[发明专利]集成电路后端半定制设计高效RDL设计方法有效
| 申请号： | 201811118424.2 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109460569B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 徐靖 | 申请（专利权）人： | 嘉兴倚韦电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 程开生 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市平湖市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路后端半定制设计高效RDL设计方法，包括以下按步骤：步骤S1：基于RDL设计需求进行芯片全局规划。步骤S2：基于步骤S1中的芯片全局规划结果进行最终RDL设计数据的生成。本发明公开的集成电路后端半定制设计高效RDL设计方法，其有益效果在于，通过设置RDL设计步骤、RDL数据整合步骤、RDL数据检查步骤，确保最后流片成功，避免无效工作和减少设计迭代次数，缩短整个芯片设计周期。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 后端 定制 设计 高效 rdl 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路后端半定制设计高效RDL设计方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：基于RDL设计需求进行芯片全局规划；步骤S2：基于步骤S1中的芯片全局规划结果进行最终RDL设计数据的生成。
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