[发明专利]基于增强高阶共振模吸收率的多带超材料吸收体设计方法在审
| 申请号： | 201810560923.0 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108732748A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 董士奎;赵磊;杨森;贺志宏 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G02B27/00 | 分类号： | G02B27/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 刘景祥 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于增强高阶共振模吸收率的多带超材料吸收体设计方法，涉及超材料领域。基于增强高阶共振模吸收率的多带超材料吸收体设计方法应用于所述超材料吸收体中，所述超材料吸收体顶层包括一周期性微结构，所述周期性微结构至少由一对基本结构单元组成；缩小所述超材料吸收体顶层的周期性微结构中至少一对基本结构单元的间距。本发明通过缩小至少一对基本结构单元的间距形成近场耦合从而达到提高该基本结构单元的高阶等离子激元共振模式的吸收率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 超材料 吸收体 吸收率 基本结构单元 周期性微结构 高阶共振模 顶层 等离子激元 共振模式 近场耦合 高阶 | ||
【主权项】：
1.一种增强高阶共振模式吸收率设计多带超材料吸收体的方法，所述超材料吸收体顶层包括一周期性微结构，所述周期性微结构至少由一对基本结构单元组成；其特征在于：缩小所述超材料吸收体顶层的周期性微结构中至少一对基本结构单元的间距。
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