[发明专利]一种手征特异材料界面附近二能级原子自发辐射率计算方法在审
| 申请号： | 201811054381.6 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109273057A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 王驰;曾然;侯金鑫;陈芳芳;张猛;胡淼;李齐良 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G16C20/30 | 分类号： | G16C20/30;G16C10/00 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了手征特异材料界面附近二能级原子的自发辐射率的计算方法，该方法包括如下步骤：第一步：建立手征特异材料界面的模型；第二步：确定边界和初始条件；第三步：求得电磁波从普通介质入射到手征特异材料界面的反射系数；第四步：求得此模型下二能级原子的并矢格林函数和自发辐射率。本发明能够准确地分析手征特异材料界面附近二能级原子的自发辐射特性，能够准确地反映出原子距离界面的距离、原子的偶极方向以及手征参数对原子自发辐射率的影响，并可计算和分析辐射模式和消逝模式的自发衰减对总的原子自发辐射率的贡献，来确定手征特异材料各参数对自发辐射的影响的根本原因，进而用以调控原子自发辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 自发辐射 特异材料 能级 手征 初始条件 计算和分析 反射系数 辐射模式 根本原因 原子距离 电磁波 格林 偶极 入射 衰减 调控 分析 | ||
【主权项】：
1.一种手征特异材料界面二能级原子自发辐射率计算方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：建立手征特异材料界面的模型；S2：确定边界和初始条件；S3：计算电磁波从普通介质入射到手征特异材料界面的反射系数；S4：计算此模型下二能级原子的并矢格林函数和自发辐射率。
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