[发明专利]阵列基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201811366363.1 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN109300841B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 陈盈惠;杨桂冬;储周硕;日比野吉高;孙学军 申请(专利权)人: 成都中电熊猫显示科技有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 李小波;刘芳
地址: 610200 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种阵列基板的制造方法,包括:在玻璃基板上依次沉积金属层和氧化铟锡ITO层,并进行第一次光刻,以形成包括栅极和存储电容电极的第一层结构;在第一层结构上依次沉积栅极绝缘层、铟镓锌氧化物IGZO半导体层和源漏极金属层,并进行第二次光刻,以形成包括硅岛图形、源极和漏极的第二层结构;在第二层结构上依次形成钝化层和平坦化层,在形成钝化层的过程中使IGZO半导体层形成导体化IGZO,并进行第三次光刻以形成导电过孔;在平坦化层上沉积透明导电薄膜,并进行第四次光刻以形成像素电极,并连通像素电极和导电过孔。本发明提供一种阵列基板的制造方法,仅需四道光罩制程顺序即可实现具有高透过率像素的阵列基板的制作。
搜索关键词: 阵列基板 次光 半导体层 导电过孔 像素电极 层结构 第一层 钝化层 制造 沉积栅极绝缘层 存储电容电极 透明导电薄膜 源漏极金属层 铟镓锌氧化物 沉积金属层 玻璃基板 高透过率 硅岛图形 平坦化层 氧化铟锡 一次光刻 导体化 化层 漏极 像素 源极 制程 沉积 连通 制作
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:在玻璃基板上依次沉积金属层和氧化铟锡ITO层,并进行第一次光刻,以使所述金属层形成栅极和存储电容电极,所述氧化铟锡ITO层位于用于形成所述存储电容电极的金属层的上方;依次沉积栅极绝缘层、铟镓锌氧化物IGZO半导体层和源漏极金属层,并进行第二次光刻,以在形成有源岛的同时,使所述源漏极金属层形成源极和漏极,所述IGZO半导体层包括位于源极和漏极所在的阵列开关区域的第一部分以及位于像素区的第二部分,所述IGZO半导体层的第一部分形成所述有源岛;依次形成钝化层和平坦化层,并在形成所述钝化层的过程中使位于所述像素区的第二部分的所述IGZO半导体层形成导体化IGZO,再进行第三次光刻,以在所述钝化层和平坦化层上形成导电过孔;在所述平坦化层上沉积透明导电薄膜,并进行第四次光刻,以使所述透明导电薄膜形成像素电极,并连通所述像素电极和所述导电过孔,所述导电过孔用于连通所述像素电极和所述漏极;其中,所述导体化IGZO用于和所述像素电极形成部分存储电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都中电熊猫显示科技有限公司,未经成都中电熊猫显示科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811366363.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 柔性有机发光二极管显示装置及面板的制造方法-201610632182.3
  • 刘彦龙;苏俊武;丁杰;李涛 - 西安穿越光电科技有限公司
  • 2016-08-04 - 2019-11-08 - H01L21/77
  • 本发明公开了一种柔性有机发光二极管显示装置及面板的制造方法。柔性有机发光二极管显示装置的制造方法包括:A、形成柔性有机发光二极管显示面板;B、将柔性有机发光二极管显示面板与驱动电路和电源连接;步骤A包括:a1、在柔性基板上设置第一凹洞阵列层和第二凹洞阵列层,第一凹洞阵列层和第二凹洞阵列层重叠;a2、在柔性基板上设置缓冲层,缓冲层的至少一部分填充第一凹洞和第二凹洞;a3、在缓冲层上设置开关器件层;a4、在开关器件层上设置显示器件层;a5、在显示器件层上设置盖板。本发明有效提高柔性有机发光二极管显示面板对弯曲操作或折叠操作的耐受性。
  • 阵列基板的制备方法及显示面板的制备方法-201611046765.4
  • 王梓轩;王飞;宋博韬 - 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
  • 2016-11-23 - 2019-11-05 - H01L21/77
  • 本发明提供一种阵列基板的制备方法和显示面板的制备方法,属于显示技术领域,其可解决现有的平坦化层的干刻工序中不可避免的会损伤到有机膜形貌,造成有机膜的表面粗糙度上升,有机膜层与封框胶的界面因此更容易出现气泡,导致高温高压测试中封框胶松脱的不良发生的问题。本发明的阵列基板的制备方法,包括:在基底上形成有机膜层;形成覆盖周边区域的有机膜层的保护层,以及形成位于显示区域的第一电极;形成平坦化层;形成位于所述显示区域的第二电极,同时去除位于所述周边区域的保护层。
  • 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置-201710184255.1
  • 陈江博;宋泳锡 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-03-24 - 2019-11-01 - H01L21/77
  • 本公开是关于一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。该薄膜晶体管制备方法包括:提供一衬底基板,衬底基板具有相对的第一面以及第二面;在衬底基板的第一面之上形成金属层并对金属层进行构图处理形成源极以及漏极;在金属层之上形成半导体层;在半导体层之上形成第一绝缘区以及栅极;在半导体层以及栅极之上形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成源极引线以及漏极引线;源极引线穿过第二绝缘层和半导体层与源极连接,漏极引线穿过第二绝缘层和半导体层与漏极连接。使用该方法避免半导体层导体化工艺,从而避免出现导体化不均匀现象,使薄膜晶体管的电学特性能提高,且使工艺流程较为简单。
  • 显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法-201611147799.2
  • 楼均辉;吴天一 - 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
  • 2016-12-13 - 2019-10-22 - H01L21/77
  • 本申请公开了一种显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法,其中,阵列基板的制作方法包括:提供第一基板;在所述第一基板表面形成多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管,其中,所述第二薄膜晶体管具有与所述第一薄膜晶体管不同的绝缘阻挡层,以使所述第二薄膜晶体管的阈值电压高于所述第一薄膜晶体管的阈值电压。在利用所述薄膜晶体管形成栅极驱动电路时,可以利用阈值电压较高的第二薄膜晶体管作为所述栅极驱动电路的驱动信号输出薄膜晶体管,从而避免出现由于所述栅极驱动电路的驱动信号输出薄膜晶体管的阈值电压过小而使得所述栅极驱动电路出现输出多脉冲的异常,进而使所述显示面板出现显示异常的问题。
  • 主动阵列基板的制造方法-201611270692.7
  • 卓恩宗 - 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
  • 2016-12-30 - 2019-10-18 - H01L21/77
  • 本发明公开一种主动阵列基板的制造方法,包括:提供基板;形成栅极于基板上;依序形成栅极绝缘层、半导体层及欧姆接触层于所述透明基材及所述栅极上;形成源电极及漏电极于所述欧姆接触层上;形成保护层于所述源电极及所述漏电极上;以及形成像素电极层于所述保护层上,其中所述像素电极层是电性连接于所述漏电极;其中,所述栅极绝缘层包括纳米多孔硅及纳米颗粒,所述纳米颗粒的介电常数大于硅层的介电常数。本发明可实现栅极绝缘层的介电常数可调。
  • 薄膜电晶体基板的制造方法-201510087468.3
  • 李懿庭;王瀞雯 - 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司;瀚宇彩晶股份有限公司
  • 2015-02-25 - 2019-10-18 - H01L21/77
  • 本发明提出一种薄膜电晶体基板的导通孔、像素结构和制造方法,该薄膜电晶体基板的制造方法包含下列步骤:利用微影蚀刻在基板形成第一电极;在所述第一电极和所述基板上依次形成闸极绝缘层和第一光阻层;曝光所述第一光阻层;去除部分所述第一光阻层和所述闸极绝缘层以形成所述第一电极的第一凹槽和所述基板的第二凹槽;在所述第一凹槽、所述第二凹槽和第一区光阻层上依次覆盖像素电极和第二光阻层;以及去除所述第二光阻层、所述第一区光阻层和部分所述像素电极而保留所述第一凹槽和第二凹槽内部的像素电极。
  • OLED显示装置的双层栅极结构的制作方法-201611219662.3
  • 赵瑜 - 武汉华星光电技术有限公司
  • 2016-12-26 - 2019-10-18 - H01L21/77
  • 本发明提供一种OLED显示装置的双层栅极结构的制作方法,提供包括第一曝光区、设于第一曝光区外侧并与其相邻的第二曝光区、及剩余的第三曝光区的半色调掩膜板,利用该半色调掩膜板在第一金属层上形成包括分别对应第一、及第二曝光区的第一、及第二光阻区的第一光阻图案,且第一光阻图案在第一光阻区的厚度大于在第二光阻区的厚度,接着去除第二光阻区的第一光阻图案,以剩余的第一光阻图案为遮挡蚀刻第一金属层形成第一栅极,在后续制程中通过同一道半色调掩膜板在第二金属层上形成位于第一栅极上方且尺寸与第一光阻图案相同的第二光阻图案,并以第二光阻图案为遮挡蚀刻第二金属层,形成位于第一栅极上方的第二栅极,操作简单,生产成本低。
  • 一种阵列基板及其制备方法、显示装置-201710087170.1
  • 宋振;王国英;刘凤娟 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-02-17 - 2019-10-15 - H01L21/77
  • 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可保护有源层免受光照影响,减少器件Vth漂移,保证器件的开关特性。该阵列基板的制备方法包括,在衬底基板上形成依次远离衬底基板的遮光图案层、缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极;采用溅射法或蒸镀法,在真空或惰性气体环境下,以硅作为靶材或蒸发源,在衬底基板上方沉积非晶硅薄膜;非晶硅薄膜的沉积温度范围为15~150℃;对非晶硅薄膜进行构图工艺处理,形成至少位于有源层上方的第一层间绝缘层;第一层间绝缘层上形成有露出有源层上的源极接触区与漏极接触区的通孔;在第一层间绝缘层上方形成通过通孔分别与源极接触区相连的源极、与漏极接触区相连的漏极。
  • 薄膜晶体管、阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置-201610304950.2
  • 宁策;杨维;胡合合 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2016-05-10 - 2019-10-15 - H01L21/77
  • 一种薄膜晶体管和阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。薄膜晶体管的制备方法包括:形成半导体层;对所述半导体层的一区域的表面层进行改性处理,以使所述半导体层的所述区域在沿垂直于所述半导体层的第一方向上的一部分形成蚀刻阻挡层,所述半导体层在蚀刻阻挡层的平行于所述半导体层的表面的第二方向的两侧保留有未被改性处理的部分;以及在所述半导体层上形成源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极形成在所述区域的垂直于所述第二方向的中线两侧,且在所述第二方向上彼此间隔。采用本发明的薄膜晶体管的制备方法,可以有效防止金属蚀刻液腐蚀有源层,提高薄膜晶体管的性能。
  • 阵列基板的制造方法-201811366363.1
  • 陈盈惠;杨桂冬;储周硕;日比野吉高;孙学军 - 成都中电熊猫显示科技有限公司
  • 2018-11-16 - 2019-10-01 - H01L21/77
  • 本发明提供一种阵列基板的制造方法,包括:在玻璃基板上依次沉积金属层和氧化铟锡ITO层,并进行第一次光刻,以形成包括栅极和存储电容电极的第一层结构;在第一层结构上依次沉积栅极绝缘层、铟镓锌氧化物IGZO半导体层和源漏极金属层,并进行第二次光刻,以形成包括硅岛图形、源极和漏极的第二层结构;在第二层结构上依次形成钝化层和平坦化层,在形成钝化层的过程中使IGZO半导体层形成导体化IGZO,并进行第三次光刻以形成导电过孔;在平坦化层上沉积透明导电薄膜,并进行第四次光刻以形成像素电极,并连通像素电极和导电过孔。本发明提供一种阵列基板的制造方法,仅需四道光罩制程顺序即可实现具有高透过率像素的阵列基板的制作。
  • 阵列基板及其制作方法-201710338196.9
  • 邓竹明 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2017-05-15 - 2019-09-27 - H01L21/77
  • 本发明提供一种阵列基板及其制作方法,包括:制作阵列基板的第二金属层,第二金属层由金属薄膜层经第一黄光工艺处理后形成;在第二金属层上覆盖透明电极层。上述阵列基板制作方法及阵列基板,在阵列基板的第二金属层上直接制作透明电极层,通过第二金属层与透明电极层的直接接触实现导通,以减少现有技术中钝化层过孔的制作,从而减少一道黄光制程,以节省成本,提高生产效率。
  • 优化4M制程的TFT阵列制备方法-201710175687.6
  • 刘晓娣 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2017-03-22 - 2019-09-24 - H01L21/77
  • 本发明提供一种优化4M制程的TFT阵列制备方法。该方法包括:步骤10、在第一道光罩制程中,在玻璃基板上制备栅极层,并图形化栅极层;步骤20、在第二道光罩制程中,对光刻胶层进行曝光显影;第一次湿刻,图形化源漏极层;第一次氧气灰化,减少源漏金属层边的有源层拖尾大小;第一次干刻,形成有源层岛状结构;第二次氧气灰化,露出沟道区域的源漏极层;第二次湿刻,图形化源漏极;第三次氧气灰化,减少接触层拖尾;第二次干刻,刻蚀有源层;步骤30、在第三道光罩制程中,制备钝化层并图案化;步骤40、在第四道光罩制程中,制备透明电极层并图案化。本发明可以在原制程基础上,成功在沟道区消除重掺杂残留(减少约0.9um),在不定形硅区减少约1um。
  • 阵列基板的制作方法-201710123695.6
  • 文亮 - 厦门天马微电子有限公司
  • 2017-03-03 - 2019-09-24 - H01L21/77
  • 本申请公开了阵列基板的制作方法,方法包括在衬底基板一侧形成多晶硅层、第一绝缘层、第一光阻层,曝光显影第一光阻层,曝光显影后的第一光阻层具有用于形成P型薄膜晶体管有源区的第一图形结构和用于形成N型薄膜晶体管有源区的第二图形结构;刻蚀第一光阻层、第一绝缘层和多晶硅层,以使多晶硅层具有P型薄膜晶体管有源区结构以及N型薄膜晶体管有源区结构;对多晶硅层进行第一离子注入以形成掺杂的P型薄膜晶体管的重掺杂区和掺杂的N型薄膜晶体管的有源区。本申请实施例提供的方案,减少了使用掩膜版的次数,可以降低生产成本,提高生产效率。
  • 双栅极金属氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构-201710365549.4
  • 孟小龙;张瑞军 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2017-05-22 - 2019-09-24 - H01L21/77
  • 本发明提供一种双栅极金属氧化物半导体TFT基板的制作方法及其结构。该双栅极金属氧化物半导体TFT基板的制作方法根据金属反光增强曝能量的原理,以半色调掩膜板为工具,在半色调掩膜板的半透光区的曝光区域内通过底栅极、源极、与漏极的反光使得不同部位的光阻厚度有差异,并利用光阻厚度的差异来实施相应的图案化处理,能够使得底栅极与源极和漏极完全不重叠,顶栅极与源极和漏极完全不重叠,从而能够减小因底栅极与源极和漏极有重叠或因顶栅极与源极和漏极有重叠所产生的寄生电容,提高TFT器件的稳定性,改善TFT器件的电性。
  • TFT基板的制作方法-201710370203.3
  • 李吉 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2017-05-23 - 2019-09-17 - H01L21/77
  • 本发明提供一种TFT基板的制作方法。该方法通过采用含有可结晶析出的颜料的光刻胶材料形成光刻胶层,使得光刻胶层的表面形成若干毛刺结晶物,进而使得像素电极薄膜无法完全覆盖光刻胶层的表面,剥离液可以通过毛刺结晶物渗透到光刻胶层中对光刻胶层进行腐蚀,从而同时剥离光刻胶层及光刻胶层上的像素电极薄膜,得到像素电极,相比于现有技术,进行离地剥离时无需采用特别的光罩和光罩参数,也不需要进行等离子处理,能够简化TFT基板的制作流程,提升TFT基板的生产效率。
  • 阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法-201610364665.X
  • 林欣桦;高逸群 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2016-05-28 - 2019-09-13 - H01L21/77
  • 本发明提供一种阵列基板,其包括基板、设置于基板上的多个第一薄膜晶体管、多个第二薄膜晶体管以及多个第三薄膜晶体管,第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管包括依次设置于基板上的第一介电层以及第二介电层;第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管;第二薄膜晶体管包括依次设置于基板上的第三介电层;第三薄膜晶体管包括依次设置于基板上的第四介电层,该第一介电层的材质为氮化硅,该第二、第三和第四介电层的材质均为氧化硅。本发明还提供应用该阵列基板的显示装置及该阵列基板的制备方法。第二、第三薄膜晶体管上仅覆盖氧化硅材质的第三介电层和第四介电层,避免氮元素薄膜晶体管的影响。
  • 一种LTPS阵列基板的制造方法-201610206147.5
  • 陈玉霞;贺超 - 武汉华星光电技术有限公司
  • 2016-04-05 - 2019-09-13 - H01L21/77
  • 本发明公开了一种LTPS阵列基板的制造方法,所述LTPS阵列基板至少包括金属遮挡层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层和栅极层。所述制造方法是将金属遮挡层作为栅极层的光罩用以图案化所述栅极层,使所获得的栅极图案的宽度小于所述金属遮挡层的宽度,并且所述栅极图案的垂直投影完全落入所述金属遮挡层范围内。在本发明中,通过利用所述金属遮挡层作为光罩图案化所述栅极层,节省了栅极金属光罩的制作成本,从而节省了LTPS生产制作成本并简化了生产制程。
  • 栅极驱动单元及其制作方法、栅极驱动电路-201611253204.1
  • 徐向阳 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2016-12-30 - 2019-09-10 - H01L21/77
  • 本发明公开了一种用于制作栅极驱动单元的方法、栅极驱动单元和栅极驱动电路。其中,栅极驱动单元的制作方法包括:在第二金属层上形成光阻层;利用半色调掩膜版对光阻层进行曝光和显影;判断是否执行烧光阻步骤;在判断出执行烧光阻步骤时,采用烧光阻工艺去除光阻层上对应半色调掩膜版的半透光区域的光阻,采用蚀刻工艺蚀刻掉第二金属层上未被光阻覆盖的金属,并灰化剩余光阻,得到第一金属图案;在判断出不执行烧光阻步骤时,采用蚀刻工艺蚀刻掉第二金属层上未被光阻覆盖的金属,并灰化剩余光阻,得到第二金属图案。
  • 阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置-201710236527.8
  • 叶路路;姚磊;张凯;史大为;高娜娜;张盼盼 - 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
  • 2017-04-12 - 2019-09-06 - H01L21/77
  • 本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置,用以减少显示装置多个亮点和暗点的发生。制备方法包括提供一衬底基板,在衬底基板上形成有源层,在有源层朝向衬底基板或背离衬底基板的一侧形成栅极层,在有源层背离衬底基板的一侧形成层间介质层,沿远离衬底基板方向形成的层间介质层包括第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层,第一膜层和第三膜层包括氧化硅层,第二膜层和第四膜层包括氮化硅层;形成位于层间介质层上的光刻胶层;形成从层间介质层延伸至有源层的过孔;形成位于层间介质层背离衬底基板一侧的源、漏极层,在形成源、漏极层的同时去除层间介质层中未被源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层。
  • 一种Micro LED显示面板及其制备方法、显示装置-201910449557.6
  • 孙明晓;乔明胜;李潇 - 青岛海信电器股份有限公司
  • 2019-05-28 - 2019-09-03 - H01L21/77
  • 本发明公开了一种Micro LED显示面板及其制备方法、显示装置,用以解决在巨量转移时需要识别Micro LED芯片的电极,转移效率低的问题。本发明Micro LED显示面板,包括基板和形成基板上呈阵列分布的Micro LED芯片,Micro LED芯片包括一本体、第一电极、第二电极,本体的一个侧面形成有凸起部以形成台阶结构,第一电极设置于台阶结构的台阶面上,第二电极设置于凸起部的顶面;基板的一表面形成有凹槽,且凹槽的底面形成有凹陷;凹槽的底面形成有第一金属层,凹陷的底面形成有第二金属层;Micro LED芯片的凸起部嵌入于基板的凹陷中,且第一金属层与第一电极贴合,第二金属层与第二电极贴合。
  • 柔性面板的制作方法、柔性面板及显示装置-201611219101.3
  • 王东方;苏同上 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2016-12-26 - 2019-09-03 - H01L21/77
  • 一种柔性面板的制作方法、柔性面板以及显示装置。该柔性面板的制作方法包括:在衬底基板上形成变形材料层;在变形材料层远离衬底基板的一侧形成柔性面板本体;驱动变形材料层以使其形状改变并与衬底基板至少局部分离,并且变形后的变形材料层的形状包括至少一个弯曲部;以及剥离衬底基板。由此,该柔性面板的制作方法可通过驱动变形材料层变形来大大降低柔性面板和变形材料层与衬底基板之间的结合力,从而可使衬底基板很容易剥离,从而得到柔性面板。另外还可避免剥离时力量太大而导致的柔性面板损伤,从而可提高柔性面板的良率。
  • 薄膜晶体管阵列基板制备方法-201910494699.4
  • 张合静 - 北海惠科光电技术有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
  • 2019-06-10 - 2019-08-30 - H01L21/77
  • 本申请涉及一种TFT阵列基板制备方法,包括:在基底上形成栅极和覆盖栅极的绝缘层;在绝缘层上形成源极和漏极,源极与栅极的正投影不重叠,漏极与栅极的正投影不重叠;形成金属氧化物半导体,金属氧化物半导体覆盖源极和漏极之间的绝缘层并向两侧延伸至相邻的源极和漏极上;在金属氧化物半导体上形成光阻,光阻与栅极的正投影重叠,且栅极在金属氧化物半导体上的正投影的边界与光阻的正投影的边界重合;使金属氧化物半导体与酸性刻蚀剂反应,增强未被光阻覆盖的金属氧化物半导体的导电能力;去除光阻形成钝化层。通过上述制备方法形成的TFT阵列基板,源栅之间和漏栅之间不会产生寄生电容,且源漏之间的阻抗较小,保证了TFT的开态电流。
  • 阵列基板、阵列基板制造方法及液晶显示屏-201611215026.3
  • 韦显旺;刘洋 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2016-12-23 - 2019-08-20 - H01L21/77
  • 本发明提供一种阵列基板及其制造方法,所述阵列基板包括基板,依次形成所述基板表面的栅极、栅极绝缘层、沟道层、绝缘层及钝化层,所述栅极绝缘层上还设有构成沟道层的氧化物半导体层及与氧化物半导体层间隔设置的多个第一IPS电极;所述绝缘层覆盖所述氧化物半导体层及多个第一IPS电极,所述钝化层覆盖所述沟道层并形成有沟槽,所述沟槽位于每个第一IPS电极一侧间并延伸至所述栅极绝缘层上;所述钝化层上形成与第一IPS电极对应的第二IPS电极,所述第二IPS电极与所述第一IPS电极连接。本发明还提供一种液晶显示屏。
  • 制作LTPS TFT基板的方法-201910274244.1
  • 林钦遵 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2019-04-08 - 2019-08-09 - H01L21/77
  • 本发明提出一种制作LTPS TFT基板的方法,包括:提供一基板,在所述基板上形成一缓冲层,在所述缓冲层上形成一图案化多晶硅有源层;形成覆盖所述图案化多晶硅有源层的一栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成具有阶梯状结构的金属层;以具有阶梯状结构的金属层为遮蔽层,对所述图案化多晶硅有源层进行离子植入,得到沟道区域、轻掺杂区域、重掺杂区域。
  • 发光面板的制备方法、发光面板及显示装置-201910333662.3
  • 谭志威 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2019-04-24 - 2019-08-09 - H01L21/77
  • 本申请公开了一种发光面板的制备方法、发光面板及显示装置,该方法包括:提供一基板,在所述基板上形成第一金属层;对所述第一金属层做氧化处理以使在所述第一金属层上形成一氧化层;在所述氧化层上形成光阻层;对所述光阻层、所述氧化层及所述基板做图案化处理并剥离图案化的所述光阻层;在所述氧化层上依次形成第一钝化层、色阻层、第二钝化层及氧化铟锡薄膜。以使在使用的金属线为铜导线时,在干刻蚀时避免产生较多副产物。
  • 一种LED阵列基板及其制备方法、显示装置-201710758637.0
  • 胡月;施槐庭;廖金龙 - 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
  • 2017-08-29 - 2019-08-09 - H01L21/77
  • 本发明提供一种LED阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可解决发光功能层与基板的对位精度高的技术难题。所述LED阵列基板的制备方法,包括:在第一基板上形成至少一组电极组,所述电极组包括至少三个等间距设置的第一电极;在磁场作用下,控制所述电极组移动至一个像素区域,且每个所述第一电极位于所述像素区域的一个子像素区域中;在形成有所述第一电极的第一基板上形成对应每个所述第一电极的发光功能层;将所述第一基板上的所述发光功能层以及所述第一电极转移至第二基板上,使所述发光功能层与位于所述第二基板上子像素区域的第二电极一一对应并接触,形成LED。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top