[发明专利]利用微下拉法生长稀土晶体光纤的优化方法有效

专利信息
申请号: 201810966173.7 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN109402736B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 薛冬峰;孙丛婷;潘婷钰 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B29/34;C30B15/08;C30B15/20
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵
地址: 130022 吉*** 国省代码: 吉林;22
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了微下拉法中稀土晶体光纤生长速率的计算方法,包括以下步骤,首先依据结晶生长的化学键合理论,确定稀土晶体的热力学生长形态;然后基于上述步骤得到的稀土晶体的热力学生长形态,确定与轴向生长方向相对应的径向生长方向,及生长界面处的各向异性化学键合结构;再基于上述步骤得到的生长界面处的各向异性化学键合结构,参照式(I),计算稀土晶体沿轴向的各向化学键合能量密度和沿径向的各向化学键合能量密度;最后基于上述步骤得到的稀土晶体沿轴向和径向的各向化学键合能量密度,计算得到稀土晶体光纤的生长速率,如式(II)所示。
搜索关键词: 利用 下拉 生长 稀土 晶体 光纤 优化 方法
【主权项】:
1.微下拉法中稀土晶体光纤生长速率的计算方法,其特征在于,包括以下步骤,1)依据结晶生长的化学键合理论,确定稀土晶体的热力学生长形态;2)基于上述步骤得到的稀土晶体的热力学生长形态,确定与轴向生长方向相对应的径向生长方向,及生长界面处的各向异性化学键合结构;3)基于上述步骤得到的生长界面处的各向异性化学键合结构,参照式(I),计算稀土晶体沿轴向的各向化学键合能量密度和沿径向的各向化学键合能量密度;其中,为沿[uvw]方向生长的化学键合能;Auvw为生长基元沿[uvw]方向的投影面积;duvw为晶体沿[uvw]方向的台阶高度;4)基于上述步骤得到的稀土晶体沿轴向和径向的各向化学键合能量密度,计算得到稀土晶体光纤的生长速率,如式(II)所示;其中,m为坩埚中稀土晶体的质量,r为坩埚底毛细孔的半径,r1为从毛细管中心到管壁的物理距离,r2为从毛细管中心到边界层的距离,l为坩埚底端毛细管的长度,t为单位时间,D为晶体光纤的直径,Rfiber为直径为D的晶体光纤生长速率;(Ebond/Auvwduvw)radial为稀土晶体沿径向方向的化学键合能量密度;(Ebond/Auvwduvw)axial为稀土晶体沿轴向方向的化学键合能量密度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春应用化学研究所,未经中国科学院长春应用化学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810966173.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种汞基硝酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用-202310948893.1
  • 张弛;齐鲁;吴超 - 同济大学
  • 2023-07-31 - 2023-10-27 - C30B29/22
  • 本发明涉及一种汞基硝酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用,该晶体材料的化学式为A2Hg(NO3)4,其中,A=K或Rb,分子量分别为526.83和619.57,属于四方晶系,其空间群为I‑42m(No.121),晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#α=β=γ=90°,Z=2。本发明所述的非线性光学晶体K2Hg(NO3)4和Rb2Hg(NO3)4在1064nm激光照射下的粉末倍频效应分别约为KH2PO4(KDP)晶体的9.2和8.8倍,且均能实现相位匹配。此外,该晶体材料具有较宽的透光波段,物化性能稳定,机械硬度适中,易于生长等优点,在激光频率转换、光信息存储、电光调制等光电转化领域具有重要的应用价值。
  • 粉末催化材料、含其的铁基复合催化剂和含SiO2-202310670553.7
  • 栾景飞;王一纯;马冰冰;刘文露;钮博文;郝亮;李俊;肖杨 - 长春师范大学
  • 2023-06-06 - 2023-10-24 - C30B29/22
  • 本发明公开采用固相烧结方法、水热合成方法、微波合成方法、微乳液方法、溶剂热方法、溶胶凝胶方法和直接沉淀方法制备ZnDy2MoO7单晶粉末催化材料,用于光催化降解农药废水中的有机污染物;以及公开铁基复合催化剂(氧化石墨烯‑Fe3O4/ZnDy2MoO7粉末催化材料)和含SiO2气凝胶多孔复合催化剂(SiO2‑ZnDy2MoO7多孔纳米催化材料)的制备方法,用于光催化降解农药废水中的有机污染物。本发明所述的催化材料不仅能去除农药废水中的有机污染物,还能去除有机物中总有机碳。
  • 一种钒铌酸铽钇磁光晶体及其制备方法-202111095669.X
  • 陈新;郑安琪;陈霞;卢舒映;胡晓琳;庄乃锋 - 福州大学
  • 2021-09-18 - 2023-10-13 - C30B29/22
  • 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的钒铌酸铽钇磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Tb3‑xYxNb1‑yVyO7,其中x=0.1~1.0,y=0.10~0.25。该晶体属立方晶系,空间群为Fm‑3m。本发明制得的磁光晶体具有高对称性,光学、磁学性能优良,晶体场作用较强等优点,能产生较好的磁光性能。此外,该磁光晶体为一致熔融化合物,生长温度为1850~2000℃,可采用中频感应提拉法生长,工艺简单、周期短,能够实现大规模低成本的批量生产,应用前景广阔。
  • 一种单晶富锂材料及其制备方法和储能装置-202310815969.3
  • 焦思晨;王磊;禹习谦;李泓 - 中国科学院物理研究所
  • 2023-07-05 - 2023-10-10 - C30B29/22
  • 本发明实施例涉及一种单晶富锂材料的制备方法和储能装置,单晶富锂材料的化学通式为Li1+xMnyM1‑x‑yO2‑fTf,0<x≤0.5,0<y≤1‑x,0≤f<2;M包括Mn、Ni、Co、Al、Fe、Ru、Nb、Cr、Ti、Ir、V、Ca、Sc、Cu、Zn、Sr、Y、Zr、Ta、La、Ce、Pr、Nd、W、Mo中的一种或多种;T包括F、S、P、N中的一种或多种;制备方法包括:准备尖晶石相化合物;将尖晶石相化合物与含锂化合物混合得到混合物;然后将混合物置于氧化性气氛下进行高温煅烧,得到具有{111}或者{111}和{001}晶面暴露的单晶富锂材料颗粒;其中,含锂化合物中的锂与所述尖晶石相化合物的摩尔比为0.2:1‑3:1,高温煅烧的温度范围为300‑1000℃,煅烧的保温时间为6‑24h。
  • 一种超高镍三元单晶正极材料及其制备方法-202310831750.2
  • 陆俊杰;赵云虎;秦锦;张新龙 - 南通瑞翔新材料有限公司
  • 2023-07-07 - 2023-10-03 - C30B29/22
  • 本发明公开了一种超高镍三元单晶正极材料及其制备方法,涉及锂离子电池技术领域。本发明提供的制备方法首先将镍钴锰三元前驱体NixCoyMn1‑x‑y(OH)2加入预氧化溶液中,充分反应后进行后处理,获得预氧化前驱体NixCoyMn1‑x‑y(OH)3,然后对预氧化前驱体与锂盐进行第一烧结处理,得到三元单晶半成品;再将三元单晶半成品与包覆料混合后进行第二烧结处理,得到超高镍三元单晶正极材料。本发明利用预氧化溶液将镍钴锰三元前驱体中的二价镍氧化至更高价态,使得在后续与锂源固相反应之前就已经基本是三价状态,可以减少二价镍的产生,从而抑制“锂镍混排”的不利影响,提高正极材料的容量性能。
  • 一种醇类聚合物辅助生长高质量CsPbBr3-202310878475.X
  • 孙馨愉;张腾;朱士慧;王泰霖 - 中国石油大学(华东)
  • 2023-07-18 - 2023-09-29 - C30B29/22
  • 本发明公开了一种将聚乙二醇(PEG)作为添加剂辅助生长全无机CsPbBr3钙钛矿单晶的方法。以PEG作为溶液法生长单晶的添加剂,可以有效避免CsPbBr3单晶在生长过程中出现的爆发性形核及生长孪晶、多晶等问题,调控后CsPbBr3单晶的缺陷态密度降低一个数量级。并且由PEG调控后生长的高质量CsPbBr3单晶制备的光电探测器,其响应度提升了大约6倍,可以达到2.23A/W,探测率也有大约3倍的提升,提升至6.06×1011Jones。通过将PEG添加到前驱体溶液中,可以得到具有高透明度、大尺寸、低缺陷密度的CsPbBr3单晶。本发明为钙钛矿单晶的制备提出了新思路。
  • 一种提高Mn4+-202310782026.5
  • 张超逸;唐慧丽;徐军;刘波;罗平;王庆国;张晨波;房前成;吴锋 - 同济大学
  • 2023-06-29 - 2023-09-22 - C30B29/22
  • 本发明涉及一种提高Mn4+离子发光性能的共掺杂氧化镓晶体及其制备,该晶体的化学式为β‑(Ga1‑x‑yMnxGey)2O3,0.0001<x<0.1,0.0001<y<0.1。与现有技术相比,本发明在氧化镓晶体中共掺锰、锗离子,锰离子作为激活离子,锗离子作为晶体场调控离子,获得一种全新的性能优良的激光增益介质,在可调谐激光领域十分具有潜力。
  • 一种具有超导特性的无限层型镍酸盐薄膜的制备方法-202110759951.7
  • 乔梁;丁翔;徐明辉;冷华倩 - 电子科技大学
  • 2021-07-06 - 2023-09-22 - C30B29/22
  • 本发明属于超导性薄膜材料技术领域,提供一种具有超导特性的无限层型镍酸盐薄膜的制备方法,用以解决现有技术薄膜沉积速度慢、有裂痕、薄膜易脱落及操作困难等问题。本发明首先制备镍酸盐靶材以匹配脉冲激光沉积法;然后通过脉冲激光沉积法在SrTiO3衬底上生长单晶钙钛矿型镍酸盐(Nd0.8Sr0.2NiO3)薄膜,操作简单,所生长的薄膜与靶材成分高度一致,薄膜内部钙钛矿型镍酸盐各元素分布均匀,薄膜表面更加平整且厚度均匀,结合紧密,使用性能更好;最后经过退火还原后得到具有超导特性的无限层型镍酸盐(Nd0.8Sr0.2NiO2)薄膜。综上,本发明操作简单、制备成本低、具有良好的重复性,且制备的薄膜致密性好、稳定性高、附着力强、生长速度快。
  • 一种基于反溶剂法的CH3-202310966695.8
  • 金长利;朱艳 - 科晶瑞思(苏州)科技有限公司
  • 2023-08-03 - 2023-09-19 - C30B29/22
  • 本发明提供了一种基于反溶剂法的CH3NH3PbI3单晶定点成核生长方法,涉及钙钛矿材料技术领域。本发明将CH3NH3PbI3前驱体溶液(溶剂为γ‑丁内酯)注入生长容器中,升温至第一温度;将反溶剂(氢碘酸或混有氢碘酸的CH3NH3PbI3前驱体溶液)注入所述生长容器的底部,在所述底部析出籽晶;将析出籽晶的溶液继续升温至第二温度,保温至籽晶稳定后,再升温使晶体生长,得到单晶。本发明通过在CH3NH3PbI3前驱体溶液中加入一定比例的氢碘酸,可使CH3NH3PbI3在前驱体溶液中溶解度大幅降低,通过该原理,可确切性地诱导单晶定点析出,大幅提高单晶成核率,并保证生长晶体的形状和质量。
  • 一种黄光自倍频晶体及黄光自倍频激光器-202211638539.0
  • 马长勤;张怀金;于浩海;韩学坤 - 青岛镭视光电科技有限公司;山东大学
  • 2022-12-20 - 2023-09-19 - C30B29/22
  • 本申请一方面,提供了一种黄光自倍频晶体,所述黄光自倍频晶体为掺有铈元素和镱元素的晶体,所述Ce4+的掺杂浓度为0.1%~12%,所述Yb的掺杂浓度为1%~40%。本申请另一方面,还提供了一种黄光自倍频激光器,包括上述的黄光自倍频晶体,还包括激光光源和聚焦或输光组件。本申请的黄光自倍频晶体,对黄光的出光功率稳定,而利用上述黄光自倍频晶体制备的激光器设备,在从开始工作起,出光功率就能较为稳定,且使用时出光功率不会明显下降。
  • 化合物含氟铟碘酸盐和含氟铟碘酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途-202110593602.2
  • 张兴文;姜晓晴 - 深圳市启扬光学科技有限公司
  • 2021-05-28 - 2023-09-12 - C30B29/22
  • 本发明涉及一种化合物含氟铟碘酸盐和含氟铟碘酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物的化学式为BaInF3(IO3)2,分子量为658.95 mg/mol,采用水热法制备含氟铟碘酸盐。该晶体的化学式为BaInF3(IO3)2,分子量为658.95 mg/mol,属于正交晶系,空间群为P212121,晶胞参数为a=7.3958(8)Å,b=8.1785(9)Å,c=13.5113(13)Å;α=90°,β=90°,γ=90°,V=817.25(15)Å3。有宽的透过范围(0.284‑12.03μm),非线性光学效应约为KDP的1.5倍。该晶体采用水热法,通过程序降温或恒温的方法即可得到毫米级透明的含氟铟碘酸盐非线性光学晶体,该晶体具有操作简单、成本低、所用的试剂为无机原料、生长周期短、物化性质稳定等优点,在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
  • 一种单分散高镍三元单晶正极材料的制备方法-202111280985.4
  • 陈永;曹博凯 - 佛山科学技术学院
  • 2021-11-01 - 2023-09-08 - C30B29/22
  • 本发明提供一种单分散高镍三元单晶正极材料的制备方法,包括以下步骤:将可溶性镍盐、钴盐、锰盐,配制水溶液A;取浓氨水配制水溶液B;取氢氧化钠配制水溶液C;将聚乙烯吡咯烷酮和可溶性硅酸盐配制成混合水溶液D;在连续搅拌釜式反应器中预先注入水溶液D和氨水作为混合底液E,再将水溶液A、水溶液B、水溶液C分别泵入所述连续搅拌釜反应器中,反应后,用蒸馏水和乙醇洗涤,最后干燥得到前驱体;将前驱体与锂源混合,在氧气中加热至400‑500℃预烧5‑10小时,750‑830℃下煅烧10‑20小时后降温,得到单晶锂化氧化物;冷却后洗涤,真空干燥,然后加热至500‑800℃并保持5‑10小时,得到单分散高镍三元单晶正极材料,克服了现有技术缺陷,有效提高了材料性能。
  • 一种硼酸锂钡铽磁光晶体及其制备方法和应用-202110525803.9
  • 李如康;周静芳 - 中国科学院理化技术研究所
  • 2021-05-14 - 2023-09-05 - C30B29/22
  • 本发明公开一种硼酸锂钡铽磁光晶体,所述硼酸锂钡铽磁光晶体的化学式为Li(Ba1/3Tb2/3)3(BO3)3;硼酸锂钡铽磁光晶体为单晶,属于立方晶系,空间群为Fd‑3m(227),单胞参数为α=β=γ=90°,Z=16,该晶体具有最高的对称性,铽离子浓度非常高,且在红外波长范围内的透光率大于80%,因此,其在可见‑红外波长范围内都能够作为磁光晶体使用,在制作磁光隔离器、磁光开关、磁光传感器、磁光存储、磁光调制器方面具有良好的应用潜力;同时,该晶体还可以作为荧光粉基质使用,应用于光照明、光通讯领域。
  • 一种基于乙二醇单甲醚溶液体系的钙钛矿单晶生长方法-202310441216.0
  • 王言博;黄本皓;韩礼元 - 上海交通大学
  • 2023-04-23 - 2023-09-01 - C30B29/22
  • 本发明涉及一种基于乙二醇单甲醚溶液体系的钙钛矿单晶生长方法,包括:首先将PbX2、AX与乙二醇单甲醚混合,得到前驱体溶液;其中,A为甲脒阳离子,X为Br、Cl、I中的一种或其混合阴离子;再取前驱体溶液升温结晶,得到多晶;将多晶破碎,得到晶体碎块;之后取前驱体溶液,将晶体碎块置于前驱体溶液中,升温结晶,得到单晶种;最后取前驱体溶液,将单晶种置于前驱体溶液中,升温结晶,得到钙钛矿单晶体。与现有技术相比,本发明所制备的甲脒基钙钛矿单晶具有更好的相稳定性,室温条件下,在14天内可以有效抑制非光活性相的出现。
  • 一种锡酸钙单晶的定向生长方法-202310629871.9
  • 李志慧;张雪;李亮;李芳菲;李新阳;周强;王晓晗;李金宵 - 吉林大学
  • 2023-05-31 - 2023-08-25 - C30B29/22
  • 本发明适用于单晶生长技术领域,提供了一种锡酸钙单晶的定向生长方法,包括以下步骤:将CaCl2和SnO2按摩尔分数2:1称量,并将CaCl2和SnO2的混合物进行研磨;将得到的研磨物置于坩埚中,将坩埚放置于真空管式炉内升温至一定温度使得研磨物加热成溶液,保持炉内温度一定时间后降温,得到锡酸钙晶体。本发明生长过程中晶体成核方向可控,成品率高,可以获得结晶性良好的锡酸钙单晶,生长完成的晶体晶粒发育完整,形貌规则,表面光洁,不会溶解,不会被挥发的氯化物附着,便于对锡酸钙单晶的众多性质进行分析。
  • 一种镝离子掺杂硼酸镁稀土激光晶体及其制备方法和应用-202310483158.8
  • 黄溢声;林州斌;李炳轩;张莉珍;苑菲菲;刘乐辉 - 中国科学院福建物质结构研究所
  • 2023-04-28 - 2023-08-25 - C30B29/22
  • 本发明公开了一种镝离子掺杂硼酸镁稀土激光晶体及其制备方法和应用,涉及激光材料技术领域。本发明的镝离子掺杂硼酸镁稀土激光晶体分子式为:Dy3+:LnMgB5O10;Ln为La、Gd、Y和Lu中的至少一种。本发明方法:(S1)含镁源、Ln源、镝源和含硼化合物的原料通过高温固相技术制备得到多晶物料;(S1)多晶物料通过高温熔液生长技术生长得到镝离子掺杂硼酸镁稀土激光晶体。本发明的掺镝离子硼酸镁稀土黄光激光晶体具有良好的热导性能、机械性能、光学特性以及较高的激光损伤阈值;经GaN半导体激光泵浦可实现560~600nm黄光激光输出,能够广泛应用于生物军事、激光雷达及科研等领域。
  • 一种钽与锆共掺杂无钴单晶富锂锰基正极材料及其制备方法-202310551111.0
  • 钟盛文;文萌 - 江西理工大学
  • 2023-05-16 - 2023-08-22 - C30B29/22
  • 本发明属于锂离子电池材料领域,具体提供了一种钽与锆共掺杂的改性无钴单晶富锂锰基正极材料及其制备方法,所述正极材料的化学通式为:LiaNibMncTaxZryO2,其中,a介于1.2‑1.4之间,b介于0.2‑0.3之间,c介于0.5‑0.6之间,x和y介于0.005‑0.015之间,x和y相同或者不同。采用本发明的正极材料以及制备方法,提高了无钴单晶富锂锰基正极材料的循环稳定性,抑制了其首圈容量不可逆衰减,大幅提高了首次库伦效率。
  • 一种熔渗分散法制备高容量单晶三元正极材料的方法-202210384559.3
  • 颜果春;徐正伟;王接喜;谭欣欣;王志兴;郭华军;彭文杰;胡启阳;李新海 - 中南大学;巴斯夫杉杉电池材料有限公司
  • 2022-04-13 - 2023-08-15 - C30B29/22
  • 本发明公开了一种熔渗分散法制备高容量单晶三元正极材料的方法,包括如下步骤:将前驱体与含锂组合熔盐均匀混合,在氧气氛围中高温烧结;对烧结后的材料进行破碎、过筛,并通过溶剂分散洗涤除去冗余熔盐,实现材料的纯化;洗涤后的材料经过干燥、破碎、过筛,得到高容量、小粒径单晶三元正极材料。本发明提供的一种熔渗分散法制备高容量单晶三元正极材料的方法有效地降低了单晶三元正极材料的合成温度,制备的亚微米级材料分散性好,有效地克服了传统方法中颗粒易团聚的缺点,所得材料形态良好,颗粒尺寸一致性好,结晶性好,锂镍混排低,首次库伦效率,放电比容量高,循环性能好,整个生产流程周期短,工艺简单,易于进行工业化推广等优点。
  • 自还原气氛下光学区熔定向生长高导电性富电子钙铝石单晶体方法-202310382481.6
  • 张忻;韩尚儒;刘楠;王守用 - 北京工业大学
  • 2023-04-11 - 2023-08-04 - C30B29/22
  • 自还原气氛下光学区熔定向生长高导电性富电子钙铝石单晶体方法属于半导体材料领域。首先将溶胶凝胶法合成的[Ca24(Al1‑xMx)28O64]4+(O2‑)2利用放电等离子烧结设备烧结,烧结条件为:温度900~1200℃,真空度不高于8Pa,压力30MPa,反应时间5‑15min;将烧结棒材超声清洗、干燥后,置于光学区熔炉设备中作为生长进料棒,以沿(001)晶面生长的单晶金属钛棒作为籽晶下料棒,生长参数:8%(1080w)≤p≤20%(2400w),生长速度:3mm/h≤s≤10mm/h。真空度1×10‑5torr,氩气流速0.3L/min,气体压强0.5Mpa,上料棒与籽晶棒转速30rpm/min。该制备方法提高了制备效率,所得单晶纯度高、导电性好且成本低,电子浓度可达到理论最大值,可进行大尺寸定向生长。
  • 一种超薄有机无机杂化钙钛矿单晶薄膜及其制备方法-202310543709.5
  • 董美秋;李欣怡;魏彦杰;付悦;张钰 - 季华实验室
  • 2023-05-15 - 2023-07-28 - C30B29/22
  • 本发明公开了一种超薄有机无机杂化钙钛矿单晶薄膜及其制备方法,属于有机半导体材料制备领域,方法步骤包括,往结晶皿中加入甘油,将有机无机杂化钙钛矿前驱液滴加在甘油上铺展成液膜,甘油表面张力大,可以在甘油表面得到大面积的液膜,干燥结晶皿,甘油具有较高的沸点,因此可以不蒸干甘油地干燥结晶皿上的液膜,便于后续完整地将初结晶膜转移到基底上,干燥后获得高质量的初结晶膜;用表面修饰有OTS的基底覆盖在初结晶膜上将初结晶膜从甘油上表里翻转地转移到基底上,在保护气氛下对初结晶膜作退火处理。得到的超薄有机无机杂化钙钛矿单晶薄膜,厚度薄,具有理想的表面平整度以及晶格结构,有望在光电、磁性、电催化等领域实现性能的突破。
  • 一种化合物镧硼氧氟及镧硼氧氟非线性光学晶体及制备方法和用途-202111260707.2
  • 潘世烈;师旭平;韩树娟 - 中国科学院新疆理化技术研究所
  • 2021-10-28 - 2023-07-25 - C30B29/22
  • 本发明提供一种化合物镧硼氧氟及镧硼氧氟非线性光学晶体及制备方法和用途。该化合物的化学式为La2B5O9F3,分子量为532.87,采用固相合成法或真空封装法制成;该晶体的化学式为La2B5O9F3,分子量为532.87,属于正交晶系,空间群为Pnn2,晶胞参数为a=11.0855(8)Å,b=11.2677(7)Å,c=6.4731(4)Å,α=90°,β=90°,γ=90°,单胞体积为808.54(9)Å3,同粒径下具有1.2倍KDP(磷酸二氢钾)的粉末倍频效应,紫外截止边低于190nm,采用熔体法,高温熔液法,真空封装法,水热法或室温溶液法生长晶体,该晶体的化学稳定性好,可作为短波长非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top