[发明专利]一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810373012.7 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108767055B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 许福军;沈波;王明星;解楠;孙元浩;刘百银;王新强;秦志新 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君;陈征 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在化学气相沉积法制备AlGaN过程中，对生长中断过程中Ga和Al金属原子的脱附速率进行控制，得到具有周期变化的Al |
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| 搜索关键词： | 一种 algan 外延 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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