[发明专利]光伏电池片制备方法在审
申请号: | 201811081040.8 | 申请日: | 2018-09-17 |
公开(公告)号: | CN110931594A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 程雪原;张飞;杨雪梅;周彬;衡阳;郑旭然;王栩生 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/05;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供光伏电池片制备方法,其包括如下步骤:在硅片表面设定若干狭长型的主栅电极印刷区;在所述主栅电极印刷区内制备凹坑;利用图像采集装置识别所述凹坑的位置,并确认导电浆料的印刷位置;将导电浆料印刷于所述主栅电极印刷区内,以形成主栅电极。本发明通过在硅片表面的主栅电极印刷区内形成凹坑,作为相机识别的定位点,使得相机能迅速定位硅片表面的主栅电极印刷区,从而保障导电浆料能精准的印刷在主栅电极印刷区内,大大降低了电极偏移的问题,改善了光伏电池片的品质。 | ||
搜索关键词: | 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的