[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811321007.8 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN111162043B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 曹宇;倪景华;任飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和多个分立于衬底上的鳍部；对鳍部进行切断处理，形成切口，切口底面与衬底表面齐平，或者低于衬底表面；在切口中形成隔离结构，且隔离结构顶面低于鳍部顶壁；在未被隔离结构覆盖的切口侧壁上形成绝缘层；在隔离结构上以及绝缘层上形成第一栅极结构；在鳍部上形成第二栅极结构，第二栅极结构横跨鳍部，第二栅极结构覆盖鳍部的部分顶壁和部分侧壁；在第二栅极结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂层。第一栅极结构与源漏掺杂层和鳍部之间也不会形成泄露通道，也就是说第一栅极结构与源漏掺杂层和鳍部之间不会出现漏电流的情况，优化了半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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