[发明专利]半导体非挥发性存储元件结构在审
| 申请号： | 201811426110.9 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111223868A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 温文莹;汪台成 | 申请（专利权）人： | 钰成投资股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1156 | 分类号： | H01L27/1156;G11C16/04 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体非挥发性存储元件结构，包含:一第一N型金属氧化物半导体晶体管与一第二N型金属氧化物半导体晶体管，该第一N型金属氧化物半导体晶体管与该第二N型金属氧化物半导体晶体管串联；该第一N型金属氧化物半导体晶体管具有一第一栅极、一第一源极、与一第一漏极，该第一栅极为一控制栅极；该第二N型金属氧化物半导体晶体管具有一第二栅极、一第二源极、与一第二漏极，该第二栅极为一浮动栅极，该第一漏极同时做为该第二源极；其中，该第二栅极的长度小于该第一栅极的长度，且该第二源极与该第二漏极间的距离小于该第一源极与该第一漏极间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 挥发性 存储 元件 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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