[发明专利]基于天线直接匹配的锗硅异质结双极晶体管探测器有效
| 申请号： | 201811094111.8 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109405860B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 孙鹏林;傅海鹏;张齐军;马建国 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01D5/40 | 分类号： | G01D5/40 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于天线直接匹配的锗硅异质结双极晶体管探测器，有第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管，第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管的基极分别连接天线，第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管的发射极均接地，第一锗硅异质结双极晶体管的集电极通过第一四分之一波长微带线至输出端，第二锗硅异质结双极晶体管的集电极通过第二四分之一波长微带线至输出端，第一锗硅异质结双极晶体管的基极和第二锗硅异质结双极晶体管的集电极之间连接第电容，第二锗硅异质结双极晶体管的基极和第一锗硅异质结双极晶体管的集电极之间连接第电容，天线中的直流偏置走线连接直流偏置电压。本发明增加了探测器的输出响应度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 天线 直接 匹配 锗硅异质结 双极晶体管 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种基于天线直接匹配的锗硅异质结双极晶体管探测器，包括有用于探测的第一锗硅异质结双极晶体管(B1)和第二锗硅异质结双极晶体管(B2)，其特征在于，所述的第一锗硅异质结双极晶体管(B1)和第二锗硅异质结双极晶体管(B2)的基极分别连接用来接收太赫兹波信号的天线(1)，所述的第一锗硅异质结双极晶体管(B1)和第二锗硅异质结双极晶体管(B2)的发射极均接地，所述第一锗硅异质结双极晶体管(B1)的集电极通过第一四分之一波长微带线(W1)至输出端(S)，所述第二锗硅异质结双极晶体管(B2)的集电极通过第二四分之一波长微带线(W2)至输出端(S)，所述第一锗硅异质结双极晶体管(B1)的基极和第二锗硅异质结双极晶体管(B2)的集电极之间连接第电容(C1)，所述第二锗硅异质结双极晶体管(B2)的基极和第一锗硅异质结双极晶体管(B1)的集电极之间连接第电容(C1)，所述天线(1)中的直流偏置走线(13)连接直流偏置电压(V)。
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