[发明专利]一种OLED器件的结构在审

专利信息
申请号: 201810371454.8 申请日: 2018-04-24
公开(公告)号: CN110400883A 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 李贵芳;李博;吴赛飞 申请(专利权)人: 上海和辉光电有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 201506 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明实施例公开了一种OLED器件的结构,包括:发光层和设置在发光层在发光层第一面的第一复合功能层,该第一复合功能层由至少两层第一子复合功能层组成,由于至少两层第一子复合功能层中任意两层第一子复合功能层的载流子迁移率不相同,且靠近发光层的第一子复合功能层中载流子的迁移率大于远离所述发光层的第一子复合功能层中载流子的迁移率,因而可使得第一复合功能层中的载流子能够更加快速地传输至发光层界面附近,以中和发光层中由于空穴电子不平衡而产生的多子,从而提高器件效率,减小界面出载流子的累积,缓解界面老化,缓解OLED器件的电压上升,延长OLED器件的寿命。
搜索关键词: 复合功能层 发光层 载流子 两层 迁移率 载流子迁移率 发光层界面 电压上升 空穴电子 器件效率 缓解 减小 老化 中和 传输
【主权项】:
1.一种OLED器件的结构,其特征在于,包括发光层、设置在所述发光层第一面的第一复合功能层;其中,所述第一复合功能层由至少两层第一子复合功能层构成;所述至少两层第一子复合功能层中任意两层第一子复合功能层的载流子迁移率不相同,且靠近所述发光层的第一子复合功能层中载流子的迁移率大于远离所述发光层的第一子复合功能层中载流子的迁移率。
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