[发明专利]非挥发性存储器结构及其制造方法有效

申请号：	201811220344.8	申请日：	2018-10-19
公开（公告）号：	CN111009529B	公开（公告）日：	2022-08-19
发明（设计）人：	王俊扬;廖宏魁;刘振强;何政宇	申请（专利权）人：	力晶积成电子制造股份有限公司
主分类号：	H01L27/11568	分类号：	H01L27/11568;H01L27/11582;H01L21/762
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台湾新竹***	国省代码：	台湾;71
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摘要：	本发明公开一种非挥发性存储器结构及其制造方法，其中该非挥发性存储器结构的制造方法包括：在基底内形成瓶状沟槽，其中所述瓶状沟槽具有邻接所述基底表面的颈部与连接所述颈部的瓶身部，所述颈部的宽度小于所述瓶身部的宽度；进行第一离子注入制作工艺，以于所述瓶身部的底部的所述基底内形成源极区；在所述瓶状沟槽的内表面形成电荷存储层；在所述瓶状沟槽内形成瓶状栅极；以及进行第二离子注入制作工艺，以于所述颈部旁的所述基底内形成漏极区。
搜索关键词：	挥发性存储器结构及其制造方法
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摘要：提供了一种半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：具有第一部分和第二部分的沟道层，所述第一部分和所述第二部分在纵向方向上延伸；栅极层叠结构，其围绕沟道层的第一部分；第一导电类型的第一半导体层，其接触沟道层的第二部分；以及第二导电类型的第二半导体层。

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摘要：本公开涉及半导体存储器件和包括其的数据存储系统。该半导体存储器件包括：基板；在第一方向上堆叠的栅电极；穿透栅电极的沟道结构；在基板上且在栅电极下面的水平导电层；分隔区域，穿透栅电极和水平导电层并在第一方向和第二方向上延伸；覆盖栅电极的单元区域绝缘层；以及在分隔区域和单元区域绝缘层上并具有与分隔区域重叠的开口的上支撑层。每个分隔区域包括在沟槽中的接触导电层和第一分隔绝缘层，并具有在开口下面的第一区域和与第一区域交替的第二区域。接触导电层在第一区域中与基板接触，并在第二区域中通过第一分隔绝缘层与基板间隔开。

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摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底具有存储区及非存储区，在所述衬底上依次形成遂穿氧化层、氮化层及牺牲氧化层，并在所述存储区的所述牺牲氧化层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀除去所述非存储区上的所述牺牲氧化层及所述氮化层；除去所述光刻胶层；除去所述存储区上的所述牺牲氧化层的至少部分厚度及所述非存储区上的所述遂穿氧化层。在所述牺牲氧化层上形成所述光刻胶层，避免所述光刻胶层涂覆及去胶过程中对所述氮化层造成的损伤，进而避免影响所述氮化层对电荷的存储能力。

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摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底，所述衬底具有存储区、选择区及外围逻辑区，所述存储区位于所述选择区及所述外围逻辑区之间；遂穿氧化层，位于所述存储区的衬底上；氮化层，位于所述遂穿氧化层上；阻挡氧化层，包括第一部分及第二部分，所述第一部分位于所述选择区及所述外围逻辑区的所述衬底上，所述第二部分位于所述氮化层上，本发明中所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度，满足器件对选择区及外围逻辑区上的阻挡氧化层厚度要求的同时，保证所述存储区上的所述阻挡氧化层具有较薄的厚度，以避免所述存储区上纵向电场强度的降低，进而保证半导体器件的可靠性。

用于鳍状场效晶体管的硅氧氮氧硅存储器单元及形成方法-202110266360.6
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摘要：本发明公开一种用于鳍状场效晶体管的硅氧氮氧硅存储器单元及其形成方法，其中该用于鳍状场效晶体管的硅氧氮氧硅存储器(silicon‑oxide‑nitride‑oxide‑silicon,SONOS)单元，包含有一鳍状结构、一控制栅极、一电荷补陷层以及一金属选择栅极。鳍状结构位于一基底的一顶面上，其中鳍状结构具有二侧壁以及一顶面，且鳍状结构包含一存储器区以及一逻辑区。控制栅极设置于存储器区的鳍状结构上，并覆盖鳍状结构的顶面以及二侧壁。电荷补陷层夹置于鳍状结构以及控制栅极之间。金属选择栅极设置于邻近控制栅极的鳍状结构上，并覆盖鳍状结构的顶面以及二侧壁。

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发明人：杨柏峰;刘逸青;杨世海;王奕;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/11568
摘要：提供了一种集成电路。该集成电路包括三维存储器器件、第一字线驱动电路和第二字线驱动电路。三维存储器器件包括分别沿列方向延伸的堆叠结构。每个堆叠结构包括字线的堆叠。堆叠结构具有位于第一侧的第一阶梯结构和位于第二侧的第二阶梯结构。字线延伸到第一和第二阶梯结构的台阶。第一字线驱动电路和第二字线驱动电路位于三维存储器器件下方，且分别沿第一侧和第二侧延伸。每个堆叠结构中的一些字线从第一阶梯结构布线到第一字线驱动电路，每个堆叠结构中的其他字线从第二阶梯结构布线到第二字线驱动电路。

存储器装置和该存储器装置的制造方法-202111121448.5
发明人：崔元根;张晶植;金场院;朴美性 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/11568
摘要：提供了一种存储器装置和该存储器装置的制造方法。该存储器装置包括：设置在基板上的第一栅极层叠结构和第二栅极层叠结构；以及狭缝，其设置在第一栅极层叠结构和第二栅极层叠结构之间以将第一栅极层叠结构和第二栅极层叠结构彼此电隔离。

非挥发性存储器结构及其制造方法-201811220344.8
发明人：王俊扬;廖宏魁;刘振强;何政宇 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L27/11568
摘要：本发明公开一种非挥发性存储器结构及其制造方法，其中该非挥发性存储器结构的制造方法包括：在基底内形成瓶状沟槽，其中所述瓶状沟槽具有邻接所述基底表面的颈部与连接所述颈部的瓶身部，所述颈部的宽度小于所述瓶身部的宽度；进行第一离子注入制作工艺，以于所述瓶身部的底部的所述基底内形成源极区；在所述瓶状沟槽的内表面形成电荷存储层；在所述瓶状沟槽内形成瓶状栅极；以及进行第二离子注入制作工艺，以于所述颈部旁的所述基底内形成漏极区。

半导体器件的制备方法-201811057277.2
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/11568
摘要：本申请涉及一种半导体器件的制备方法，其包括：提供待刻蚀目标；在待刻蚀目标的表面依次形成第一掩膜层、第一抗反射层及第二掩膜层；在包含氮气的反应气体中，将第二抗反射层形成在第二掩膜层的表面；在第二抗反射层的表面形成光刻胶掩膜图案；使用光刻胶掩膜图案作为蚀刻掩膜，以在第一抗反射层上形成第一中间掩膜图案；在第一抗反射层及第一中间掩膜图案上形成介质层；将第一抗反射层上除侧墙之外的其他部分蚀刻，以形成第二中间掩膜图案；使用第二中间掩膜图案作为蚀刻掩膜，蚀刻第一抗反射层及第一掩膜层，以在待刻蚀目标上形成目标图案。这样设计可缓解光刻胶与第二抗反射层发生低膜存留现象的情况，保证了半导体器件制备过程中的优良率。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]非挥发性存储器结构及其制造方法有效

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