[发明专利]具有超宽吸收放射差的纳米晶及其制法

摘要

具有超宽吸收放射差的纳米晶及其制法，纳米晶包含光电半导体化合物所构成并包括掺杂区及未掺杂区的单晶体。掺杂区具A1XA21‑XB第一化学结构式，并具内部及包覆内部的外部，A2为掺杂区的掺质。未掺杂区分散于内部并具A1B第二化学结构式，第一、二化学结构式中的A1相同。A1与A2选自1价、2价或3价金属阳离子，条件是A1不等于A2，B选自2价或3价阴离子，x小于1。第一化学结构式的能隙大于第二化学结构式，且掺杂区内部的掺质浓度足够低以致使单晶体具至少大于350nm的吸收放射差。通过掺杂区的第一化学结构式的能隙大于未掺杂区的第二化学结构式的能隙，与掺杂区的内部的掺质浓度足够低以致使单晶体的吸收放射差至少大于350nm以扩增纳米晶于下游应用端的广度。

主权项

1.一种具有超宽吸收放射差的纳米晶，其特征在于，包含：单晶体，由光电半导体化合物所构成，并包括：掺杂区，具有A1_XA2_1‑XB的第一化学结构式，并具有内部及包覆该内部的外部，其中，A2为该掺杂区中的掺质，且该内部的掺质浓度低于该外部的掺质浓度，及至少两未掺杂区，分散于该掺杂区的内部中并具有A1B的第二化学结构式，且该第二化学结构式中的A1是相同于该第一化学结构式中的A1；其中，A1与A2选自1价金属阳离子、2价金属阳离子，或3价金属阳离子，但是有条件的是，A1不等于A2；B是选自2价阴离子或3价阴离子；和x小于1；其中，该1价金属阳离子是选自由下列所构成的群组的金属阳离子：Ag⁺、Cu⁺、Au⁺，及I⁺，该2价金属阳离子是选自由下列所构成的群组的金属阳离子：Zn²⁺、Pb²⁺、Cd²⁺、Hg²⁺、Cu²⁺、Ti²⁺、W²⁺、Mg²⁺，及Fe²⁺，且该3价金属阳离子是选自由下列所构成的群组的金属阳离子：Al³⁺、Ga³⁺、In³⁺、B³⁺，及W³⁺；其中，该2价阴离子是选自由下列所构成的群组的阴离子：S^2‑、Se^2‑、O^2‑，及Te^2‑，且该3价阴离子是选自由下列所构成的群组的阴离子：N^3‑、P^3‑，及As^3‑；及其中，该第一化学结构式的能隙大于该第二化学结构式的能隙，且该掺杂区的内部的掺质浓度足够低以致使该单晶体具有至少大于350nm的吸收放射差。