[发明专利]硫钴镍包覆的镍钴合金纳米片阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201811236584.7 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109585182B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 施伟东;杨庆军 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/46;H01G11/40;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及超级电容器技术领域。特指硫钴镍包覆的镍钴合金纳米片阵列的制备方法。本发明采用碳布为基底，来生长Co基的金属有机骨架化合物作为前驱体，通过水热方法生成空心的镍钴双金属层状氢氧化物纳米片阵列，再通过煅烧的方法将镍钴双金属层状氢氧化物转化为镍钴合金阵列，最后进行水热硫化形成了碳布上原位生长的硫钴镍包覆的镍钴合金纳米片阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 硫钴镍包覆 合金 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.硫钴镍包覆的镍钴合金纳米片阵列的制备方法，其特征在于，采用碳布为基底，来生长Co基的金属有机骨架化合物作为前驱体，通过水热方法生成空心的镍钴双金属层状氢氧化物纳米片阵列，再通过煅烧的方法将镍钴双金属层状氢氧化物转化为镍钴合金阵列，最后进行水热硫化形成了碳布上原位生长的硫钴镍包覆的镍钴合金纳米片阵列。
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