[发明专利]一种GaAs纳米柱-石墨烯肖特基结太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201811525715.3 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109768111A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张曙光;林永鑫;李国强;温雷 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/07 | 分类号： | H01L31/07;H01L31/0336;H01L31/18;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs纳米柱‑石墨烯肖特基结太阳能电池，由下至上依次包括背电极、GaAs片、GaAs纳米柱、石墨烯层、正电极。所述GaAs纳米柱高度为500‑3000nm,直径为15～100nm。本发明还公开了一种GaAs纳米柱‑石墨烯肖特基结太阳能电池的制备方法。本发明通过生长纳米柱，增大肖特基结的面积，提高光的利用效率，实现太阳能电池高的光电转换效率；本发明的方法简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米柱 太阳能电池 肖特基结 石墨烯 制备 光电转换效率 石墨烯层 背电极 正电极 生长 | ||
【主权项】：
1.一种GaAs纳米柱‑石墨烯肖特基结太阳能电池，其特征在于，由下至上依次包括背电极、GaAs片、GaAs纳米柱、石墨烯层、正电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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