[发明专利]基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法有效
| 申请号： | 201810543412.8 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108763777B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 朱文兴;陈建利;黄志鹏 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F111/10 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法，把电路表示为超图模型；将VLSI电路布局模型模拟为二维静电系统，将密度约束转化为静电系统的总势能N(v)=0的约束；基于泊松方程、边界条件和兼容性条件建立偏微分方程组；建立密度函数的解析式，并代入偏微分方程组；根据密度函数确定电势和电场的表达式；确定电势和电场表达式的收敛性；根据部分和得到电势和电场的求解表达式；由快速计算方法得到每个网格的电势和电场值，加权得到模块的电势和电场，在电场力作用下完成VLSI电路布局模型建立。本发明实可以提供高效实用的全局布局结果，尤其对大规模的实例，可满足目前VLSI全局布局阶段的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 方程 显式解 vlsi 全局 布局 模型 建立 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于泊松方程显式解的VLSI全局布局模型建立方法，特征在于，包括如下步骤：步骤S1：把电路表示为超图模型H＝{V,E}；步骤S2：将VLSI电路布局模型模拟为二维静电系统，将密度约束转化为静电系统的总势能N(v)＝0的约束；步骤S3：基于泊松方程、边界条件和兼容性条件建立偏微分方程组；步骤S4：建立密度函数的解析式，并代入偏微分方程组；步骤S5：根据密度函数确定电势和电场的表达式；步骤S6：确定电势和电场表达式的收敛性；步骤S7：根据部分和得到电势和电场的求解表达式；步骤S8：由快速计算方法得到每个网格的电势和电场值，加权得到模块的电势和电场，在电场力作用下完成VLSI电路布局模型建立。
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