[发明专利]高电位侧栅极驱动电路、半导体模块及3相逆变器系统

摘要

本发明的目的是，在高电位侧栅极驱动电路中，对信号的传递损耗和延迟时间的增加进行抑制，且对噪声的影响进行抑制。高电位侧栅极驱动电路(103)具有：脉冲生成电路，其生成与输入信号同步的第1脉冲；以及电平移位电路，其将第1脉冲的基准电压向高电位侧开关元件的电源电压进行电平移位。电平移位电路具有由第1脉冲驱动的MOSFET。高电位侧栅极驱动电路(103)具有：遮蔽信号生成电路(26)，其生成在MOSFET的源极电位成为高电平的期间成为高电平的遮蔽信号；以及再发出电路(36、37)，它们在遮蔽信号为高电平的期间即遮蔽期间中第1脉冲被输入至电平移位电路的情况下，在遮蔽期间后，将第2脉冲输入至电平移位电路。

主权项

1.一种高电位侧栅极驱动电路，其对高电位侧开关元件进行驱动，该高电位侧栅极驱动电路具有：脉冲生成电路，其生成与输入信号同步的第1脉冲；以及电平移位电路，其将所述第1脉冲的基准电压向所述高电位侧开关元件的电源电压进行电平移位，所述电平移位电路具有通过所述第1脉冲进行驱动的MOSFET，所述高电位侧栅极驱动电路具有：遮蔽信号生成电路，其生成在所述MOSFET的源极电位成为高电平的期间成为高电平的遮蔽信号；以及再发出电路，其在所述遮蔽信号为高电平的期间即遮蔽期间中所述第1脉冲被输入至所述电平移位电路的情况下，在所述遮蔽期间后，将第2脉冲输入至所述电平移位电路。