[发明专利]基于硒化钨薄膜沟道结构的光纤法珀超敏气体传感器有效

专利信息
申请号: 201811131211.3 申请日: 2018-09-27
公开(公告)号: CN109164050B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 曹忠旭;袁中野;姚佰承;吴宇;饶云江 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01N21/31 分类号: G01N21/31;G01N21/45
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于传感领域,具体涉及基于硒化钨薄膜沟道结构的光纤法珀超敏气体传感器。本发明采用成熟稳定的传感原理,结合光学、超材料学科和微纳加工的先进工艺,在单模光纤端面集成硒化钨‑金电导结构,依靠硒化钨的物理吸附与电可调特性,通过调制硒化钨所加电压实现气体分子的吸附与释放。兼顾了传感器的响应速度和灵敏度,同时该器件尺寸微小,热稳定性良好,传感功耗较小:该传感器的响应时间仅为电化学气体传感器的千分之一,灵敏度可达传统光学气体传感器的1000倍以上,传感功耗低至100纳瓦。该传感器可直接集成于全光系统,实现全光网络的高速信息传感。
搜索关键词: 基于 硒化钨 薄膜 沟道 结构 光纤 法珀超敏 气体 传感器
【主权项】:
1.基于硒化钨薄膜沟道结构的光纤法珀超敏气体传感器,包括镀膜单模光纤、硒化钨‑单模光纤和石英毛细管,其特征在于:所述镀膜单模光纤有两根,为单模光纤一端镀介质薄膜,在1550纳米波段大于95%反射率的单模光纤;所述硒化钨‑单模光纤,为一端镀有金膜的单模光纤,以≥10微米的沟道宽度贯通去除单模光纤纤芯部分的金膜,使得金膜分为两段,然后插入到硒化钨薄膜上,最终使硒化钨薄膜贴附到单模光纤端面后,与两段金膜形成硒化钨‑金电导结构;以硒化钨‑单模光纤居中,镀膜单模光纤位于两端,镀膜端面向中的方式,插入石英毛细管中,石英毛细管既作为法珀腔准直、封装结构,又作为气体微流通道;其中硒化钨‑单模光纤的镀膜端与对应的介质薄膜‑单模光纤镀膜端不接触,构成一个1~3毫米的空气隙,该空气隙部分的石英毛细管设有空气孔,空气隙结构作为气体分子的微流通道,两镀膜单模光纤构成法珀微腔;硒化钨‑单模光纤和两根介质薄膜‑单模光纤间的光路准直。
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