[发明专利]一种低毒性反溶剂制备Br基钙钛矿薄膜的方法及其应用在审
申请号: | 201811410408.0 | 申请日: | 2018-11-23 |
公开(公告)号: | CN109686841A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 徐凌波;崔灿;车思远 | 申请(专利权)人: | 浙江理工大学上虞工业技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/50 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 黄欢娣;邱启旺 |
地址: | 312399 浙江省绍兴市上虞区曹*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种低毒性反溶剂制备钙钛矿薄膜的方法。在旋涂多晶钙钛矿薄膜时,通过滴加乙酸乙酯作为反溶剂,加速钙钛矿的结晶,降低材料内部缺陷。并以该种钙钛矿薄膜作为LED器件发光层,实现了发光效率的提升。 | ||
搜索关键词: | 反溶剂 钙钛矿薄膜 低毒性 薄膜 材料内部缺陷 制备钙钛矿 发光效率 乙酸乙酯 发光层 钙钛矿 滴加 多晶 基钙 旋涂 钛矿 制备 应用 | ||
【主权项】:
1.一种低毒性反溶剂制备Br基钙钛矿薄膜的方法,其特征在于:该方法为:在钙钛矿前驱体溶液旋涂过程中滴加反溶剂乙酸乙酯,加热退火后得到钙钛矿薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江理工大学上虞工业技术研究院有限公司,未经浙江理工大学上虞工业技术研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811410408.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择