[发明专利]人工晶体制备方法在审
| 申请号： | 201810410287.3 | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN108941932A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 曹立;康小林 | 申请（专利权）人： | 东莞东阳光科研发有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/60;B23K26/70 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523871 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了制备人工晶体的方法。涉及人工晶体领域，具体地，涉及人工晶体的制备方法。该方法包括：S1：提供包括光学区和外围区的人工晶体粗胚，所述光学区具有上光学面和下光学面，所述外围区环绕所述光学区；S2：在所述人工晶体粗胚表面覆盖保护膜，使其与所述人工晶体粗胚的形状相吻合；S3：使用激光对所述覆盖有保护膜的人工晶体粗胚进行切割处理；S4：移除所述保护膜后形成所述人工晶体，所述人工晶体包括光学区和和支撑件，所述光学区包含所述上光学面和所述下光学面，所述支撑件与所述光学区相连。该方法可以防止人工晶体边缘出现液滴状斑点、溅射斑点、粉尘等污染，可以快速地获得表面光洁度符合要求的人工晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 人工晶体 光学区 光学面 粗胚 保护膜 外围区 支撑件 斑点 制备 表面覆盖保护膜 制备人工晶体 表面光洁度 液滴状 溅射 移除 粉尘 切割 环绕 激光 吻合 覆盖 污染 | ||
【主权项】：
1.一种人工晶体的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：S1：提供人工晶体粗胚，所述人工晶体粗胚包括光学区和外围区，所述光学区具有上光学面和下光学面，所述外围区环绕所述光学区；S2：在所述人工晶体粗胚表面覆盖保护膜，使其与所述人工晶体粗胚的形状相吻合；S3：使用激光对所述覆盖有保护膜的人工晶体粗胚进行切割处理；S4：移除所述保护膜后形成所述人工晶体，所述人工晶体包括光学区和和支撑件，所述光学区包含所述上光学面和所述下光学面，所述支撑件与所述光学区相连。
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