[发明专利]靶组件和核素产生系统在审
| 申请号： | 201810929265.8 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109411107A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | M.帕納斯特 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | G21G1/00 | 分类号： | G21G1/00;C22C19/05 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 肖日松;谭祐祥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于同位素产生系统的靶组件。所述靶组件包括靶体，所述靶体具有产生腔室和邻近所述产生腔室的束腔。所述产生腔室配置成保持靶材料。所述束腔配置成接收入射在所述产生腔室上的粒子束。所述靶组件还包括定位成分离所述束腔和所述产生腔室的靶箔。所述靶箔具有暴露于所述产生腔室的一侧，使得所述靶箔在同位素产生期间与所述靶材料接触。所述靶箔包括具有镍基超合金组合物的材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 腔室 靶组件 束腔 产生系统 同位素 靶材料 靶体 粒子束 镍基超合金组合物 腔室配置 材料层 邻近 暴露 配置 收入 | ||
【主权项】：
1.一种用于同位素产生系统的靶组件，所述靶组件包括：靶体，所述靶体具有产生腔室和邻近所述产生腔室的束腔，所述产生腔室配置成保持靶材料，所述束腔配置成接收入射在所述产生腔室上的粒子束；以及靶箔，所述靶箔定位成分离所述束腔和所述产生腔室，所述靶箔具有暴露于所述产生腔室的一侧，使得所述靶箔在同位素产生期间与所述靶材料接触，其中所述靶箔包括具有镍基超合金组合物的材料层。
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