺，提高了谐振器的稳定性和可靠性；同时结合电极面积越大阻抗越小的特性，又增加了电极尺寸设计以改善阻抗增大的问题，本发明设计合理，适合推广使用。
- 堆栈式体声波谐振器及其制造方法-202010314204.8
- 吴明;唐兆云;杨清华;赖志国;王家友 - 苏州汉天下电子有限公司
- 2020-04-20 - 2023-09-12 - H03H3/02
- 一种堆栈式体声波谐振器及其制造方法，包括压电膜阵列，包括在衬底与盖帽层之间的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间、压电膜与盖帽层之间以及压电膜与衬底之间具有多个第一空腔，水平的第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平的第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；多个电极层，至少覆盖每个压电膜的顶面和底面；多个电极互连层，沿第三空腔侧面连接压电膜底面的电极层；驱动晶体管，位于盖帽层中，驱动晶体管的漏极电连接顶部压电膜的顶部电极层。本发明的堆栈式BAW谐振器及其制造方法，采用CMOS兼容工艺制造了多个空腔包围压电膜的立体谐振器，并利用再布线层将多个芯片接合在一起，减小了体积、增加了集成度，降低了成本。
- 谐振器及其制造方法-201910851524.4
- 唐滨;王家友;王友良;赖志国;唐兆云;杨清华 - 苏州汉天下电子有限公司
- 2019-09-10 - 2023-09-12 - H03H3/02
- 本发明公开了一种谐振器，包括：第一电极，位于基板上；压电层，位于第一电极上；第二电极，位于压电层上；框架，位于第一电极下方或上方和/或第二电极上方或下方，框架的厚度沿垂直方向渐变。依照本发明的谐振器，利用倾斜缓变的框架，以简单的制作工艺高效地提升了FBAR器件的Q值，提高了工艺兼容性和谐振器结构的稳定性。
- 一种石英晶振插片设备-202320144144.9
- 王佳彬;苗洁;侯俊 - 晶宇兴电子科技（三河）有限公司
- 2023-02-07 - 2023-09-08 - H03H3/02
- 本实用新型公开了一种石英晶振插片设备，涉及石英晶振技术领域，包括底座，底座的顶部两侧均安装有支架，支架顶部安装有横梁，横梁的一侧开设有凹槽，凹槽内置有滑动块，滑动块与凹槽滑动配合，凹槽内部设有螺纹轴，螺纹轴的两端通过轴承固定在凹槽端部，且螺纹轴贯穿滑动块，并与滑动块螺纹配合，螺纹轴的一端连接有第一电机，第一电机通过电动机安装架固定在横梁上，滑动块远离横梁的一端连接有安装板，安装板的一侧安装有横板，横板的顶部安装有电动推杆。本申请通过负压泵可控制吸盘将晶振吸附住，并插接到第二置物槽内的晶振底座上，无需通过夹持机构进行夹持插接，放置晶振损坏，提高使用效果。
- 振动元件及其制造方法、物理量传感器、惯性计测装置-202310703026.1
- 小仓诚一郎;山口启一;押尾政宏;山崎隆 - 精工爱普生株式会社
- 2019-01-21 - 2023-09-05 - H03H3/02
- 提供振动元件及其制造方法、物理量传感器、惯性计测装置。该振动元件的特征在于，具有：基部；振动臂，所述振动臂从所述基部起延伸，具有臂部和施重部；以及施重膜，所述施重膜配置在所述施重部上，所述施重部具有处于正反关系的第1主面和第2主面，所述施重部的重心位于比所述臂部的厚度方向的中心面靠所述第1主面侧的位置，所述施重膜的重心位于比所述中心面靠所述第2主面侧的位置。
- 一种带降温段的导电胶的固化方法-202310688649.6
- 辜达元;王武江;翁泽宇;高翔 - 鸿星科技（集团）股份有限公司;浙江工业大学
- 2023-06-09 - 2023-09-05 - H03H3/02
- 本发明公开了一种带降温段的导电胶的固化方法；属于石英晶体谐振器这一技术领域；其技术要点在于：在传统的导电胶固化工艺中引入降温段，从而降低导电胶内部的热冲击，将原本短暂且剧烈的固化反应转变为平缓的固化反应，进而减少由于导电胶内部温度不均匀而引发的内部微细空洞化或是开裂现象。采用本申请的一种带降温段的导电胶的固化方法，能够有效的提高产品的良品率与长期可靠性能。
- 晶体晶片以及晶体振子的制造方法-202310058735.9
- 波夛野真;岩井悠;菊池贤一;岛尾宪治;渡邉彻也 - 日本电波工业株式会社
- 2023-01-18 - 2023-09-05 - H03H3/02
- 本发明提供一种晶体晶片以及晶体振子的制造方法，所述晶体晶片能够减轻操作及搬送时所产生的破裂，能够提升生产性。晶体晶片(10)在外周部(20)的一部分或全部包括双晶化区域(21)。双晶化区域是从晶体晶片的外周向中心至少2mm的区域，所述区域的80％以上经双晶化。在包括双晶化区域的晶体晶片以矩阵状形成用于形成多个晶体振子的外形的耐蚀刻掩模(13)，将所述晶体晶片浸渍于以氢氟酸为主的蚀刻液中而形成所述外形。
- 用于制造薄膜体声波谐振器FBAR滤波装置的方法-202310969496.2
- 王健;邹洁;唐供宾 - 深圳新声半导体有限公司
- 2023-08-02 - 2023-09-05 - H03H3/02
- 本申请提供一种用于制造薄膜体声波谐振器FBAR滤波装置的方法，包括：在压电层的第一表面，形成第一谐振器和第二谐振器各自的第一电极；在第一谐振器的第一电极和第二谐振器的第一电极，形成对应的第一谐振器的第一钝化层和第二谐振器的第一钝化层；在压电层的第二表面，形成第一谐振器和第二谐振器各自的第二电极，第二表面与第一表面相对；对形成的FBAR滤波装置进行射频性能测试；基于射频性能测试的结果，调整第一谐振器的第二电极的厚度；以及在第一谐振器的第二电极和第二谐振器的第二电极，形成对应的第一谐振器的第二钝化层和第二谐振器的第二钝化层。RF性能测试的结果调整电极或钝化层的厚度，提高整个晶圆片的一致性。
- 一种压电层改进型体声波谐振器的制备方法-202310269369.1
- 请求不公布姓名 - 深圳新声半导体有限公司
- 2023-03-15 - 2023-09-05 - H03H3/02
- 本发明提供了一种压电层改进型体声波谐振器的制备方法，该制备方法在形成压电材料层时并不是直接生长在电极层上，而是通过在临时衬底上先生长与其晶格结构和晶格常数非常接近的晶格匹配缓冲层，之后再在晶格匹配缓冲层上生长压电材料层，由于生长的晶格匹配缓冲层和压电材料层的晶格结构以及晶格常数都非常接近，因此在晶格匹配缓冲层上就会生长出很高质量的压电材料层，进而提高体声波谐振器和滤波器的性能。
- 单晶压电薄膜体声波谐振器及其形成方法-201811603819.1
- 庞慰;孙崇玲;杨清瑞;张孟伦 - 天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
- 2018-12-26 - 2023-09-05 - H03H3/02
- 本发明提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器及其形成方法。该形成方法包括：在供体基底之上形成压电结构和底电极，其中底电极在压电结构之上；在转移基底的顶表面形成空腔；将压电结构和底电极脱离供体基底并且倒置转移到转移基底之上，并且其中，倒置转移完毕后底电极在转移基底之上并且覆盖空腔，压电结构在底电极之上；在压电结构之上形成顶电极。该方法简便易行，该谐振器性能良好。
- 三维体声波谐振器及其制造方法-202010314203.3
- 吴明;唐兆云;杨清华;赖志国;王家友 - 苏州汉天下电子有限公司
- 2020-04-20 - 2023-09-05 - H03H3/02
- 本发明公开了一种三维(3D)体声波(BAW)谐振器，包括：压电膜阵列，包括在衬底与盖帽层之间垂直且水平分布的多个压电膜，垂直方向上相邻压电膜之间具有多个第一空腔，水平的第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔，水平的第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔；多个电极层，至少覆盖每个第一空腔的顶面和底面；电极互连层，沿第三空腔侧面依次连接所述多个电极层；多个焊垫，至少部分地插入第三空腔中以电连接各个电极互连层。依照本发明的3DBAW谐振器及其制造方法，采用CMOS兼容工艺制造了其中多个空腔包围压电膜的立体谐振器，减小了体积、增加了集成度，降低了成本。
- 一种圆柱形晶振封装装置-202320596572.5
- 邱振波 - 大晶（广东）电子有限公司
- 2023-03-24 - 2023-09-05 - H03H3/02
- 本实用新型属于晶振封装领域，尤其是一种圆柱形晶振封装装置，针对现有的只对封装上板和封装下板进行了定位，但是没有对封装板和过渡板之间进行定位，在把过渡板放置在封装板上、封装板和过渡板进行翻转时易出现滑动，偏移，导致圆柱形通孔和圆环状盲孔没有一一对齐问题，现提出如下方案，其包括封装主体，封装主体包括有摇床、摇板、封装板、过渡板和隔板，所述摇板设置在摇床上，所述封装板由下板和上板组成，所述隔板放置在下板上，所述上板放置在隔板上，所述过渡板放置在上板上，所述上板上开设有多个通孔，通过第一定位机构可以对摇板和过渡板之间进行定位，通过第二定位机构可以对上板和过渡板之间进行定位，防止在翻转时出现移动。
- 一种体声波谐振器的制备方法和封装方法-202310926926.2
- 梁骥;邹洁;唐供宾 - 深圳新声半导体有限公司
- 2023-07-27 - 2023-09-01 - H03H3/02
- 本发明提供了一种体声波谐振器的制备方法和封装方法，属于体声波谐振器技术领域。本发明首先提供预设结构的前驱体器件，在所述前驱体器件的上表面键合第一晶圆，然后去除所述前驱体器件中的第一衬底，得到待成腔器件；按照第一空腔的形状对第二晶圆进行刻蚀，然后与所述待成腔器件的过渡层键合，或者，将所述待成腔器件的过渡层与第一键合层键合，按照第一空腔的形状对所述过渡层与第一键合层进行刻蚀，然后与第二晶圆键合，或者，按照第一空腔的形状对所述过渡层进行刻蚀，然后与第二晶圆键合，得到成腔器件；将所述成腔器件中第一晶圆去除，得到体声波谐振器。本发明形成谐振空腔时避免使用释放牺牲层的方法，有利于提高产品良率。
- 专利分类
