[发明专利]提高磁性元件磁场利用率的方法及其磁瓦转子组合结构在审
| 申请号： | 201810825237.1 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN108988530A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 刘杰 | 申请（专利权）人： | 中山市特斯拉克磁电科技有限公司;江门市胜思特电器有限公司 |
| 主分类号： | H02K1/27 | 分类号： | H02K1/27 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510000 广东省中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高磁性元件磁场利用率的方法及其磁瓦转子组合结构，在排列的若干块磁性元件一中，相邻的两块磁性元件一之间分别设有磁性元件二，使磁性元件一和磁性元件二间隔排列；所述的磁性元件一采用径向充磁制作而成，所磁性元件二采用切向或横向充磁制作而成，使磁性元件一和磁性元件二的磁极取向不同；在磁性元件一磁场应用一侧上，所述磁性元件一与磁性元件二对接一侧的磁极相同。本发明方法使磁性元件一磁场磁力线通过磁性元件二引导至磁性元件一磁场应用一侧中，避免相邻两块磁性元件一的磁场相互抵消或向外泄漏，由此减少漏磁，从而提高磁性元件一磁场的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性元件 磁场利用率 磁场应用 磁瓦转子 组合结构 磁场 磁极 磁场磁力线 磁极取向 横向充磁 间隔排列 径向充磁 漏磁 切向 制作 抵消 泄漏 | ||
【主权项】：
1.一种提高磁性元件磁场利用率的方法，其特征是：在排列的若干块磁性元件一(1)中，相邻的两块磁性元件一(1)之间分别设有磁性元件二(2)，使磁性元件一(1)和磁性元件二(2)间隔排列；所述的磁性元件一(1)采用径向充磁制作而成，所磁性元件二(2)采用切向或横向充磁制作而成，使磁性元件一(1)和磁性元件二(2)的磁极取向不同；在磁性元件一(1)磁场应用一侧上，所述磁性元件一(1)与磁性元件二(2)对接一侧的磁极相同。
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