[发明专利]一种能够改善发光质量的发光二极管在审
| 申请号： | 201811525580.0 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326617A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李建华;李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 毋雪 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种能够改善发光质量的发光二极管，包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上；N型半导体层，位于缓冲层上；N型掺杂层，位于N型半导体层上；量子阱发光层，位于N型掺杂层上；电子阻挡层，位于量子阱发光层上；P型掺杂层，位于电子阻挡层上；P型半导体层，位于P型掺杂层上。本发明通过在N型半导体层和量子阱发光层之间加入一层掺杂浓度低于N型半导体层的N型掺杂层，能够有效较低LED器件的电压，从而提高LED器件的发光效率，并在电子阻挡层和P型半导体层之间加入一层掺杂浓度高于P型半导体层的P型掺杂层，使得P型掺杂层能够协助P型半导体层将P型半导体层产生的空穴有效地注入多量子阱发光层，从而进一步提高LED器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能够 改善 发光 质量 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安智盛锐芯半导体科技有限公司，未经西安智盛锐芯半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811525580.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种发光二极管及其制作方法-202310919461.8
- 李家安;陈志豪;常安;戴志祥;李政鸿;林兓兓 - 安徽三安光电有限公司
- 2023-07-24 - 2023-10-27 - H01L33/06
- 本申请提供了一种发光二极管及其制作方法，其中，该发光二极管包括第一半导体层；位于所述第一半导体层上的发光层；位于所述发光层上的低温层；位于所述低温层上的第二半导体层；所述发光层包括叠层设置的量子垒层与量子阱层，以一层所述量子垒层与一层所述量子阱层为一个周期，所述发光层包括≤4个周期的所述量子垒层与量子阱层；所述发光层的厚度为10‑75nm。本申请降低了发光层的周期数及厚度，发光层结合低温层搭配使电子和空穴集中于发光层的量子阱层中，提高发光层二极管的VF4能力。较少的发光层周期数使有效的辐射复合的能隙更收敛，有助于提高发光二极管的发光一致性。
- 发光二极管及发光装置-202311069473.2
- 王瑜;王亚伟;周宏敏;陈志豪;李政鸿;林兓兓 - 安徽三安光电有限公司
- 2023-08-23 - 2023-10-27 - H01L33/06
- 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管及发光装置，所述发光二极管依次包括第一半导体层、V坑开辟层、发光层和第二半导体层。发光层包括第一发光层和第二发光层，第一发光层包括n1个周期的第一量子阱结构，第二发光层包括n2个周期的第二量子阱结构，其中，第一发光层或第二发光层中还包括m个周期的第三量子阱结构，单个周期的第三量子阱结构比位于同一发光层中的其他量子阱结构具有更大的厚度。本发明能有效改善V形坑的质量，降低非辐射复合的几率，保障发光二极管内有效的电子空穴复合效率。
- 一种集成式LED芯片结构及制作方法-202311211984.3
- 陈波 - 昆山麦沄显示技术有限公司
- 2023-09-20 - 2023-10-27 - H01L33/06
- 本申请公开了一种集成式LED芯片结构及制作方法，包括生长衬底；位于所述生长衬底之上设有外延结构，其外延结构从下至上依次包括负极性层、量子阱发光层和正极性层；位于所述外延结构的正极性层之上设有透明导电层；位于所述透明导电层、外延结构的负极性层和生长衬底之上设有第一绝缘层；以及依次设置的第一扩展电极、反射绝缘层、第二扩展电极、有Micro LED芯片、第二绝缘层和焊线电极；本申请通过对芯片结构的重新设计和布局以及提供相应的制作工艺、方法，很好的解决了现有技术中像素点占用面积大，影响显示效果的问题，同时简化了制作工艺，解决了芯片隔离问题，提升了产品的可靠性，提高了生产效率，满足了企业生产需求，提升了企业竞争力。
- 一种发光二极管及其制备方法-201911405564.2
- 王巧;梁锡辉;王君君;贺龙飞;胡金花 - 广东省半导体产业技术研究院
- 2019-12-30 - 2023-10-27 - H01L33/06
- 本申请提供了一种发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管领域。该发光二极管包括逐层连接的衬底、缓冲层、n型半导体层、Al
- 半导体发光元件-202321330710.1
- 高默然;丘金金;董雪振;李森林 - 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
- 2023-05-29 - 2023-10-27 - H01L33/06
- 本实用新型提供了一种半导体发光元件，其从下到上依次包括：衬底、缓冲层、第一型导电层、多量子阱层以及第二型导电层，多量子阱层包括蓝光量子阱层、红光量子阱层和绿光量子阱层，红光量子阱层位于绿光量子阱层靠近第一型导电层的一侧，蓝光量子阱层位于红光量子阱层和绿光量子阱层的两侧。本实用新型中的多量子阱层具有绿光量子阱层、红光量子阱层和蓝光量子阱层，可以直接产生三种发光波长的光，以形成混合白光，相对于激发荧光粉产生的混合白光发光效率更高，相对于采用三种光色LED制造的白光成本更低。
- 深紫外LED芯片及其制造方法-202110651719.1
- 范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;金全鑫;李东昇 - 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
- 2021-06-11 - 2023-10-24 - H01L33/06
- 本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层，P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；多个接触孔，自外延结构的第一表面向第二表面延伸，多个接触孔的底部位于P型半导体层中；以及多个金属纳米层，位于相应接触孔中，金属纳米层与P型半导体层接触。该深紫外LED芯片在接近量子阱层的P型半导体层中设计多个接触孔，并在其中制备金属纳米层实现局域表面等离子激元效应，同时利用P型硅纳米层提供空穴，提升深紫外LED芯片的内量子效率。
- GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-202310864978.1
- 张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-07-14 - 2023-10-20 - H01L33/06
- 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。GaN基发光二极管外延片包括衬底和依次生长于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、第一插入层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其中，所述第一插入层包括依次生长于所述N‑GaN层上的第一AlN层、第一WS
- 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-202310908680.6
- 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-07-24 - 2023-10-20 - H01L33/06
- 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底和依次沉积于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；所述有源层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层；每个所述量子垒层均包括依次层叠的YGaN层、Si掺GaN层和BScN层。实施本发明，可有效提升发光二极管的发光效率。
- 提升载流子匹配度的发光二极管外延片及其制备方法-202310756263.4
- 高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-06-26 - 2023-10-20 - H01L33/06
- 本发明公开了一种提升载流子匹配度的发光二极管外延片及其制备方法，包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和第二半导体层；所述第二半导体层包含依次层叠在所述电子阻挡层上的三维未掺杂BN层、二维N极性InBN层和P型半导体层；所述P型半导体层包括第一子层和第二子层，所述第一子层为周期性交替层叠的第一P型GaN层和第一P型InAlGaN层，所述第二子层为第二P型GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提升多量子阱区域的载流子的匹配度。
- 有源垒层掺Mg的外延结构及制备方法和芯片-202310059892.1
- 吕腾飞;郭园;展望;芦玲 - 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
- 2023-01-17 - 2023-10-20 - H01L33/06
- 本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种有源垒层掺Mg的外延结构及制备方法和芯片，其外延结构包括衬底，以及依次位于其上的缓冲层，未掺杂U型GaN层，GaN层，有源层，p型GaN层及p型接触层；所述有源层从下至上依次为有源阱层和有源垒层交替生长形成，其中，有源垒层包括掺Si有源垒层和至少一层的掺Mg有源垒层。本发明利用阱层和垒层交替层叠而成的有源层结构，并至少在其中一个量子垒中通入一定量的Mg，让有源垒层中的空穴向两侧量子阱中迁移，改善只有后几个阱发光的情况，从而提升内量子效率，提升发光效率。
- 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-202310961331.0
- 郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-08-02 - 2023-10-20 - H01L33/06
- 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；有源层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；每个量子阱层均包括依次层叠的第一WS
- 半导体发光元件-202321330736.6
- 高默然;丘金金;董雪振;李森林 - 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
- 2023-05-29 - 2023-10-20 - H01L33/06
- 本实用新型提供了一种半导体发光元件，其从下到上依次包括：衬底、缓冲层、第一型导电层、多量子阱层以及第二型导电层，多量子阱层包括黄光量子阱层和蓝光量子阱层，且黄光量子阱层位于蓝光量子阱层中间。本实用新型中的多量子阱层具有黄光量子阱层和蓝光量子阱层，可以直接产生两种发光波长，以形成混合白光，相对于蓝光激发荧光粉产生的混合白光，发光效率得到了提高。
- 发光二极管-202310857688.4
- 林文禹;叶孟欣;罗云明;曾建尧;张中英 - 厦门三安光电有限公司
- 2018-05-18 - 2023-10-17 - H01L33/06
- 本发明提供一种发光二极管外延片，其包括N型导通层、多量子阱和P型导通层，多量子阱的至少两个周期结构中每一个周期堆叠顺序为第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为势阱，所述第二子层为势垒，并且所述第一子层的能级带隙Eg1、第二子层的能级带隙Eg2和第三子层的能级带隙Eg3的关系为Eg1Eg2Eg3。额外势垒能提供更好的局限效果，在元件操作时，处于外加偏压情形下所造成的能带倾斜，产生一高带隙势垒的凸出(potential barrier spike),藉由此一特殊能带差异设计，更能防止载流子溢流，增加辐射复合效率，提升亮度。
- 一种发光元件的制备方法及发光元件-202310959597.1
- 请求不公布姓名;徐晓丽;杜治新;徐威;刘芳;孙雷蒙 - 华引芯（张家港）半导体有限公司;华引芯（武汉）科技有限公司
- 2023-08-01 - 2023-10-13 - H01L33/06
- 本发明提供了一种发光元件的制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在衬底上依次生长出N型半导体层、P型半导体层；在P型半导体层的上表面刻蚀电流阻挡孔；在P型半导体层上光刻MESA图形，以形成PN台阶；在所述P型半导体层和所述N型半导体层的表面分别对应光刻出P接触电极图形和N接触电极图形；在所述P接触电极图形和所述N接触电极图形内对应沉积P接触电极和N接触电极；在发光元件的表面沉积一层Al
- 发光二极管外延片及其制备方法-202110305662.X
- 洪威威;王倩;董彬忠;梅劲;张奕 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2021-03-19 - 2023-10-13 - H01L33/06
- 本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在多量子阱层和AlGaN电子阻挡层之间增加复合层，复合层包括依次层叠在多量子阱层上的第一子层、第二子层与第三子层。第一子层中交替层叠的InN层与掺有p型杂质的GaN层，提高GaN层中空穴数量。第二子层包括交替层叠的SiN层与AlN层，提高复合层的质量的同时起到一定的阻挡电子的作用。最后通过生长包括AlGaN层的第三子层，复合层及复合层后的AlGaN电子阻挡层的质量均可以得到提高，进入多量子阱层内的空穴数量也可以得到提高，最终发光二极管的发光效率可以得到大幅度提高。
- 一种高性能的绿光二极管多量子阱结构及其制备方法-201811621402.8
- 董海亮;许并社;贾伟;张爱琴;屈凯;李天保;梁建 - 太原理工大学
- 2018-12-28 - 2023-10-13 - H01L33/06
- 本发明一种高性能的绿光二极管多量子阱结构及其制备方法，属于半导体材料技术领域；所要解决的技术问题是提供了一种晶体质量好、载流子复合几率大、量子发光效率高的势垒内梯度硅掺杂的多量子阱结构及其制备方法；技术方案为：其结构沿生长方向依次为：第一Si渐变掺杂的GaN垒层和多组依次叠置的结构单元，单组结构单元沿生长方向由一个In组分固定的InGaN量子阱层和一个Si渐变掺杂的GaN垒层组成，第一Si渐变掺杂的GaN垒层中Si的掺杂浓度沿生长方向线性递减，单组结构单元中的Si渐变掺杂的GaN垒层中，Si的掺杂浓度沿生长方向线性递减。
- 一种UV LED外延结构及其生长方法-201910866087.3
- 李志聪;曹俊文;戴俊;王国宏 - 扬州中科半导体照明有限公司
- 2019-09-09 - 2023-10-13 - H01L33/06
- 一种UV LED外延结构及其生长方法，涉及LED外延生长技术领域和近紫外UV LED固化技术领域。先在衬底上外延生长缓冲层、非故意掺杂AlGaN层和n型掺杂AlGaN层，然后制作出多量子阱有源层的发光层第一、第二和第三生长区域，并在相应区域内外延生长发光量子阱和发光量子势垒，最后在外延结构上通过光刻工艺刻蚀掉多量子阱有源层第一和第二发光层上的绝缘介质掩膜层，再外延生长电子阻挡层和p型掺杂AlGaN层。本发明达到了在同一LED芯片上制造出三种不同波长的UV光源的目的，可减少UV光源数量和曝光工序，简化封装与应用的工艺制作流程，降低了产品失效率，提高功率密度，改善固化效果。
- 一种发光二极管-202320687536.X
- 蔡家豪;方斌;晏维云;刘加云;林兓兓 - 安徽三安光电有限公司
- 2023-03-31 - 2023-10-13 - H01L33/06
- 本实用新型涉及LED半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管，包括半导体叠层和设置于半导体叠层上的电极结构，还包括电流阻挡层，电流阻挡层设置于半导体叠层上，且被电极结构包覆，电流阻挡层包括外阻挡层和反射层，外阻挡层覆盖于反射层的侧表面，可以提高电流阻挡层对光的反射，有更高的可见光反射率，进而提升LED发光二极管的亮度，发光二极管中间采用反射层使得沉积后膜层外观平坦度高，抗静电性能好。
- 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-202310861200.5
- 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-07-13 - 2023-10-10 - H01L33/06
- 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括Si衬底及依次层叠于所述Si衬底上的复合准备层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和p型GaN层；所述复合准备层包括依次层叠于所述Si衬底上的SiO
- 一种深紫外LED外延结构及其外延生长方法-202310986212.0
- 李超;汪春涛;陈帅;袁光华 - 江西超联半导体科技有限公司
- 2023-08-07 - 2023-10-10 - H01L33/06
- 本发明涉及LED外延结构技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延结构及其外延生长方法。一种深紫外LED外延结构，包括有衬底，衬底一侧依次外延生长的AlN种子层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层；所述AlN种子层是通过外延生长技术参数调控，生长周期性并排分布的金属极性畴区和氮极性畴区，即具有一定图形区域的双极性畴结构。该外延生长利用蓝宝石衬底表面的原子排列和堆叠顺序以及AlN中Al和N原子的不同亲合力，通过控制生长温度、压力、流量等参数，在同一蓝宝石衬底上外延生长金属极性和氮极性周期分布的结构。有效抑制了载流子的局域化，减少了非辐射复合过程；使得内量子效率(IQE)得到大幅提升。
- 一种高光效发光二极管外延片、制备方法及LED-202310562722.5
- 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-05-18 - 2023-10-03 - H01L33/06
- 本发明提供一种高光效发光二极管外延片、制备方法及LED，所述高光效发光二极管外延片包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；所述有源层包括多个交替层叠的量子阱层和复合量子垒层，所述复合量子垒层包括第一量子垒应变补偿子层、第二量子垒应变补偿子层以及第三量子垒应变补偿子层，其中，所述第一量子垒应变补偿子层为InGaN/GaN超晶格层，所述第二量子垒应变补偿子层为AlInGaN层，所述第三量子垒应变补偿子层为BInGaN层，所述InGaN/GaN超晶格层包括多个交替层叠的InGaN层和GaN层，降低量子极化效应。
- LED外延结构及其制备方法-202310784647.7
- 董雪振;毕京锋;李森林;高默然;丘金金;王亚宏;薛龙;廖寅生;赖玉财 - 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
- 2023-06-29 - 2023-09-29 - H01L33/06
- 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下至上依次包括：衬底、底部缓冲层、N型半导体层、发光层以及P型半导体层，其中发光层为垒层和阱层交替生长形成的周期性结构，每个周期中的所述阱层均包括从下至上依次堆叠的In
- 一种LED芯片及其制备方法-202310861182.0
- 刘兆;李敏华;詹宇;李永同 - 江西乾照光电有限公司
- 2023-07-13 - 2023-09-29 - H01L33/06
- 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括衬底和位于衬底一侧依次排布的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层，第二型半导体层背离衬底一侧依次设置有SiO
- 一种发光二极管外延片及制备方法、LED-202311041157.4
- 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-08-18 - 2023-09-29 - H01L33/06
- 本发明提供一种发光二极管外延片及制备方法、LED，该发光二极管外延片包括衬底、及在衬底上依次沉积的第一半导体层、有源层和第二半导体层，有源层包括M个周期性交替层叠的势阱层、及复合势垒层，复合势垒层沿外延方向包括依次层叠的第一极化调控层、第一势垒子层、第二势垒子层、及第二极化调控层，第一极化调控层为Si掺InGaN层，第一势垒子层为BInGaN层，第二势垒子层为BGaN层，第二极化调控层为Si掺GaN层，本发明中的发光二极管外延片，可以解决势阱层与复合势垒层之间晶格失配，导致InGaN势阱层存在巨大压电场的问题，并增强了势垒对注入载流子的限制能力，防止电子溢流现象的发生，有效抑制LED效率droop效应，提高了发光二极管的发光效率。
- 一种深紫外发光二极管及其外延生长方法-202310650737.7
- 张毅;陈圣昌;陈景文;张骏 - 湖北优炜芯科技有限公司
- 2023-06-01 - 2023-09-22 - H01L33/06
- 本发明提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层，其中，本征层包括位错过滤层，位错过滤层为多个第一子层和多个第二子层交替形成的超晶格结构，第一子层采用氮化铝硼作为生长材料，第二子层采用氮化铝作为生长材料；本发明通过在衬底与电子注入层之间的本征层内部设置位错过滤层，且位错过滤层为氮化铝硼与氮化铝交替形成的超晶格结构，该超晶格结构与衬底之间形成镜像力效应，从而使本征层与衬底的接触面产生的位错由于镜像力而弯曲，有效的降低了外延层的位错密度，进而提高了深紫外发光二极管的光输出功率。
- 发光二极管外延片及其制作方法-202310833898.X
- 印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-07-10 - 2023-09-22 - H01L33/06
- 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；第一多量子阱层为第一阱层和第一垒层交替层叠形成的周期性结构；第一阱层为In
- 一种提高发光效率GaN基长波长LED器件结构及生长方法-202211322107.9
- 王小兰;刘国凡;张建立;潘拴;高江东;李丹;杨小霞 - 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
- 2022-10-27 - 2023-09-19 - H01L33/06
- 本发明公开了一种提高发光效率的GaN基长波长LED器件结构及其生长方法，该GaN基长波长LED器件结构包括有源层结构，其中，所述有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱和InGaN/AlGaN/GaN多量子阱。生长InGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于GaN垒层；生长InGaN/AlGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于AlGaN层和GaN垒层，AlGaN层与GaN垒层保持一致。一种有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱结构以及InGaN/AlGaN/GaN多量子阱结构，可减少电子空穴泄露，改善量子阱质量，提高载流子在有源区的辐射复合速率，进而达到实现去除传统P‑AlGaN电子阻挡层以及提高GaN基长波长LED器件发光效率的目的。
- 一种发光二极管及其制备方法-202111651209.0
- 王淑姣;郭园;展望;芦玲 - 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
- 2021-12-30 - 2023-09-19 - H01L33/06
- 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层，发光层包括高温多量子阱层和低温多量子阱层，低温多量子阱层包括第一子层、超晶格结构层和第二子层；超晶格结构层包括呈周期性依次交替层叠设置的AlGaN层、GaN层和AlInGaN层。该发光二极管中的V形坑浅而小，可有效抑制电子泄漏，减缓效率衰减及改善漏电性能；且还可扩大发光横截面积，增加电子空穴的有效交叠，促进载流子在阱间交互，从而提升LED的发光效率。
- 一种II型超晶格全彩微型发光二极管显示芯片-202311069998.6
- 王新强;陈兆营;刘放;盛博文;袁泽兴 - 北京大学
- 2023-08-24 - 2023-09-15 - H01L33/06
- 本发明提供了一种II型超晶格全彩微型发光二极管显示芯片，包括：至少一个芯片单元；所述芯片单元包括：依次排布的第一N型导电层、红光II型超晶格层、第一P型导电层、绿光II型超晶格层、第二N型导电层、蓝光II型超晶格层和第二P型导电层，所述第一N型导电层在最底层，所述二P型导电层在最上层；所述红光II型超晶格层、绿光II型超晶格层和蓝光II型超晶格层由第一半导体材料和第二半导体材料周期排列构成。本发明解决了II型异质结作为发光二极管有源区时电子空穴复合效率较低的问题，扩充了全彩微型发光二极管显示芯片的材料选择范围。
- 一种硅纳米线核壳结构异质结发光二极管及其制备方法-202310853955.0
- 丁本远;吴锂;吴嘉达;孙剑 - 复旦大学
- 2023-07-12 - 2023-09-15 - H01L33/06
- 本发明属于光电子技术领域，具体为一种硅纳米线核壳结构异质结发光二极管及其制备方法。本发明的发光二极管结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、电荷传输层、硅纳米线核壳结构层、掺杂硅衬底(P型或N型)、背面电极。本发明使用硅纳米线和包覆层形成的核壳结构，构成半导体异质结发光二极管，并利用硅纳米线的大比表面积，增大异质结有效结面积，提高电子和空穴的复合几率，从而提高发光二极管的电致发光效率。
- 专利分类
