[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810588325.4 申请日: 2018-06-08
公开(公告)号: CN110581695B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 王晓川 申请(专利权)人: 芯知微(上海)电子科技有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/17
代理公司: 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 代理人: 张立君
地址: 201607 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示了一种薄膜体声波谐振器及其制造方法。将夹在第一电极片体和第二电极片体之间的第一压电感应震荡片整体置于第一空腔之上,其边界为不含任何相互平行对边的多边形,不仅消除水平方向成为杂波的附加驻波震荡,也同时最大程度低降低横向寄生波所消耗的能量;同时,在第一压电感应震荡片之外置放“悬空”的第二压电感应震荡片和第三压电感应震荡片,接收和吸收通过上下电极内被引发的震动波传于外部的部分震动能量,增强置于从而提高薄膜体声波谐振器包括品质因子在内的滤波性能。相应的制造方法也同时披露。
搜索关键词: 薄膜 声波 谐振器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种薄膜体声波谐振器,包括:/n第一衬底,位于所述第一衬底上的第一绝缘材料片体,所述第一绝缘材料片体背离所述第一衬底的一侧形成有第一空腔;/n层叠设置于第一绝缘材料片体上的第一电极片体和第二电极片体,所述第一电极片体包含位于所述第一空腔上的第一电极空腔;所述第二电极片体包含位于所述第一空腔上的第二电极空腔;/n置于所述第一空腔之上、所述第一电极片体和第二电极片体之间的第一压电感应震荡片,所述第一压电感应震荡片的下上表面分别与所述第一电极片体和所述第二电极片体相粘附,所述第一压电感应震荡片的边界为第一压电感应片边界,所述第一压电感应片边界的至少一部分由第一电极空腔的部分边界和第二电极空腔的部分边界相交后组成,所述第一压电感应片边界呈不包含任何相互平行对边的多边形,并完全包络在第一空腔边界之内;/n置于至少部分所述第一空腔之上、并置于所述第一电极片体和第二电极片体之间的第二压电感应震荡片和第三压电感应震荡片,所述第二压电感应震荡片和所述第三压电感应震荡片的下上表面皆分别与所述第一电极片体和所述第二电极片体相粘附,所述第二压电感应震荡片和第三压电感应震荡片接收和吸收通过所述第一电极片体和所述第二电极片体被引发的震动波传于外部的部分震动能量。/n
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  • 黄磊;邹洁;唐供宾 - 深圳新声半导体有限公司
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  • 本申请实施例公开了一种声表面波滤波器,包括至少一个声表面波谐振器,所述声表面波谐振器除包括叉指换能器外,还包括辅助电极,且所述辅助电极,所述辅助电极包括第一辅助电极和第二辅助电极,在垂直于所述衬底所在平面的方向上,所述第一辅助电极覆盖多个所述第一叉指电极的端部,且与多个所述第二叉指电极相交,所述第二辅助电极覆盖多个所述第二叉指电极的端部,且与多个所述第一叉指电极相交,以减小所述声表面波谐振器的杂散信号,提高所述声表面波谐振器的性能,从而提高所述声表面波滤波器的性能。
  • MEMS装置-202223436036.3
  • L·G·法罗尼;A·弗兰吉;V·泽加;C·加佐拉 - 意法半导体股份有限公司
  • 2022-12-21 - 2023-10-17 - H03H9/02
  • 本公开的实施例涉及MEMS装置。一种基于MEMS的装置,包括由晶胞形成并具有延伸穿过声子晶体主体的缺陷线的声子晶体主体。缺陷线内的晶胞缺少与缺陷线外的晶胞相同的声子带隙。输入MEMS谐振器被机械耦接到缺陷线的第一端,输出MEMS谐振器机械被耦接到缺陷线的第二端。缺陷线外的每个晶胞具有相同的几何形状。输入MEMS谐振器和输出MEMS谐振器各自在缺陷线外的晶胞所拥有的相同声子带隙内具有固有频率。可以存在多于一条缺陷线,并且在这种情况下,MEMS装置可以包括多于一个输入MEMS谐振器和/或多于一个输出MEMS谐振器。根据本公开的MEMS装置有助于减轻能量损耗。
  • 一种温补型声表面波谐振器及制作方法-202310931447.X
  • 高安明;路晓明;姜伟 - 浙江星曜半导体有限公司
  • 2023-07-27 - 2023-10-13 - H03H9/02
  • 本发明公开了一种温补型声表面波谐振器及制作方法,涉及声表面波谐振器技术领域。在第一温度补偿层远离叉指结构层的一侧增加第一插入层,可以形成沿着第一方向不同的声速传播区域,在平行指条的方向上产生活塞模式的效果,在不同介质的交界面上产生对横向模式杂散声波的反射,且不影响主声学传播模式,有效抑制了横向杂散模式,本技术方案通过设置边缘刚好与假指末端位置齐平的插入层,使声波传播在孔径区域与假指区域时具有更大的声速差,从而进一步抑制横向模式;第二温度补偿层相对于第一温度补偿层的密度较小,相对疏松的第二温度补偿层既不会影响温度补偿效果,又可以缩短沉积时间。
  • 温度补偿型横向激励体声波谐振器-202310730690.5
  • 张巧珍;杜如帆;赵祥永;田亚会;李红浪 - 上海师范大学;国家纳米科学中心
  • 2023-06-20 - 2023-10-13 - H03H9/02
  • 本发明涉及压电声波器件领域,公开了一种温度补偿型横向激励体声波谐振器,包括叉指换能器、温度补偿层、压电薄板及支撑衬底,所述支撑衬底为“冂”型,所述支撑衬底底部形成空腔,所述支撑衬底上设置有压电薄板,所述压电薄板上设置有所述温度补偿层,所述压电薄板上表面设置有所述叉指换能器。本发明的有益效果在于,用于温度补偿XBAR(TC‑XBAR)的三明治结构,能够明显改善并提高器件的温度稳定性,并因其性能,可以在兼顾其他性能(高频、高机电耦合系数)的情况下还能获得较好的频率温度系数。
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