[发明专利]GaN芯片负压控制电路及设备

摘要

本发明涉及一种GaN芯片负压控制电路及设备。GaN芯片负压控制电路包括比较器电路，漏压关断电路，以及正极分别用于接入负压信号、连接GaN芯片的栅压管脚的二极管；比较器电路包括第一比较器和第二比较器；第一比较器的输出端连接二极管的负极，输入端连接TDD信号端；第二比较器的输入端接入负压信号；漏压关断电路的输入端连接第二比较器的输出端，输出端连接GaN芯片的漏极。基于上述结构，解决GaN芯片的供电时序控制问题，保证栅压开启到芯片工作电压后，漏压才开启，有效保证芯片的正常工作。在不关断漏压的情况下，通过比较器实现由高低电平信号控制栅压从负压到工作电压之间的切换，实现TDD模式下GaN芯片的正常工作。

主权项

1.一种GaN芯片负压控制电路，其特征在于，包括比较器电路，漏压关断电路以及二极管；所述比较器电路包括第一比较器和第二比较器；/n所述第一比较器的输出端连接所述二极管的负极；所述第一比较器的输入端包括第一输入端和第二输入端；所述第二比较器的输入端包括第三输入端和第四输入端；/n所述第一输入端用于连接TDD信号端；/n所述第二输入端用于连接第一比较电源；/n所述第三输入端用于接入负压信号；/n所述第四输入端用于连接第二比较电源；/n所述漏压关断电路的输入端连接所述第二比较器的输出端，输出端用于连接GaN芯片的漏极；所述二极管的正极用于接入所述负压信号和连接所述GaN芯片的栅压管脚。/n