[发明专利]一种嵌入纳米金颗粒的纳米多孔金薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201810993279.6 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109192537A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 侯莹;杨云强;章海霞;闫晓丽;张华;赵鹏宇;郭俊杰 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/48 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 申艳玲 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入纳米金颗粒的纳米多孔金薄膜及其制备方法。上述薄膜包括一个复合薄膜材料的结构单元；所述复合薄膜材料的结构单元包括由下而上顺次层叠排列的纳米多孔金薄膜层、聚吡咯层以及嵌入到聚吡咯层中的纳米金颗粒。其制备方法为：步骤一：制备纳米多孔金薄膜；步骤二：制备聚吡咯/纳米多孔金复合薄膜；步骤三：制备嵌入纳米金颗粒的纳米多孔金薄膜。本发明制备的嵌入纳米金颗粒的纳米多孔金薄膜电极具有超高比电容和出色的循环稳定性；非平衡金掺杂的方法明显改善了聚吡咯的电子电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米多孔金薄膜 制备 纳米金颗粒 嵌入 复合薄膜材料 聚吡咯层 聚吡咯 电子电导率 纳米多孔金 循环稳定性 层叠排列 复合薄膜 比电容 非平衡 金掺杂 电极 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入纳米金颗粒的纳米多孔金薄膜，其特征在于：包括一个复合薄膜材料的结构单元；所述复合薄膜材料的结构单元包括由下而上顺次层叠排列的纳米多孔金薄膜层、聚吡咯层以及嵌入到聚吡咯层中的纳米金颗粒。
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