[发明专利]改善上电极板在化学机械研磨工艺中刮伤的方法及设备在审

专利信息
申请号: 201810380558.5 申请日: 2018-04-25
公开(公告)号: CN110303424A 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 蔡长益 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: B24B37/00 分类号: B24B37/00;B24B37/34
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明属于化学机械研磨技术领域,涉及改善上电极板在化学机械研磨工艺中刮伤的方法及设备,包括,将晶圆装载在化学机械研磨设备的载入台上,化学机械研磨设备还包括一第一研磨台及至少一第二研磨台,晶圆具有一组件阵列区以及一相对下陷的周边区,一绝缘保护层覆盖组件阵列区及周边区,绝缘保护层对应于组件阵列区的边缘形成有突出角;先利用第一研磨台的第一研磨垫对绝缘保护层进行预研磨,以去除突出角;再利用第二研磨台的第二研磨垫对绝缘保护层进行第一次主研磨,用于去除绝缘保护层在组件阵列区上相对于外围区上的多余厚度。本发明提供的方法及设备能有效减少半导体存储器电容上电极板上的刮伤,有效保证其质量。
搜索关键词: 绝缘保护层 研磨台 组件阵列 刮伤 极板 上电 化学机械研磨工艺 化学机械研磨设备 突出角 研磨垫 周边区 晶圆 去除 半导体存储器 化学机械研磨 边缘形成 覆盖组件 有效减少 外围区 预研磨 再利用 阵列区 主研磨 电容 下陷 装载 载入 保证
【主权项】:
1.一种改善上电极板在化学机械研磨工艺中刮伤的方法,其特征在于,包括,提供晶圆步骤,晶圆装载在化学机械研磨设备的载入台上,所述化学机械研磨设备还包括一第一研磨台及至少一第二研磨台,所述晶圆具有一组件阵列区以及一相对下陷的周边区,一绝缘保护层覆盖所述组件阵列区及所述周边区,所述绝缘保护层对应于所述组件阵列区的边缘形成有突出角,所述绝缘保护层具有在所述突出角的第一高度、在所述组件阵列区上的第二高度及在所述周边区上的第三高度,所述第一高度大于所述第二高度,所述第二高度大于所述第三高度;预先慢磨步骤,实施于所述第一研磨台上,利用所述第一研磨台的第一研磨垫对所述绝缘保护层进行预研磨,以去除所述突出角,使得所述第一高度往所述第二高度接近;第一次主研磨步骤,实施于所述第二研磨台上且在所述预先慢磨步骤之后,利用所述第二研磨台的第二研磨垫对所述绝缘保护层进行第一次主研磨,用于去除所述绝缘保护层在所述组件阵列区上相对于所述外围区上的多余厚度,使得所述第一高度和所述第二高度往所述第三高度接近;其中,所述第一研磨垫的硬度小于所述第二研磨垫的硬度,且所述预先慢磨步骤的研磨速率小于所述第一次主研磨步骤的研磨速率的二分之一。
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  • 2018-04-25 - 2019-10-08 - B24B37/00
  • 本发明属于化学机械研磨技术领域,涉及改善上电极板在化学机械研磨工艺中刮伤的方法及设备,包括,将晶圆装载在化学机械研磨设备的载入台上,化学机械研磨设备还包括一第一研磨台及至少一第二研磨台,晶圆具有一组件阵列区以及一相对下陷的周边区,一绝缘保护层覆盖组件阵列区及周边区,绝缘保护层对应于组件阵列区的边缘形成有突出角;先利用第一研磨台的第一研磨垫对绝缘保护层进行预研磨,以去除突出角;再利用第二研磨台的第二研磨垫对绝缘保护层进行第一次主研磨,用于去除绝缘保护层在组件阵列区上相对于外围区上的多余厚度。本发明提供的方法及设备能有效减少半导体存储器电容上电极板上的刮伤,有效保证其质量。
  • 一种曲面盖板的研磨装置-201910760728.7
  • 孙福明;郑嘉荣 - 马鞍山绿德电子科技有限公司
  • 2019-08-16 - 2019-10-08 - B24B37/00
  • 本发明涉及笔记本电脑盖板加工设备技术领域,且公开了一种曲面盖板的研磨装置,包括壳体,壳体的上表面固定连接有固定机构,壳体的下表面四角处均固定连接有支撑腿,多个支撑腿的外壁共同固定连接有除尘机构,壳体的左右内壁均开设有矩形通孔,矩形通孔的孔壁滑动连接有滚动轴承,两个滚动轴承的内壁共同活动连接有研磨辊,壳体的侧壁滑动连接有第一滑块。本发明能够有效避免曲面盖板固定过程受损伤的问题,提高了曲面盖板加工的安全性,也能够提高曲面的盖板加工的质量和美观性,进而提高了曲面盖板加工的合格率,也能够有效避免研磨碎屑污染周边环境,提高该装置的环保性能。
  • 一种半导体晶圆用化学机械抛光设备-201711384643.0
  • 曹云娟 - 何银亚
  • 2017-12-20 - 2019-10-01 - B24B37/00
  • 本发明涉及一种半导体晶圆用化学机械抛光设备,包括由上至下依次设置的晶圆夹持总成、研磨浆液控制装置、CMP装置。本发明结构简单,摒弃传统的磨床结构,不直接控制驱动晶圆转动的电机主轴升降,而是设置安装筒,并将晶圆的校验水平装置与电机主轴联动,一齐设置在安装筒内,通过对安装筒单独的线性驱动直接进行升降,精度更高,隔离电机震动的问题,也能够解决在接触瞬间的啃咬问题,同时通过研磨浆液控制装置在晶圆和抛光板之间形成均质的环状水膜层,既能够避免气隙的问题产生,又能够稳定抛光的过程,便于激光干涉的监测,提升抛光精度。
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