[发明专利]100%γ相PVDF薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201811381606.9 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109694486B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 闫寿科;宋甜甜;孙晓丽;李慧慧 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L27/16;C08K9/02;C08K9/04;C08K3/34 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及100％γ相PVDF薄膜的制备方法，该方法包括：将改性伊利石与PVDF粒料进行第一混合处理，所述改性伊利石是通过将伊利石进行表面活化处理得到的；将第一混合处理产物进行成膜处理；将成膜处理产物进行干燥处理；将干燥处理产物进行熔融处理，以便消除热历史；将熔融处理产物在温度为158～168℃的条件下进行等温结晶处理，以便获得所述γ相PVDF薄膜。该方法可以制备获得100％γ相的PVDF材料，且结晶速率快，效率高，成本低，适于大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 100 pvdf 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种γ相PVDF薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将改性伊利石与PVDF粒料进行第一混合处理，所述改性伊利石是通过将伊利石进行表面活化处理得到的；将第一混合处理产物进行成膜处理；将成膜处理产物进行干燥处理；将干燥处理产物进行熔融处理，以便消除热历史；将熔融处理产物在温度为158～168℃的条件下进行等温结晶处理，以便获得所述γ相PVDF薄膜。
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