[发明专利]反光膜、光伏组件及反光膜制作方法在审

专利信息
申请号: 201811052528.8 申请日: 2018-09-10
公开(公告)号: CN110896106A 公开(公告)日: 2020-03-20
发明(设计)人: 王同心;殷镭城;许先华;薛群山;沈一春 申请(专利权)人: 中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/049;H01L31/18
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 苏广秀;徐丽
地址: 226009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种反光膜,所述反光膜由下至上依次包括粘结层、基底层、结构层、反光层及保护层,所述结构层包括底座和设置于所述底座上的多个平行排列的微结构,所述保护层包括上表面和下表面,所述上表面为平整,所述保护层下表面的形状与所述反光层的形状匹配,以使所述保护层能够完全盖设于所述反光层的表面,所述保护层为透明层且覆盖所述微结构和设置在所述微结构上的所述反光层。本发明提供的反光膜,可避免反光膜下层受到阳光直射加速老化,降低反光层表面划痕,同时避免反光层受到酸、水汽和氧气的腐蚀,提高反光膜的使用寿命。本发明还提供一种应用所述反光膜的光伏组件以及该反光膜的制作方法。
搜索关键词: 反光 组件 制作方法
【主权项】:
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  • 2023-08-15 - 2023-10-13 - H01L31/0216
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法,太阳能电池包位于硅基底一侧的钝化隧穿结构包括第一钝化隧穿层和第二钝化隧穿层;第一钝化隧穿层设置有第一开口,第一开口露出部分硅基底,第二钝化隧穿层位于第一开口内;第一钝化隧穿层和第二钝化隧穿层不接触;第一掺杂膜层位于第一钝化隧穿层远离硅基底一侧,并且第一掺杂膜层设置有第二开口,第二开口覆盖第一开口;第二掺杂膜层位于第二钝化隧穿层远离硅基底的一侧;电极结构,包括第一电极和第二电极;第一电极位于第一掺杂膜层远离第一钝化隧穿层的一侧,第二电极位于第二掺杂膜层远离第二钝化隧穿层的一侧。通过设置硅基底同侧且相互隔离的钝化隧穿层提升太阳能电池的转换效率。
  • 一种抗WiFi干扰芯片的加工方法及芯片结构-202310791072.1
  • 廖世容;况诗吟;叶瑾琳 - 浙江光特科技有限公司
  • 2023-06-29 - 2023-10-13 - H01L31/0216
  • 本发明公开了一种抗WiFi干扰芯片的加工方法,所述方法包括:在芯片表面上生长出厚度为#imgabs0#的SiNx;通过采用光刻以及刻蚀的方法得到所需要的图形,再进行扩散使之形成P型层;在P型层上生长0.2‑3微米厚度的SiO2介质层,对SiO2介质层进行第二次蚀刻处理;在第二次蚀刻后的芯片表面生长0.1‑0.5微米厚度的SiNx增透膜,并对SiNx增透膜进行第三次蚀刻处理;在第三次蚀刻后的芯片表面生长出P型电极层,对P型电极层进行金属剥离后得到金属图案,再在芯片表面沉积抗干扰金属层,最后对芯片背面进行研磨减薄并在减薄后的芯片背面沉积N型电极层。应用本发明实施例,简化了芯片结构。
  • 太阳能电池及其制造方法-202110735496.7
  • 肖和平;朱迪;朱志佳 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2021-06-30 - 2023-10-13 - H01L31/0216
  • 本公开提供了一种太阳能电池及其制造方法,该太阳能电池包括:基板和依次层叠于所述基板上的反射镜层、p电极层、p型欧姆接触层、电池层、n型AlGaInP层、n电极层和抗反射层;所述电池层包括依次层叠于所述p型欧姆接触层上的GaInAs电池层、第一隧穿结、GaInAsP电池层、第二隧穿结、GaAs电池层、第三隧穿结、AlGaAs电池层、第四隧穿结和AlGaInP电池层。本公开能降低太阳能电池的入射面的反光率且使得更多的入射光被吸收并转化,以改善太阳能电池的光电转换效率。
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