[发明专利]P型半导体低阻欧姆接触结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811396444.6 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN111223918A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 蒋春萍;谷承艳;林雨;李玉雄;刘峰峰;隋展鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/285 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型半导体低阻欧姆接触结构及其制备方法。所述P型半导体低阻欧姆接触结构包括P型半导体衬底、形成在于所述P型半导体衬底上的金属性的三元过渡金属氮化物薄膜，其中所述的三元过渡金属氮化物薄膜的材质包括TiBN、ZrBN、TiAlN、ZrAlN中的一种。本发明实施例提供的制备方法利用过渡金属氮化物的耐高温性质，提高了P型半导体欧姆接触的热稳定性，这对高功率器件有重要意义；其次，在过渡金属氮化物如TiN、ZrN中引入B、Al元素，提高过渡金属氮化物薄膜的功函数，实现与P型半导体材料的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 欧姆 接触 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 2022-08-29 - 2023-03-14 - H01L29/45
- 一种半导体器件和包括该半导体器件的电子装置，该半导体器件包括：第一源极/漏极结构，包括第一半导体区域和与第一半导体区域电接触的第一电极；第二源极/漏极结构，包括第二半导体区域和与第二半导体区域电接触的第二电极；在第一半导体区域和第二半导体区域之间的沟道；以及栅极结构，包括覆盖沟道的栅极绝缘膜和覆盖栅极绝缘膜的栅电极。第一源极/漏极结构进一步包括在第一半导体区域和第一电极之间的硅化物膜以及在硅化物膜和第一电极之间的导电阻挡物。导电阻挡物包括导电的二维材料。
- 一种半导体器件及其制备方法-202110913394.X
- 王鑫;张栋梁;王东盛 - 华为技术有限公司
- 2021-08-10 - 2023-02-17 - H01L29/45
- 本申请涉及电子器件技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的外延结构；设置在外延结构上的钝化层；以及与所述钝化层并列设置在所述外延结构上的欧姆接触电极；其中，所述欧姆接触电极包括堆叠设置的非接触层和接触层，所述接触层与所述外延结构接触，且所述接触层的构成元素包括钽元素和锗元素。该半导体器件具有较低的欧姆接触电阻。
- 专利分类
