[发明专利]一种霍山米斛的种植方法在审

专利信息
申请号: 201811040218.4 申请日: 2018-09-07
公开(公告)号: CN109006438A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 潘华章;胡船森;周心亮 申请(专利权)人: 潘华章
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00
代理公司: 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126 代理人: 陈思聪
地址: 315300 浙江省宁波市慈*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种霍山米斛的种植方法,包括以下步骤:1)选苗;2)基质;3)基地处理;4)栽种;5)定植管理:做好病虫害的定期检查,平时注意清除基地中杂草和落叶,在米斛生长的旺盛期,用浓度40~50%的沼液或腐熟农家肥清液每5天对植株根部雾化喷洒1次,连续75~90天,期间干旱无雨每周对植株根部雾化喷水2~3次,上午11点以前进行;6)收获。本发明收获的米斛品质优良,既保证了米斛的品质,又大大提高了米斛的产量,保持米斛自然生长的特性和良好的遗传稳定性,防止物种退化,种植后基本无需大量人工干预,大大减少了劳力和人工费用,种植技术易于掌握、投资少、成本低,有利于大面积推广应用。
搜索关键词: 植株根部 种植 腐熟农家肥 遗传稳定性 定期检查 定植管理 基地处理 人工费用 人工干预 雾化喷洒 雾化喷水 自然生长 收获 基质 清液 选苗 沼液 落叶 病虫害 杂草 栽种 退化 物种 干旱 生长 基地 保证 投资
【主权项】:
1.一种霍山米斛的种植方法,其特征在于,包括以下步骤:1)选苗:选择根系发达、苗体健壮的幼苗,在密闭大棚中对幼苗进行组织营养培育,通过散光对棚内照射,选择培育较好的大苗;2)基质:对基质高温处理以杀死有害微生物和病虫卵,再对基质进行发酵处理,所述基质分为上下两层,下层基质为碎石块,上层基质由小石子、瓜子片和松树皮组成;3)基地处理:将已添加好基质的基地进行田间规划,在基地的基质上均匀铺洒细粉,所述细粉由蚕沙加工的粉末,在基质上刨出小坑;4)栽种:将在大棚中培养的米斛苗或者野外采集的米斛大苗的根部植入小坑中,适量洒水,保持基地的湿度为70~80%;5)定植管理:做好病虫害的定期检查,平时注意清除基地中杂草和落叶,在米斛生长的旺盛期,用浓度40~50%的沼液或腐熟农家肥清液每5天对植株根部雾化喷洒1次,连续75~90天,期间干旱无雨每周对植株根部雾化喷水2~3次,上午11点以前进行;6)收获:选择栽种3~4年的生长状况良好的米斛,采出其老茎,保留当年新茎和上年花茎,进行培育幼苗和留种。
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