[发明专利]一种少量稀土金属离子掺杂的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201810358112.2 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN108389976B | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 周欢萍;王立刚;严纯华;孙聆东 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 11513 北京远创理想知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 卫安乐 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种少量稀土金属离子掺杂的有机无机杂化钙钛矿的太阳能电池及其制备方法,利用该方法所制备的钙钛矿太阳能电池具有很高的光电转换效率,可高达20%以上,并且具备很好的长期的稳定性;引入的稀土金属离子量很少,不会明显增加钙钛矿太阳能电池的成本。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 钙钛矿 稀土金属离子 制备 有机无机杂化 掺杂的 光电转换效率 引入 | ||
【主权项】:
1.一种少量稀土金属离子掺杂的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述太阳能电池具备正负两个电极,使用有机小分子、聚合物或无机物做为电子和空穴传输材料;在制备过程中,将少量稀土元素金属离子引入有机无机杂化钙钛矿太阳能电池的钙钛矿光活性层中,起到提升效率和稳定性的作用;其中,所述钙钛矿光活性层为有机无机杂化的铅卤钙钛矿材料,在所述钙钛矿光活性层中引入的稀土金属离子和铅的摩尔比介于0.001%-5.0%。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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