[发明专利]低辐射薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201810947636.5 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN108995103A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张航;丁丁;高殷;淮秀兰;李涛;刘斌;陈哲;杨明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院工程热物理研究所 |
| 主分类号： | B29C41/12 | 分类号： | B29C41/12;B29K33/00;B29K505/14;B29L7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张成新 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低辐射薄膜及其制备方法。所述低辐射薄膜包括：基体，所述基体包括透明聚合物材料；以及分布在所述基体中的银纳米线，所述银纳米线构成网络状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 低辐射薄膜 银纳米线 制备 透明聚合物材料 网络状结构 | ||
【主权项】：
1.一种低辐射薄膜，包括：基体，所述基体包括透明聚合物材料；以及分布在所述基体中的银纳米线，所述银纳米线构成网络状结构。
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