[发明专利]一种针对革兰氏阴性菌的纳米杀菌方法有效
| 申请号： | 201811041504.2 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN108812694B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 胥传来;王伟炜;匡华;徐丽广;马伟;刘丽强;吴晓玲;宋珊珊;胡拥明 | 申请（专利权）人： | 江南大学;无锡迪腾敏生物科技有限公司 |
| 主分类号： | A01N59/02 | 分类号： | A01N59/02;A01N59/00;A01P1/00;C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 时旭丹;张仕婷 |
| 地址： | 214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种针对革兰氏阴性菌的纳米杀菌方法，属于材料化学领域。本发明称取适量的碲粉与硼氢化钠溶于水中反应作为前驱体。取适量氯化镉和L‑半胱氨酸溶于水中，加热至沸后加入前驱体，充氮气反应，纯化后在其表面修饰能特异性吸附在革兰氏阴性菌的菌膜上的多肽KRKKRKKRK（PCNP）。将所得合成材料与细菌共培养后，用低功率激光光照，即可达到特异性杀死革兰氏阴性菌的目的。本发明采用在碲化镉量子点表面修饰具有特异性吸附在革兰氏阴性菌表面的多肽和手性分子后，经手性光照具有产生活性氧的能力以及酶剪切活性，有利于破坏革兰氏阴性菌的菌膜，最终使其死亡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 针对 革兰氏 阴性 纳米 杀菌 方法 | ||
【主权项】：
1.一种针对革兰氏阴性菌的纳米杀菌方法，其特征是步骤如下：（1）反应容器的前处理：将反应瓶用王水浸泡24‑28h，洗净，晾干；（2）前驱体的制备：称取适量的碲粉与硼氢化钠溶于水中，通氮气3‑5h，作为前驱体；（3）修饰：取适量氯化镉和L‑半胱氨酸溶于水中，将pH调为12，加热至沸后加入4mL步骤（2）制备的前驱体，充氮气反应3‑5h，纯化后在其表面修饰能特异性吸附在革兰氏阴性菌的菌膜上的多肽KRKKRKKRK，即PCNP；（4）培养灭菌：将步骤（3）合成所得材料与细菌共培养2h后，用低功率405nm激光光照30min，即可特异性杀死革兰氏阴性菌。
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