[发明专利]前驱体浸渍裂解与磁拉法原位制备3D碳化物纳米线阵列的方法有效
申请号: | 201810853080.3 | 申请日: | 2018-07-30 |
公开(公告)号: | CN108751197B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 付前刚;闫宁宁;史小红;李贺军 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C01B32/914 | 分类号: | C01B32/914 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种前驱体浸渍裂解与磁拉法原位制备3D碳化物纳米线阵列的方法,采用前驱体浸渍裂解与磁拉法相结合,在石墨片表面原位合成三维碳化物纳米线阵列的方法。通过共沉淀法在高纯石墨片表面制备纳米尺度氧化铁,再通过氢气还原制备纳米Fe颗粒;再将含有Fe颗粒的石墨片置于ZrC前驱体中浸渍,后经磁场环境下热处理即可制得ZrC纳米线阵列。本发明制备方法简单、纳米线可设计化、无污染且安全稳定,提高碳化物纳米材料的场发射性能和电磁波吸收性能,降低材料的场发射开启电压,增强基体与涂层的结合。广泛应用于陶瓷基复合材料、树脂基复合材料、场发射极靴材料以及硬质合金中,具有很好的经济及社会效益。 | ||
搜索关键词: | 前驱 浸渍 裂解 磁拉法 原位 制备 碳化物 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】:
1.一种前驱体浸渍裂解与磁拉法原位制备3D碳化物纳米线阵列的方法,其特征在于步骤如下:步骤1、共沉淀法在石墨片上制备纳米Fe颗粒:将尿素和九水合硝酸铁与去离子水溶解于烧杯中,磁力搅拌30‑60min,后将溶液移入装有石墨片的聚四氟乙烯内胆中,封填装釜;将反应釜置于烘箱中,在120‑180℃恒温1‑3h;取出反应釜中的石墨片烘干,后置于横式热处理炉中,设置氢气还原的温度为500‑700℃,还原时间为1‑3h,氢气与氩气同时通入,两种气体的流量比例为2:1;温度降至室温取出,得到大量的纳米Fe颗粒附着于石墨片表面上;所述石墨片置于酒精中超声清洗30‑60min;所述尿素和九水合硝酸铁的摩尔比为3:2;步骤2、在石墨片上制备ZrC前驱体颗粒:将含有纳米Fe颗粒的石墨片置于ZrC前驱体溶液中浸渍1‑3天,取出烘干再浸渍,如此反复3次,即在石墨片表面制得ZrC前驱体固态颗粒;所述ZrC前驱体溶液是:1‑5g ZrC前驱体固体颗粒溶解于丙酮溶液中,磁力搅拌2‑5h制得ZrC前驱体溶液;步骤3、磁拉制备ZrC纳米线阵列:将步骤2得到的表面附着ZrC前驱体固态颗粒的石墨片装填于刚玉多晶陶瓷的管道中,对炉腔进行抽真空,之后打开氩气阀,进行冲洗;如此反复3次;再全程通入氩气保护,氩气流量50‑200SCCM,在石墨片顶端加入磁场,产生磁场的直流电压为10‑200V,电流为1‑3A,磁铁引力5‑1000N,磁场全程开启;启动温度时间控制程序,将温度升到1300‑1500℃,升温速率6‑7℃/min,保温0.5‑3h,程序降温,降温时间为3‑5h;自然降至室温,完成制备3D碳化物纳米线阵列。
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