[发明专利]一种分波段探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810496044.6 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN108649081A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;洪悦华;李奎龙;李治文;胡聪;王佳乐 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L31/0336 | 分类号： | H01L31/0336;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分波段探测器及其制备方法，该分波段探测器包括：SiC衬底、附于所述SiC衬底两侧的SiC材料层和MoS2材料层，以及置于所述SiC材料层和MoS2材料层上的电极，由于具有SiC材料层和MoS2材料层，在其处于工作时，探测器的SiC材料层将响应波长小于380nm的紫外波段，同时探测器的MoS2材料层将会响应波长大于380nm小于680nm的可见光波段，即本发明提供的探测器能够实现分波段响应。 | ||
| 搜索关键词： | 探测器 材料层 分波段 波长 衬底 制备 响应 可见光波段 紫外波段 电极 | ||
【主权项】：
1.一种分波段探测器，其特征在于，所述分波段探测器包括：SiC衬底、附于所述SiC衬底两侧的SiC材料层和MoS2材料层，以及置于所述SiC材料层和MoS2材料层上的电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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