[发明专利]一种微波分离富集半导体性单壁碳纳米管的方法在审
| 申请号： | 201811212460.5 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109573985A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 官轮辉;吴初新;缪育明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C01B32/17 | 分类号： | C01B32/17 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及单壁碳纳米管分离提纯的技术领域，特别是一种分离富集半导体性单壁碳纳米管的方法。将原始的固相单壁碳纳米管完全润湿，使水分子充分达到每根单壁碳纳米管表面，然后在微波辐射下选择性地与金属性SWCNT发生剧烈地氧化刻蚀反应，直至反应停止，最终在短时间内实现了宏量的高纯的半导体性单壁碳纳米管的分离富集。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体性单壁碳纳米管 单壁碳纳米管 分离富集 润湿 分离提纯 微波辐射 金属性 水分子 高纯 刻蚀 微波 | ||
【主权项】：
1.一种微波分离富集半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于，通过微波辐照完全润湿的单壁碳纳米管，快速地选择性刻蚀除去其中的金属型单壁碳纳米管，得到半导体型单壁碳纳米管。
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