[发明专利]紫外红外双色探测器及其制作方法有效
| 申请号： | 201810442396.3 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108417660B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张志伟;陈一仁;李志明;谬国庆;蒋红;宋航 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/103 | 分类号： | H01L31/103;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵焕;李海建 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及其制作方法，其中，紫外红外双色探测器包括衬底层、生长在衬底层上的GaN缓冲层、生长在GaN缓冲层上的GaN吸收层及生长在GaN吸收层上的TMDCs盖层。由于GaN具有宽禁带性能，可对紫外波段进行吸收，GaN外延的TMDCs层可以对红外波段的光进行探测，本申请提供的紫外红外双色探测器实现同时对红外和紫外波段的光进行探测。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 红外 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种紫外红外双色探测器，其特征在于，包括：衬底层(1)；生长在所述衬底层(1)上的GaN缓冲层(2)；生长在所述GaN缓冲层(2)上的GaN吸收层(3)；及生长在所述GaN吸收层(3)上的TMDCs盖层(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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