[发明专利]带宽可独立控制的HMSIW双模双频带滤波器

摘要

本发明涉及一种带宽可独立控制的HMSIW双模双频带滤波器。本发明利用双层HMSIW腔交错折叠方式，通过垂直耦合方式构成双频带滤波器；利用HMSIW腔的TE101和TE201模同时工作，两个腔的TE101模构成第一通带，两个腔的TE201模构成第二个通带；中间层有6个耦合槽，改变耦合槽的大小可以控制两个通带的耦合强度；输入输出馈线分别加载在上层金属面和下层金属面。通过引入HMSIW双模工作和利用双层板叠加的方式迎合了现代多标准射频系统对于小型化的要求并解决了传统双频带滤波器尺寸大、设计复杂的问题。

主权项

1.一种带宽可独立控制的HMSIW双模双频带滤波器，其特征在于由上下叠加的两层介质板构成，上层介质板的上表面铺设有第一金属层及输入馈线，下层介质板的下表面铺设有第二金属层及输出馈线，上下介质板间设有中间金属层；/n所述的下层介质板设有贯穿介质板的若干周期性分布第二金属柱，这些金属柱围合成“匚”结构；上层介质板设有贯穿介质板的若干周期性分布第一金属柱，这些金属柱围合的结构为第二金属柱围合结构水平翻转后的结构，大小尺寸相同；且呈“匚”结构水平翻转后的若干第一金属柱两臂与呈“匚”结构的若干第二金属柱两臂位置重合，即重合部分的第一金属柱、第二金属柱上下设置；/n上述第一、二金属柱同时分别贯穿第一、二金属层；/n上层介质板、第一金属层、若干第一金属柱、中间金属层构成了第一个HMSIW谐振腔；下层介质板、第二金属层、若干第二金属柱、中间金属层构成了第二个HMSIW谐振腔；/n所述的中间金属层设有两列耦合槽，每列设有三个耦合槽；左侧第一列耦合槽从上至下命名为第一至三耦合槽，右侧第一列耦合槽从上至下命名为第四至六耦合槽；位于队列中间位置的第二、第五耦合槽分别设置在第一、二HMSIW谐振腔的TE101模式电场最强的位置；第一、三耦合槽设置在第一HMSIW谐振腔的TE201模式电场最强的位置，第四、六耦合槽设置在第二HMSIW谐振腔的TE201模式电场最强的位置；/n所述的输入馈线、输出馈线分别位于第一、二HMSIW谐振腔的虚拟磁壁侧；/n两个HMSIW谐振腔的TE101和TE201模式同时工作，两个谐振腔以上下叠加的方式，通过垂直混合电磁耦合形成双频带滤波器，两个谐振腔的TE101模式构成第一通带，两个谐振腔的TE201模式构成第二通带，垂直耦合是通过中间金属层的耦合槽实现，改变耦合槽的大小可以改变混合电磁耦合强度，中间金属层的第二、五耦合槽主要控制第一个通带的耦合强度，中间金属层的第一、三、四、六耦合槽主要控制第二个通带的耦合强度，通带带宽可独立控制。/n