[发明专利]铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法和背电极的修饰方法在审
申请号: | 201810742469.0 | 申请日: | 2018-07-09 |
公开(公告)号: | CN109148641A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 李冬梅;闵雪;石将建;罗艳红;吴会觉;孟庆波 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/032 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 郭广迅;赵岩 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池背电极的修饰方法和电池以及电池的制备方法。所述修饰方法是将钼电极基底在氮氧混合气体中高温退火,在其表面形成一层氧化钼层,再用乙醇的水溶液对其表面进行清洗,得到修饰过的背电极基底。在修饰过的背电极基底上制备铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池。退火处理形成的氧化钼层可以有效抑制硒化过程中在背界面处产生较厚的硫硒化钼,还可以阻挡吸收层与钼基底发生反应,提升背界面接触性能。本发明提供的背界面修饰方法适用于真空法和非真空法制备的铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 薄膜太阳能电池 修饰 铜锌锡硫硒 背电极 基底 制备 氧化钼层 电池 氮氧混合气体 中高温退火 阻挡吸收层 表面形成 界面接触 界面修饰 退火处理 有效抑制 非真空 界面处 真空法 钼电极 乙醇 化钼 硫硒 硒化 钼基 清洗 | ||
【主权项】:
1.一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池背电极的修饰方法,该方法包括:将钼电极在氮氧混合气体中退火,在其表面生成氧化钼层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所,未经中国科学院物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810742469.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的